一种高散热单晶炉电控柜的制作方法

本技术涉及电控柜领域，具体涉及一种高散热单晶炉电控柜。

背景技术：

1、单晶硅为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅生长技术有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，单晶炉生产过程中通过电控柜控制。

2、中国专利公开了一种单晶炉全自动电控柜(授权公告号cn 214937963u)，该专利技术能够解决目前市面上单晶炉的结构较为简单，无法准确的把握单晶硅的生产状态，生产效率低下，控制方式分散且单一，无法集中控制管理，安全性能低，导致产品制造形状不一，生产合格率低等问题。

3、现有的电控柜与操作台之间的连接线容易受外界拉力发生脱落，同时连接线路长时间工作连接处容易发烫导致线路烧毁，并且难以被察觉。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种高散热单晶炉电控柜，包括有底台和电控箱本体，所述底台上端面安装有操作台，操作台右方布置有电控箱本体，操作台右侧端面开设有多个线孔，操作台右侧端面安装有调节气缸，调节气缸输出端安装有连接板，连接板底部安装有多个上环套，上环套下端面通过卡接的方式安装有下环套，上环套与下环套内侧端布置有线孔，上环套与下环套内侧壁均安装有多个第一温度传感器，上环套与下环套组成环形结构从而对连接线进行限位固定，防止其发生松动脱落。

2、优选地：所述连接板右侧端面自前而后安装有多个报警器，报警器与第一温度传感器电性连接，当对应的连接线温度过高时，控制对应的报警器报警，便于工作人员精确找到高温的连接线路。

3、优选地：所述电控箱本体内底部安装有设备本体，电控箱本体内顶部安装有控制风机。

4、优选地：所述控制风机下方布置有限位架，限位架内侧端安装有第二温度传感器，第二温度传感器与控制风机电性连接，第二温度传感器对设备本体温度进行感应，从而带动控制风机对设备本体进行降温处理。

5、优选地：所述报警器右方自前而后开设有多个环形槽，环形槽上端面安装有限位扣，将连接线布置在环形槽内，限位扣对其进行限位固定，避免连接线之间发生缠绕打结。

6、优选地：所述操作台包括有控制面板，控制面板与电控箱本体电性连接，控制面板内编写有plc控制程序，从而控制各个装置的运行。

7、本实用新型的技术效果和优点：

8、1、本实用新型中采用上环套和下环套结构，上环套与下环套组成环形结构从而对连接线进行限位固定，防止其发生松动脱落。

9、2、本实用新型中采用环形槽和限位扣结构，将连接线布置在环形槽内，限位扣对其进行限位固定，避免连接线之间发生缠绕打结。

技术特征：

1.一种高散热单晶炉电控柜，包括有底台(1)和电控箱本体(2)，其特征在于，所述底台(1)上端面安装有操作台(11)，操作台(11)右方布置有电控箱本体(2)，操作台(11)右侧端面开设有多个线孔，操作台(11)右侧端面安装有调节气缸(12)，调节气缸(12)输出端安装有连接板(13)，连接板(13)底部安装有多个上环套(14)，上环套(14)下端面通过卡接的方式安装有下环套(15)，上环套(14)与下环套(15)内侧端布置有线孔，上环套(14)与下环套(15)内侧壁均安装有多个第一温度传感器(16)。

2.根据权利要求1所述的一种高散热单晶炉电控柜，其特征在于，所述连接板(13)右侧端面自前而后安装有多个报警器(17)，报警器(17)与第一温度传感器(16)电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种高散热单晶炉电控柜，其特征在于，所述电控箱本体(2)内底部安装有设备本体(18)，电控箱本体(2)内顶部安装有控制风机(19)。

4.根据权利要求3所述的一种高散热单晶炉电控柜，其特征在于，所述控制风机(19)下方布置有限位架(21)，限位架(21)内侧端安装有第二温度传感器(22)，第二温度传感器(22)与控制风机(19)电性连接。

5.根据权利要求2所述的一种高散热单晶炉电控柜，其特征在于，所述报警器(17)右方自前而后开设有多个环形槽(23)，环形槽(23)上端面安装有限位扣(24)。

6.根据权利要求1所述的一种高散热单晶炉电控柜，其特征在于，所述操作台(11)包括有控制面板(25)，控制面板(25)与电控箱本体(2)电性连接。

技术总结
本技术涉及电控柜领域，具体涉及一种高散热单晶炉电控柜，包括有底台和电控箱本体，所述底台上端面安装有操作台，操作台右方布置有电控箱本体，操作台右侧端面开设有多个线孔，操作台右侧端面安装有调节气缸，调节气缸输出端安装有连接板，连接板底部安装有多个上环套，上环套下端面通过卡接的方式安装有下环套，上环套与下环套内侧端布置有线孔，上环套与下环套内侧壁均安装有多个第一温度传感器，本技术中采用上环套和下环套结构，上环套与下环套组成环形结构从而对连接线进行限位固定，防止其发生松动脱落。

技术研发人员：严才根,廖加彬,李忠泽,程水宫,丁双富
受保护的技术使用者：杭州顶星电子有限公司
技术研发日：20230918
技术公布日：2024/4/29