显示装置的制作方法

实施方式涉及一种显示装置以及显示装置的制造方法。

背景技术：

1、诸如液晶显示器(lcd)和有机发光二极管(oled)显示器的显示装置包括显示面板，该显示面板包括用于显示图像的多个像素。每个像素包括用于接收数据信号的像素电极，并且像素电极连接到至少一个晶体管以接收数据信号。

2、为了制造显示装置，将各种类型材料的层堆叠在衬底上，并且根据诸如光刻工艺的方法(包括通过使用光学掩模的曝光方法)来图案化所述层，从而可以形成诸如晶体管和导体的各种电学器件。

3、在此背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本公开的背景技术的理解，并且因此其可以包含不形成本国家中本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、实施方式提供一种显示装置及显示装置的制造方法，其能够通过减少用于制造工艺的掩模的数量以及通过控制显示装置的晶体管的沟道区域的载流子浓度来降低制造成本和时间，并且能够通过减少导电层之间的接触电阻来减少发光器件的特性的劣化。

2、然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的那些实施方式。通过参考以下给出的本公开的详细描述，以上和其它实施方式将对本公开所属领域的普通技术人员更加显而易见。

3、在实施方式中，显示装置可以包括：衬底；导电图案层，设置在衬底上；缓冲层，设置在导电图案层上；有源图案层，设置在缓冲层上，并且包括沟道区域和与沟道区域相邻的导电区域；绝缘图案层，设置在沟道区域上；氧化物图案层，设置在绝缘图案层上；栅电极，设置在氧化物图案层上；以及连接构件，电连接到导电图案层和导电区域，其中，连接构件和氧化物图案层可以包括相同的材料。

4、氧化物图案层和连接构件可以包括氧化物半导体。

5、连接构件的载流子浓度可以高于氧化物图案层的载流子浓度。

6、显示装置还可以包括：第一绝缘层，设置在连接构件和缓冲层之间，其中，第一绝缘层和绝缘图案层可以包括相同的绝缘材料。

7、第一绝缘层和缓冲层可以具有暴露导电图案层的第一开口，导电区域可以包括与沟道区域的第一侧相邻的第一导电区域，以及连接构件可以包括第一连接构件，所述第一连接构件通过第一开口电连接到导电图案层，并且电连接到第一导电区域。

8、显示装置还可以包括设置在栅电极和连接构件上的第二绝缘层，其中，第二绝缘层可以接触栅电极的上表面和连接构件的上表面。

9、显示装置还可以包括：第三绝缘层，设置在第二绝缘层上；以及像素电极，设置在第三绝缘层上，其中，第二绝缘层和第三绝缘层可以具有暴露第一连接构件的第二开口，以及像素电极可以通过第二开口电连接到第一连接构件。

10、显示装置还可以包括驱动电压线。驱动电压线和导电图案层可以包括相同的导电材料。第一绝缘层和缓冲层还可以具有暴露驱动电压线的第三开口，导电区域还可以包括与沟道区域的第二侧相邻的第二导电区域，以及连接构件还可以包括第二连接构件，所述第二连接构件通过第三开口电连接到驱动电压线，并且电连接到第二导电区域。

11、栅电极的边缘部分、氧化物图案层的边缘部分和绝缘图案层的边缘部分可以彼此对准。

12、绝缘图案层的边缘部分可以与沟道区域和导电区域之间的边界区域对准。

13、在实施方式中，显示装置可以包括：衬底；第一导电层，包括设置在衬底上的导电图案层；缓冲层，设置在第一导电层上；有源图案层，设置在缓冲层上，并且包括沟道区域和与沟道区域相邻的导电区域；第一绝缘层，包括设置在沟道区域上的绝缘图案层；氧化物图案层，设置在绝缘图案层上；连接构件，设置在第一绝缘层上；以及栅电极，设置在氧化物图案层上，其中，连接构件可以电连接到导电图案层和导电区域，以及连接构件和氧化物图案层可以包括相同的材料。

14、连接构件的载流子浓度可以高于氧化物图案层的载流子浓度。

15、第一绝缘层和缓冲层可以具有暴露导电图案层的第一开口，导电区域可以包括与沟道区域的第一侧相邻的第一导电区域，以及连接构件可以包括第一连接构件，所述第一连接构件通过第一开口电连接到导电图案层，并且电连接到第一导电区域。

16、显示装置还可以包括设置在栅电极和连接构件上的第二绝缘层，其中，第二绝缘层可以接触栅电极的上表面和连接构件的上表面。

17、显示装置还可以包括：第三绝缘层，设置在第二绝缘层上；以及像素电极，设置在第三绝缘层上，其中，第二绝缘层和第三绝缘层可以具有暴露第一连接构件的第二开口，以及像素电极可以通过第二开口电连接到第一连接构件。

18、在第二绝缘层和第三绝缘层之间可以不设置导电层。

19、第一导电层还可以包括驱动电压线。驱动电压线和导电图案层可以包括相同的导电材料，并且第一绝缘层和缓冲层还可以具有暴露驱动电压线的第三开口，导电区域还可以包括与沟道区域的第二侧相邻的第二导电区域，以及连接构件还可以包括第二连接构件，所述第二连接构件通过第三开口电连接到驱动电压线，并且电连接到第二导电区域。

20、在实施方式中，用于制造显示装置的方法可以包括：在衬底上形成包括导电图案层的第一导电层；在第一导电层上形成缓冲层；在缓冲层上形成半导体层；在半导体层上形成第一绝缘层；通过图案化第一绝缘层和缓冲层，形成暴露第一导电层的一部分的第一开口和暴露半导体层的一部分的第二开口；在第一绝缘层上形成氧化物层；在氧化物层上形成第二导电层；通过图案化第二导电层和氧化物层，形成氧化物图案层和设置在氧化物图案层上的栅电极；通过在不去除栅电极的情况下去除第二导电层，在不暴露氧化物图案层的上表面的情况下暴露氧化物层的上表面；通过图案化第一绝缘层，形成设置在氧化物图案层下方的绝缘图案层；以及使暴露的氧化物层导电以形成导电氧化物层。

21、可以通过第一开口将导电氧化物层电连接到第一导电层的一部分。

22、所述方法还可以包括：在形成氧化物层之后对氧化物层进行热处理。

23、根据实施方式，控制显示装置的晶体管的沟道区域的载流子浓度，并且减少用于制造工艺的掩模的数量，从而可以降低制造成本和时间。导电层之间的接触电阻被减小，从而可以减小发光器件的特性的劣化。

技术特征：

1.显示装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，还包括：

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，

9.显示装置，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，

技术总结
本申请涉及一种显示装置。显示装置包括：衬底；导电图案层，设置在衬底上；缓冲层，设置在导电图案层上；有源图案层，设置在缓冲层上，并且包括沟道区域和与沟道区域相邻的导电区域；绝缘图案层，设置在沟道区域上；氧化物图案层，设置在绝缘图案层上；栅电极，设置在氧化物图案层上；以及连接构件，电连接到导电图案层和导电区域。连接构件和氧化物图案层包括相同的材料。

技术研发人员：朴晙晳,琴钟都,金亨度,南润龙,朴喆远,韩基林
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：20230726
技术公布日：2024/3/24