具有电压调节功能的半导体器件的制作方法

本公开涉及半导体器件。

背景技术：

1、半导体器件包括多个半导体元件，并且可以包括用于与其他外部半导体器件交换信号的接收电路和发送电路。近来，正在积极地进行研究，以提高半导体器件的集成度，并同时降低其功耗，并且因此，可以输入到每个半导体器件的电源电压的幅度趋于减小。半导体器件可以利用以低电源电压操作的半导体元件来实现，从而降低半导体器件的功耗。

技术实现思路

1、本公开的一个方面在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够仅利用以低电源电压操作的半导体元件来接收并处理由另一外部半导体器件发送的高电压电平信号。

2、根据本公开的一个方面，一种半导体器件包括：电压钳位电路，包括在接收到具有第一电平的电压时操作的多个第一元件，并且被配置为通过调节以第二电平摆动的外部输入信号的电压来输出以第一电平摆动的钳位信号，其中第二电平大于第一电平的两倍；第一缓冲电路，被配置为缓冲钳位信号；电平下移位器电路，被配置为降低钳位信号的电压，并输出在预定参考电压和高于参考电压的第一电源电压之间以第一电平摆动的内部输入信号；以及第二缓冲电路，被配置为缓冲内部输入信号，并将内部输入信号发送给核心电路。

3、根据本公开的一个方面，一种半导体器件包括：电压钳位电路，被配置为接收外部输入信号，并通过调节外部输入信号的电压电平来输出钳位信号；以及电平下移位器电路，被配置为通过调节钳位信号的电压电平来输出内部输入信号，其中，钳位信号的最大电压电平低于外部输入信号的最大电压电平，并且钳位信号的最小电压电平高于外部输入信号的最小电压电平，并且钳位信号的摆动电平等于内部输入信号的摆动电平。

4、根据本公开的一个方面，一种半导体器件包括：接收电路，连接到输入焊盘，并被配置为通过该输入焊盘接收外部输入信号，并通过减小外部输入信号的摆动电平和外部输入信号的最大电压电平来生成内部输入信号；以及核心电路，被配置为接收内部输入信号，并且接收电路和核心电路中包括的多个元件包括具有相同厚度的栅极绝缘层，并且输入到该多个元件中的每一个的最大电源电压小于外部输入信号的摆动电平的1/2。

5、根据本公开的一些实施方式的半导体器件可以从另一外部半导体器件接收以相对较高的电压电平摆动的外部输入信号，并且外部输入信号摆动的电压电平可以高于能够输入到半导体器件中包括的每个半导体元件的电源电压。根据本公开的一些实施方式的半导体器件可以通过对外部输入信号进行钳位并降低电压电平来生成在低电压范围内摆动的内部输入信号。因此，可以简化用于形成半导体器件中包括的半导体元件的工艺，并且可以降低半导体器件的功耗，并且可以提高集成度。

6、各种有用的优点和效果可以不限于上述效果，并且可以通过描述了本公开的具体实施方式的过程被更容易地理解。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电压钳位电路被配置为使得：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一电路元件与供应所述参考电压的参考节点电断开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一缓冲电路包括多个第二电路元件，所述电平下移位器电路包括多个第三电路元件，并且所述第二缓冲电路包括多个第四电路元件，并且

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一缓冲电路被配置为使得：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个第二电路元件与供应所述参考电压的参考节点电断开。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述电平下移位器电路被配置为使得：

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二缓冲电路被配置为使得：

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述钳位信号是在所述第一电源电压和高于所述第一电源电压的第二电源电压之间摆动的信号，并且

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述外部输入信号在所述参考电压和高于所述第二电源电压的第三电压之间摆动。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第二电源电压的电平是所述第一电源电压的电平的两倍高，并且

12.一种半导体器件，包括：

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述钳位信号的最小电压电平等于所述内部输入信号的最大电压电平。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述外部输入信号的摆幅大于所述内部输入信号的摆幅的两倍。

15.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：第一缓冲电路，被配置为缓冲所述钳位信号，并输出第一缓冲信号和具有与所述第一缓冲信号的相位相反的相位的第二缓冲信号，

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一缓冲电路包括被配置为接收所述钳位信号的第一反相器电路和被配置为输出所述第二缓冲信号的第二反相器电路，并且

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，输入到所述电压钳位电路和所述第一缓冲电路中的每一个的电源电压的相应数量小于输入到所述电平下移位器电路的电源电压的数量。

18.一种半导体器件，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述外部输入信号的摆幅是所述多个晶体管中的每一个被配置为接收的所述最大电源电压的三倍高。

20.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述接收电路和所述核心电路中包括的所述多个晶体管具有相同的尺度。

技术总结
一种半导体器件，包括：电压钳位电路，包括在接收到具有第一电平的电压时操作的多个第一元件，并且被配置为通过调节以第二电平摆动的外部输入信号的电压来输出以第一电平摆动的钳位信号，其中第二电平大于第一电平的两倍；第一缓冲电路，被配置为缓冲钳位信号；电平下移位器电路，被配置为降低钳位信号的电压，并输出在预定参考电压和高于参考电压的第一电源电压之间以第一电平摆动的内部输入信号；以及第二缓冲电路，被配置为缓冲内部输入信号，并将内部输入信号发送给核心电路。

技术研发人员：金彦局,全灿熙
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/22