显示设备的制作方法

本公开的实施例涉及一种显示设备和一种制造显示设备的方法，并且例如涉及可以改善由阴极电极上产生的表面等离子体激元(surface plasmon)引起的光效率下降的显示设备和制造显示设备的方法。

背景技术：

1、在显示设备中利用的有机发光装置(oled)可以是显示装置，在显示装置中从阳极供应的空穴和从阴极供应的电子在阳极和阴极之间形成的有机发射层中结合，以发射光来形成图像。

2、由于oled的诸如宽视角、高响应速度、小厚度、低制造成本和高对比度的优秀的或合适的显示特性，oled被广泛利用。

3、在显示设备中利用的oled可以分类为底部发射结构和顶部发射结构。在顶部发射结构中，从有机发射层产生的光穿过阴极电极发射到外部。在这方面，oled具有由于在阴极电极的表面上产生的等离子体激元而导致光效率降低的问题。

技术实现思路

1、实施例的各方面是针对可以改善由阴极电极上产生的表面等离子体激元引起的光效率下降的显示设备和制造显示设备的方法。然而，该实施例只是示例，并且本公开的范围不限于此。

2、额外方面将在接下来的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开的呈现的实施例了解。

3、根据一个或多个实施例，一种显示设备可以包括：基底；多个像素电极，在所述基底上方；发射层，在所述多个像素电极中的每一个上方；相对电极，在所述发射层上方以与所述多个像素电极相对应，其中，所述相对电极是单体；第一钝化层，在所述相对电极上并且具有小于从所述发射层产生的可见光的波长的大小的厚度；以及导电层，在所述第一钝化层上，并且包括具有预设形状的通孔图案。

4、根据一个或多个实施例，所述第一钝化层的所述厚度可以在大约10nm(例如，10nm或更大)至大约300nm的范围内。

5、根据一个或多个实施例，所述第一钝化层可以包括第一子层，所述第一子层在所述相对电极上并且包括第一氧化物。

6、根据一个或多个实施例，所述第一子层可以包括在所述相对电极上的单原子层。

7、根据一个或多个实施例，所述第一钝化层还可以包括第二子层，所述第二子层在所述第一子层上并且包括第二氧化物。

8、根据一个或多个实施例，所述第一氧化物可以与所述第二氧化物不同。

9、根据一个或多个实施例，所述第一氧化物可以是氧化钛和氧化铝中的一种，并且所述第二氧化物可以是氧化钛和氧化铝中的另一种。

10、根据一个或多个实施例，所述导电层可以包括具有负介电函数的金属材料。

11、根据一个或多个实施例，所述金属材料可以包括au、ag、al、cu和ni中的至少一种。

12、根据一个或多个实施例，所述显示设备还可以包括填充所述通孔图案的介电材料。

13、根据一个或多个实施例，所述导电层的厚度可以在大约10nm或更大且大约50nm或更小的范围内。

14、根据一个或多个实施例，所述显示设备还可以包括第二钝化层，所述第二钝化层在所述导电层上，覆盖所述导电层，并且具有比所述第一钝化层的水蒸气透过率(wvtr)小的wvtr。

15、根据一个或多个实施例，所述第一钝化层可以通过原子层沉积(ald)形成。

16、根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法可以包括在基底上方形成多个像素电极，在所述多个像素电极上方形成发射层，在所述发射层上方形成相对电极，通过利用原子层沉积(ald)在所述相对电极上形成具有小于从所述发射层产生的可见光的波长的大小的厚度的第一钝化层，在所述第一钝化层上形成导电层，并且在所述导电层中形成具有预设形状的通孔图案。

17、根据一个或多个实施例，所述第一钝化层的所述厚度可以在大约10nm(例如，10nm或更大)至大约300nm(例如，300nm或更小)的范围内。

18、根据一个或多个实施例，所述第一钝化层的所述形成可以包括在所述相对电极上形成包括第一氧化物的第一子层。

19、根据一个或多个实施例，所述第一钝化层的所述形成还可以包括在所述第一子层上形成包括第二氧化物的第二子层。

20、根据一个或多个实施例，所述导电层可以包括具有负介电函数的金属材料。

21、根据一个或多个实施例，所述金属材料可以包括au、ag、al、cu和ni中的至少一种。

22、根据一个或多个实施例，制造所述显示设备的所述方法还可以包括用介电材料填充呈预设形状的所述通孔图案。

技术特征：

1.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：

2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一钝化层的所述厚度在10nm至300nm的范围内。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述第一钝化层包括第一子层，所述第一子层在所述相对电极上并且包括第一氧化物。

4.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述第一子层包括在所述相对电极上的单原子层。

5.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，所述第一钝化层还包括第二子层，所述第二子层在所述第一子层上并且包括第二氧化物。

6.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述导电层包括具有负介电函数的金属材料。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括填充所述通孔图案的介电材料。

8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述导电层的厚度在10nm至50nm的范围内。

9.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括第二钝化层，所述第二钝化层在所述导电层上，覆盖所述导电层，并且具有比所述第一钝化层的水蒸气透过率小的水蒸气透过率。

技术总结
提供了一种显示设备，所述显示设备可以改善由阴极电极上产生的表面等离子体激元引起的光效率下降。所述显示设备可以包括：基底；多个像素电极，在所述基底上；发射层，在所述多个像素电极中的每一个上方；相对电极，在所述发射层上方以与所述多个像素电极相对应，其中，所述相对电极是单体；第一钝化层，在所述相对电极上并且具有小于从所述发射层产生的可见光的波长的大小的厚度；以及导电层，在所述第一钝化层上，并且包括具有预设形状的通孔图案。

技术研发人员：金昤究,金晟汉,徐德钟,徐奉成,李承熹,全栢均
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：20230824
技术公布日：2024/5/10