垂直存储器件的制作方法

这里描述的本公开的实施方式涉及垂直存储器件。

背景技术：

1、如今，随着信息通信装置支持各种功能，可能需要大容量且高度集成的存储器件。随着为了高集成度而减小存储单元的尺寸，包括在存储器件中用于存储器件的操作和电连接的操作电路和/或布线(或互连)结构可能变得更加复杂。因此，可能需要提供优异的电特性同时提高存储器件的集成度的存储器件。特别地，在垂直于基板的方向上堆叠的字线的数量可以增加，并且正在开发用于垂直穿透字线并将字线与诸如传输晶体管的电路连接的布线接触结构。然而，随着字线的数量增加，可能由于字线的电压差引起的应力而出现器件缺陷。

技术实现思路

1、本公开的实施方式提供了一种存储器件，其减小了由于多条字线当中的被施加驱动信号的字线的电压差导致的应力，从而减少器件缺陷。

2、根据实施方式，一种存储器件可以包括：基板，包括单元区、单元布线区和通孔布线区；在单元区和单元布线区上的字线图案，字线图案堆叠在基板上并且在垂直方向上彼此间隔开，垂直方向垂直于基板的上表面，字线图案沿平行于基板的上表面的方向延伸到单元布线区；在单元区上的沟道结构，沟道结构沿垂直方向延伸；在单元布线区上的第一接触插塞，第一接触插塞沿垂直方向延伸，每个第一接触插塞与字线图案中的对应一个电连接，并且与除了字线图案中的所述对应一个以外的其余字线图案绝缘；以及在通孔布线区上的第二接触插塞，第二接触插塞沿垂直方向延伸。第二接触插塞中的至少一个可以与字线图案的一部分电连接。

3、根据实施方式，字线图案可以包括在基板的上表面上沿垂直方向堆叠的2n或2n+1个字线图案。第一字线图案可以是字线图案中最上面的一个，并且n可以是正整数。字线图案的与第二接触插塞中的所述至少一个电连接的所述一部分可以选自字线图案中的第一字线图案至从字线图案的上侧起的字线图案的第n字线图案。

4、根据实施方式，该存储器件可以包括与第一接触插塞和第二接触插塞连接的下晶体管。下晶体管可以包括与第一接触插塞连接的第一传输晶体管和与第二接触插塞中的至少一个连接的第二传输晶体管，第二接触插塞中的所述至少一个与字线图案的另一部分电连接。这里，第一传输晶体管可以提供在单元布线区中，第二传输晶体管可以提供在通孔布线区中。

5、根据实施方式，该存储器件可以包括彼此重叠并且彼此接合的第一半导体层和第二半导体层。第一半导体层可以包括多个第一半导体层，所述多个第一半导体层可以包括在第二半导体层上的第一下半导体层和在第一下半导体层上的第一上半导体层。

技术特征：

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述字线图案包括串选择线和字线。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中所述字线中的与所述第二接触插塞连接的所述其他字线在所述字线中的与所述第一接触插塞连接的所述一些字线上方。

8.根据权利要求6所述的存储器件，其中所述字线图案进一步包括以下至少之一：

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中

10.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括：

11.根据权利要求10所述的存储器件，其中

12.根据权利要求11所述的存储器件，进一步包括：

13.根据权利要求1所述的存储器件，进一步包括：

14.根据权利要求13所述的存储器件，其中

15.根据权利要求14所述的存储器件，其中

16.根据权利要求14所述的存储器件，其中所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管在所述单元布线区上。

17.根据权利要求14所述的存储器件，其中所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管在所述通孔布线区上。

18.一种存储器件，包括：

19.一种存储器件，包括：

20.根据权利要求19所述的存储器件，其中

技术总结
一种存储器件可以包括堆叠在基板上并且在垂直方向上彼此间隔开的字线图案、在垂直方向上延伸的沟道结构、以及在垂直方向上延伸的第一接触插塞和第二接触插塞。基板可以包括单元区、单元布线区和通孔布线区。字线图案可以在单元区和单元布线区上，并且可以在平行于基板的上表面的方向上延伸到单元布线区。第一接触插塞可以在单元布线区上，并且每个第一接触插塞可以与字线图案中的对应一个电连接，并且与除了字线图案中的所述对应一个以外的其余字线图案绝缘。第二接触插塞可以在通孔布线区上。

技术研发人员：郑在元,申东夏,任琫淳
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/22