本申请涉及集成电路，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。
背景技术：
1、随着半导体技术的不断发展，横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double-diffuse mos，ldmos)器件的应用也日益广泛，同时对横向扩散金属氧化物半导体器件的性能提出了更高的要求。fom值是衡量器件性能的关键指标，fom值越小，器件性能越好。其中，fom=cgd*rsp，由ldmos的cgd电容以及rsp导通电阻决定。如何降低fom值成为设计人员所努力的方向。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：
3、衬底，所述衬底内设有漂移区、体区、源区和漏区；所述体区和所述漏区沿第一方向间隔地排布于所述漂移区内，所述源区设于所述体区内；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向；
4、栅极，设于所述衬底上，所述栅极在所述衬底上的正投影位于所述源区和所述漏区之间，且覆盖部分所述体区；所述栅极包括层叠的栅介质层和栅导电层，所述栅导电层上设有间隔排布的多个通孔，所述通孔沿所述衬底的厚度方向贯穿所述栅导电层；
5、多个分裂栅，对应地设置于所述多个通孔内；所述分裂栅与所述栅导电层绝缘设置；
6、其中，所述源区、所述分裂栅均与第一电位电连接。
7、在其中一个实施例中，所述多个通孔沿第二方向间隔排布；
8、所述第二方向和所述第一方向相交，且所述第二方向垂直于所述衬底的厚度方向。
9、在其中一个实施例中，所述多个通孔沿所述第一方向间隔排布。
10、在其中一个实施例中，所述多个通孔沿所述第一方向排布成行，沿与所述第一方向相交的第二方向排布成列；所述第二方向垂直于所述衬底的厚度方向。
11、在其中一个实施例中，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括场介质层，所述场介质层设于所述衬底靠近所述栅极的一侧，一部分所述栅导电层设于所述栅介质层远离所述衬底的一侧，另一部分所述栅导电层设于所述场介质层远离所述衬底的一侧。
12、在其中一个实施例中，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括金属场板，所述金属场板设于所述场介质层远离所述衬底的一侧，且位于所述栅导电层靠近所述漏区的一侧；
13、其中，所述金属场板与所述第一电位电连接，且与所述栅导电层绝缘设置。
14、在其中一个实施例中，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括第一介质层，至少部分所述第一介质层设于所述金属场板和所述场介质层之间。
15、在其中一个实施例中，所述第一介质层的介电常数大于所述场介质层的介电常数。
16、在其中一个实施例中，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括：
17、体引出区，设于所述体区内；
18、第一电连接结构，设于所述衬底靠近所述栅极的一侧，且与所述源区、体引出区、分裂栅和金属场板电连接；所述第一电连接结构用于接入第一电位；
19、第二电连接结构，设于所述衬底靠近所述栅极的一侧，且与所述漏区电连接，所述第二电连接结构用于接入第二电位；
20、第三电连接结构，设于所述衬底靠近所述栅极的一侧，且与所述栅导电层电连接，所述第三电连接结构用于接入第三电位。
21、在其中一个实施例中，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括第二介质层，所述第二介质层设于所述栅导电层和所述分裂栅之间。
22、本申请实施例提供的横向扩散金属氧化物半导体器件，通过在栅导电层上设有多个通孔，以及在该多个通孔内对应设置多个分裂栅，并使源区和分裂栅均与第一电位电连接。如此，一方面，分裂栅不仅可以屏蔽漏区与栅极之间的栅漏电容cgd，而且将栅漏电容cgd转化为源漏电容csd电容，从而大幅降低了栅漏电容cgd；另一方面，通过将栅导电层设置为多孔结构，有助于使栅极的覆盖面积较大，从而削弱分裂栅对导通电阻的不利影响，进而有利于降低器件的fom值，提升了器件性能。
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述多个通孔沿第二方向间隔排布；
3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述多个通孔沿所述第一方向间隔排布。
4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述多个通孔沿所述第一方向排布成行，沿与所述第一方向相交的第二方向排布成列；所述第二方向垂直于所述衬底的厚度方向。
5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括场介质层，所述场介质层设于所述衬底靠近所述栅极的一侧，一部分所述栅导电层设于所述栅介质层远离所述衬底的一侧，另一部分所述栅导电层设于所述场介质层远离所述衬底的一侧。
6.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括金属场板，所述金属场板设于所述场介质层远离所述衬底的一侧，且位于所述栅导电层靠近所述漏区的一侧；
7.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括第一介质层，至少部分所述第一介质层设于所述金属场板和所述场介质层之间。
8.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述第一介质层的介电常数大于所述场介质层的介电常数。
9.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括：
10.根据权利要求1-9任一项所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括第二介质层，所述第二介质层设于所述栅导电层和所述分裂栅之间。