一种铜箔复合导热衬垫及控制箱的制作方法

本技术属于电子器件封装领域，具体涉及一种铜箔复合导热衬垫及控制箱。

背景技术：

1、现有技术中为了应对电源等等电子器件发热问题，一般采用风冷散热，并且多数采用强制风冷散热，为了解决散热过程中电子屏蔽问题，往往采用波导窗作为通风口，虽然才一定程度上解决了电磁屏蔽和散热问题，但是无法解决防水和防潮问题，特别是军用电子产品，使用环境恶劣，对于防水、防潮和抗震要求高；为了解决防水和防潮问题，一般技术手段是采用密封性箱体作为电源壳体，然而现有技术中，由于装配问题和导热材料问题，使得密封性壳体难以满足散热需求。因此急需一种在满足散热的前提下具有良好的防水、防潮效果好的控制箱。

2、另外，对于高精度电子器件而言，电磁干扰不仅来自于控制箱外部，控制箱内部电子器件之间也会产生电磁干扰，然而现有技术中控制器或者电源盒仅仅考虑外部电磁干扰，对于内部电子器件之间电磁干扰很少考虑；一般来说控制箱都是由箱体和盖板组成，对于箱体内多种电子器件来说，设置具有电磁屏蔽能力的隔板将各个电子器件分隔开，就具有一定的电磁屏蔽能力，但是盖板和箱体组装固定只能在边缘设置螺栓或者螺钉，对于中部无法保证盖板和隔板之间紧密接触，也就是一般情况下都存在缝隙，这种缝隙会使得电磁屏蔽大打折扣，另外对于密封式而言，如何散热是一个大问题，因此急需一种既能填充缝隙又能散热的产品来满足对控制箱各个电子器件独立电磁屏蔽的要求。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种铜箔复合导热衬垫，使得衬垫同时具备导热、电磁屏蔽和填充缝隙的功能。

2、本实用新型的另目的在于提供一种控制箱，利用上述铜箔复合导热衬垫配合隔板实现对控制箱内电子器件分区隔离，达到同时具备散热和各自独立电磁屏蔽作用，使得控制箱具备良好的散热能力、防潮、防水和抗震性。

3、为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：

4、一方面，本实用新型提供一种铜箔复合导热衬垫，包括具有一定变形能力的弹性导热衬垫和设置在弹性导热衬垫表面的铜箔。

5、另一方面，本实用新型提供一种控制箱，包括：

6、箱体，采用电磁屏蔽材料制造，所述箱体为顶部开口的箱型结构，所述箱体内设有若干相互隔离的安装区，用于安装电子器件；

7、盖板，可拆卸的盖合在箱体顶部的开口上；

8、铜箔复合导热衬垫，设置于盖板和箱体顶部开口的边沿之间；

9、所述铜箔复合导热衬垫的铜箔靠近电子器件一侧设置，通过盖板和箱体之间的盖合使得，铜箔复合导热衬垫的铜箔一侧贴紧每个电子器件或者电子器件顶部的散热区。

10、与现有技术相比，本申请有益效果如下：

11、本申请采用全封闭结构，无论是防水、防潮还是抗震性均从技术原理上优于现有技术中风冷散热。本申请通过设置组合型的铜箔复合导热衬垫，解决了电子器件安装过程中与改变之间无法紧密贴合导致散热效率低下问题，使得本申请能够在不采用强制通风的情况下满足电子器件的散热能力要求，同时本发明通过铜箔复合导热衬垫变形能力将控制箱内每个安装区电磁屏蔽隔离，防止电子器件之间相互串磁，能够满足高精尖的电子产品要求。

技术特征：

1.一种控制箱，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的控制箱，其特征在于：所述弹性导热衬垫为导热硅胶垫。

3.根据权利要求2所述的控制箱，其特征在于：所述导热衬垫的厚度为0.5-3mm；铜箔厚度为35微米-500微米。

4.根据权利要求1所述的控制箱，其特征在于：所述箱体内设有若干竖直设置的隔板，通过隔板将箱体分割为若干独立的安装区。

5.根据权利要求4所述的控制箱，其特征在于：所述箱体内的隔板顶部和箱体四周边沿同高，箱体四周设有一圈高度低于顶部边沿的围板，形成连接部；从而在每个安装区形成顶部同高的密封边沿，在盖板和箱体盖合过程中，利用盖合力压紧使得每个安装区顶部被铜箔复合导热衬垫相对独立的密封。

6.根据权利要求5所述的控制箱，其特征在于：所述盖板上设有与密封边沿相对应的凹槽。

7.根据权利要求6所述的控制箱，其特征在于：所述箱体顶部四周的围板上设有若干固定孔，所述盖板上也设有对应的固定孔，通过紧固件将盖板和箱体底部可拆卸相连。

8.根据权利要求6所述的控制箱，其特征在于：所述盖板采用导热材料制成。

技术总结
本技术公开了一种铜箔复合导热衬垫及控制箱，铜箔复合导热衬垫包括弹性导热衬垫和设置在其表面的铜箔；控制箱包括箱体、盖板及设于两者之间的铜箔复合导热衬垫：箱体为采用电磁屏蔽材料制造的顶部开口的箱型结构，所述箱体内设有若干相互隔离的安装区，用于安装电子器件；盖板可拆卸的盖合在箱体顶部的开口上；铜箔复合导热衬垫的铜箔靠近电子器件一侧设置，通过盖板和箱体之间的盖合使得，铜箔复合导热衬垫的铜箔一侧贴紧每个电子器件或者电子器件顶部的散热区，从而将控制箱内各个电子器件相互之间进行电磁屏蔽，并且能将热量导出，提高了控制箱防水、防潮和抗震性，提高了对恶劣环境适应能力，尤其适用于军用电子产品。

技术研发人员：王美林,胡兴万,官蒙
受保护的技术使用者：武汉三澍精密科技有限公司
技术研发日：20230414
技术公布日：2024/1/15