一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统的制作方法

文档序号:36017377发布日期:2023-11-17 13:29阅读:17来源:国知局
一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统的制作方法

本技术涉及氚电池驱动,尤其涉及一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统。


背景技术:

1、mosfet代表金属氧化物半导体场效应晶体管,它用于切换或放大信号,它随施加电压量改变电导率的能力可用于放大或切换电子信号,通常与驱动系统联系在一起使用。

2、在半导体领域中,mosfet的种类很多,对于一些情况下我们需要驱动的mosfet的电压及电流很大,如一些碳化硅mosfet可以达到1200v、100a左右,这就需要我们采用更安全的方式来进行驱动。

3、现有技术中,一般的单片机与mosfet是直接电性连接的,这种常规的方式在mosfet驱动时一旦出现故障容易导致单片机直接烧坏。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,以解决上述背景技术中提出的一般的单片机与mosfet是直接电性连接的,这种常规的方式在mosfet驱动时一旦出现故障容易导致单片机直接烧坏的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,包括单片机,所述单片机的上方设置有mosfet,所述mosfet的上方设置有开关,所述mosfet的一侧设置有氚电池,所述氚电池的一侧设置有pvg,所述pvg的下方设置有led灯,所述led灯位于单片机的一侧。

3、优选的,所述pvg通过第一导线与氚电池电性连接。

4、优选的,所述氚电池通过第一控制电源线与mosfet电性连接。

5、优选的,所述pvg通过第二控制电源线与开关电性连接。

6、优选的,所述pvg通过第二导线与单片机电性连接。

7、优选的,所述pvg通过第三导线与led灯电性连接,需要说明的是led灯不同于平常的白炽灯,此处的led灯是一块电致发光的半导体材料芯片,用银胶或白胶进行固化安装,然后用银线或金线连接芯片和电路板,四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,最后安装外壳,能够很好的进行光感触动。

8、优选的,所述第二导线与第三导线通过pvg串联。

9、本实用新型的有益效果是:

10、本实用新型中,采用氚电池通过开关对mosfet进行驱动,氚电池可以达到高电压高电流的驱动要求,而单片机是与led灯进行电性连接,通过led灯与pvg之间的光感触动的形成连通,pvg与开关进行连接,单片机通过pvg来控制开关,以此控制氚电池对mosfet的驱动。这种方式的好处是mosfet电流回流会阻断在pvg的位置,无法通过光感进行回流,不会对单片机造成损害。

11、本实用新型中,通过氚电池的设置,需要说明的是氚电池耐用性比普遍使用的电池强,它的温度承受范围为零下五十摄氏度到零上一百五十摄氏度左右,另外,它的抗压抗震能力也非常不错,这种电池的最大的优点是寿命长,可长达二十年之久,远远超过了普通电池的平均寿命,能够提高整个驱动系统的续航能力。



技术特征:

1.一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,包括单片机(1),其特征在于:所述单片机(1)的上方设置有mosfet(5),所述mosfet(5)的上方设置有开关(3),所述mosfet(5)的一侧设置有氚电池(4),所述氚电池(4)的一侧设置有pvg(2),所述pvg(2)的下方设置有led灯(6),所述led灯(6)位于单片机(1)的一侧。

2.根据权利要求1所述的一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,其特征在于:所述pvg(2)通过第一导线(201)与氚电池(4)电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,其特征在于:所述氚电池(4)通过第一控制电源线(401)与mosfet(5)电性连接。

4.根据权利要求1所述的一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,其特征在于:所述pvg(2)通过第二控制电源线(501)与开关(3)电性连接。

5.根据权利要求1所述的一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,其特征在于:所述pvg(2)通过第二导线(202)与单片机(1)电性连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,其特征在于:所述pvg(2)通过第三导线(203)与led灯(6)电性连接。

7.根据权利要求6所述的一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,其特征在于:所述第二导线(202)与第三导线(203)通过pvg(2)串联。


技术总结
本技术公开了一种基于光隔离的氚电池mosfet驱动系统,涉及到氚电池驱动技术领域,包括单片机,单片机的上方设置有mosfet,mosfet的上方设置有开关,mosfet的一侧设置有氚电池,氚电池的一侧设置有PVG,PVG的下方设置有LED灯,LED灯位于单片机的一侧。本技术采用氚电池通过开关对mosfet进行驱动,氚电池可以达到高电压高电流的驱动要求,而单片机是与LED灯进行电性连接,通过LED灯与PVG之间的光感触动的形成连通,PVG与开关进行连接,单片机通过PVG来控制开关,以此控制氚电池对mosfet的驱动。这种方式的好处是mosfet电流回流会阻断在PVG的位置,无法通过光感进行回流,不会对单片机造成损害。

技术研发人员:陈仁南,陈军楠
受保护的技术使用者:惠州市广大碳基半导体有限公司
技术研发日:20230424
技术公布日:2024/1/15
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