1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，还包括：
4.根据权利要求3所述的存储器装置，还包括：
5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述第一第一字线的所述第一部分平行于所述第一第二字线的第一部分。
6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，每个第一字线的所述第一部分横向地延伸远离所述存储阵列的所述第一侧并且朝向所述存储阵列的所述第二侧横向地延伸。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，每个第二字线的所述第一部分横向地延伸远离所述存储阵列的所述第二侧并且朝向所述存储阵列的所述第一侧横向地延伸。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，还包括：
10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，每个第一字线的所述第三部分延伸远离所述存储阵列的所述第一侧并且朝向所述存储阵列的所述第二侧延伸，并且每个第二字线的所述第三部分延伸远离所述存储阵列的所述第二侧并且朝向所述存储阵列的所述第一侧延伸。
11.一种存储器装置，包括：
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，
13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述第一字线和所述第二字线设置成使得：
14.根据权利要求13所述的存储器装置，还包括：
15.根据权利要求13所述的存储器装置，还包括：
16.一种半导体装置，包括：
17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线设置成使得所述第一字线的所述第一部分与所述第二字线的所述第一部分相邻，并且也与所述第三字线相邻。
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，所述第一字线的所述第三部分和所述第二字线的所述第一部分与所述存储阵列的所述第三侧相距相同的距离。
19.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线设置成使得所述第二字线的所述第一部分与所述第一字线的所述第一部分相邻，并且也与所述第三字线的所述第一部分相邻。
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，所述第二字线的所述第三部分和所述第一字线的所述第一部分与所述存储阵列的所述第三侧相距相同的距离。
21.一种形成半导体结构的方法，包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中，形成所述间隙包括：去除所述半导体衬底的设置在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的部分。
23.根据权利要求21所述的方法，还包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第一组的所述多个字线的所述第二部分平行于所述第二组的所述多个字线的所述第二部分。
25.根据权利要求23所述的方法，其中，所述第一组的所述多个字线和所述第二组的所述多个字线彼此交替设置。
26.根据权利要求22所述的方法，还包括：
27.根据权利要求23所述的方法，其中，所述导电材料包括至少一种金属。
28.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第一沟槽包括第一沟槽底部，所述第二沟槽包括第二沟槽底部，并且所述方法还包括：
29.根据权利要求22所述的方法，还包括：
30.根据权利要求29所述的方法，其中，所述至少一种电介质材料包括至少硅的氧化物。
31.一种形成半导体结构的方法，包括：
32.根据权利要求31所述的方法，其中，所述第二电介质层和所述第三电介质层两者包括第一电介质材料。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述第一电介质材料包括硅的氧化物。
34.根据权利要求31所述的方法，还包括：
35.根据权利要求34所述的方法，还包括：
36.一种形成用于存储阵列的字线的方法，包括：
37.根据权利要求36所述的方法，其中，设置在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的半导体结构形成所述第一沟槽的所述第二沟槽侧壁，并且形成所述第二沟槽的所述第一沟槽侧壁。
38.根据权利要求37所述的方法，还包括：
39.根据权利要求38所述的方法，还包括：
40.根据权利要求39所述的方法，还包括：