专利名称：声表面波器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及包括多个互连SAW滤波器的声表面波器件，本发明尤其涉及一种声表面波器件，把这种器件中做成具有两个或更多个通带的滤波器，特别适合用于例如移动通信装置或类似的装置中。
近年来，要求移动通信装置是多功能。因此已经开发了具有两个或更多个通信系统的多波段蜂窝电话。为了提供具有多个通信系统的蜂窝电话，需要有两个或更多个通带的带通滤波器。但是较难提供一种单个的电子部件，这种单个的电子部件提供一种具有多个通信系统、同时能达到插入损耗较小而带宽足够宽的滤波器。
由于这个原因，曾经尝试构造出单个滤波器部件，这种部件通过组合多个带通滤波器而具有两个或更多通带。
例如，第7-66679号日本专利公开公报中揭示了通过组合多个带通滤波器制成的双工器。
图1概略地示出该双工器1的结构。
如图1中所示，具有在较高频率区域的第一带通滤波器2和具有在较低频率区域的第二带通滤波器3分别连接到输入端IN1和IN2。第一和第二带通滤波器2和3的输出端连接在连接点4处。至少第二带通滤波器3包含SAW滤波器。
至少一个单口SAW谐振器5串联地连接到第二带通滤波器3。单口SAW谐振器5的反谐振频率位于第一带通滤波器2的通带之中或在第一和第二带通滤波器2和3的通带之间。另外，用于达到阻抗匹配的传输线6串联地连接到第一带通滤波器2。通过使用单口SAW谐振器5，增加了在较低频率区域具有通带的第二带通滤波器3在高频侧的衰减。通过这样的安排，可以简化在第二带通滤波器3一侧用于阻抗匹配的外部电路。
虽然双工器1构造为单个部件，梯形滤波器的总尺寸由于需要较大空间来形成具有足够电长度的传输线而太大。还有，在提供双工器1以具有封装结构，用于SAW器件的情况下，传输线6的宽度必须做得很细。结果，可能由于传输线6的较大的长度而引起的电阻损耗导致插入损耗恶化。另外，部件封装的面积或高度过大，这导致成本增加，并阻止了包含这种部件的电子器件的小型化。
图2示出传统的具有两个或更多通带的滤波器器件的另一例。1997 IEIC(电子、信息和通信工程师协会)大会的论文集(A-11-19,p294)中揭示的SAW器件11包含具有在较高频率区域的通带的第一SAW滤波器12和具有在较低频率区域的通带的第二SAW滤波器。第一和第二SAW滤波器12和13在输出侧的连接点14处连接。还提供了输入端IN1、IN2以及输出端OUT。因此，第一和第二SAW滤波器12和13并联地连接在输出端侧连接点14和输入端IN1、IN2之间。单口SAW谐振器15和16分别串联在第一和第二SAW滤波器12和13与连接点14之间。电容器17串联在单口谐振器15和连接点14之间。
提供位于第一SAW滤波器12输出端侧的单口SAW谐振器15和电容器17，以增加另一个滤波器(即，第二SAW滤波器)的阻抗。这防止了第一和第二SAW滤波器12、13的插入损失的恶化，并增加第一SAW滤波器12通带的高频侧的衰减量。
虽然第一和第二SAW滤波器12和13、单口SAW谐振器15和16及电容器17设置在单个压电基片上，但电容器17在单个压电基片上需要较大面积，以获得足够静电电容用于达到上述效果。另外，必须如此构成电容器17，从而它不会影响同一压电基片上的其它的SAW滤波器13，这导致SAW滤波器、谐振器等等的复杂安排。结果，虽然在图2的器件中不必象图1中为了阻抗匹配而使用传输线，但减小图2声表面波器件的芯片尺寸的能力有限。
还有，当减小电容器17的电容以减小第二SAW滤波器13的插入损耗时，通带中的VSWR(电压驻波比)恶化。
还有，当频率比过高(如在800MHz和1.5GHz的组合的情形中)时，具有较低频率的SAW滤波器在另一个具有较高频率的滤波器的通带中具有较小的阻抗，因而也比具有较高频率的那个SAW滤波器具有更小的反射系数，从而难以设置足够高的阻抗。另外，上述电容器17的性能具有不令人满意的频率特性，因此，如果像在上述情况下那样频率比较高时，难以通过使用电容器17来得到适当的频率特性。
为了克服以前未认识到的上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种声表面波器件，具有显著减小的尺寸、显著减小的插入损耗和显著减小的特性恶化，诸如包含于声表面波器件中的滤波器通带中的VSWR。
根据本发明的较佳实施例的声表面波具有一结构，该结构中第一和第二声表面波(SAW)滤波器相应于输入终端或输出终端并联地连接在连接点处。声表面波器件包括在第二SAW滤波器的通带中具有电容阻抗，并且通带高于第二SAW滤波器的通带第一SAW滤波器，和在第一SAW滤波器通带中具有电容性阻抗的第二SAW滤波器。第二SAW滤波器的通带低于第一SAW滤波器的通带，并且第二SAW滤波器并联地连接在第一SAW滤波器的输入端或输出端侧的连接点处。第一SAW滤波器在通带中(在并联的连接端处)的阻抗在并联连接前相对于声表面波器件的特性阻抗Z0具有大约1.2Z0或更高的电阻分量，并且比第二SAW滤波器在通带中在并联连接端的阻抗更高。
上述第一和第二SAW滤波器中的每一个SAW滤波器可以是具有至少两个叉指式换能器的纵向耦合谐振器滤波器。声表面波器件还可以包括至少一个第一单口SAW谐振器，它串联在第一SAW滤波器和连接点之间，并如此安排，从而其反谐振频率在第一SAW滤波器通带的外面，以及至少一个第二单口SAW谐振器，它串联在第二SAW滤波器和连接点之间，并如此安排，从而其反谐振频率在第二SAW滤波器通带的外面。
第一和/或第二单口SAW谐振器可以构成多个串联的级，而且多级中的至少一个单口SAW谐振器的叉指式换能器的波长不同于多级中其它单口SAW谐振器的叉指式换能器的波长。
第一和第二SAW滤波器和第一和第二单口SAW谐振器最好安排在一个压电基片上，以进一步减小尺寸。
根据本发明的较佳实施例，在第一和第二SAW滤波器之间的连接点处可以容易地达到使用外部阻抗元件(诸如电感元件)的阻抗匹配。
另外，在第一SAW滤波器中，在并联连接时加上第二SAW滤波器的电导分量。增加电导不容易，从而通过并联或串联连接一个电感可以容易地达到适当的阻抗匹配。
但在上述相关技术(示于图2)中使用单口SAW谐振器和电容器的上述安排包含了由一个电容器结构部分增加了压电基片的尺寸这样一个问题，本发明的较佳实施例的安排能防止通带中VSWR中的恶化，并且便于阻抗匹配，而不需增加压电基片的尺寸。
另外，第一和第二单口SAW谐振器串联在第一和第二SAW滤波器和并联连接点之间的安排使位于第二SAW滤波器通带中的第一SAW滤波器的阻抗增加，因此限制了第二SAW滤波器性能的恶化。
在第一和/或第二单口SAW谐振器构成多级的情况下，在多级中至少一个单口SAW谐振器的频率不同于多级中其它单口SAW谐振器的频率，因此可以限制另一侧SAW滤波器的通带中的波动，以在较宽频率范围内改善衰减量。
另外，第一和第二SAW滤波器和第一和第二单口SAW谐振器被安排在一个压电基片上。这使得容易同时地形成多个梳形电极。按照这种方法，本发明的较佳实施例的声表面波器件不需复杂的制造程序就可以构成，而且可以进一步减小尺寸和成本。
为了说明本发明，附图中示出几个较佳实施例和目前较佳的形式，但应该知道，本发明不限于所示的精确的安排和手段。
图1是用于解释通过连接两个具有不同通带的带通滤波器而形成的传统的声表面波器件的电路图。
图2是通过连接两个具有不同的通带的带通滤波器而形成的另一个传统的声表面波器件的电路图。
图3是根据本发明的较佳实施例的声表面波器件的电路图。
图4是用于解释图3中所示的声表面波器件结构的一例的示意平面图。
图5是用于解释将图4所示的声表面波器件设置在一封装中的结构的截面图。
图6是示出图3中所示的声表面波器件中第一SAW滤波器的频率-衰减特性和频率-VSWR特性的曲线图。
图7A和7B分别是第一SAW滤波器阻抗在输入侧和输出侧的史密斯圆图。
图8A和8B分别是第二SAW滤波器阻抗在输入侧和输出侧的史密斯圆图。
图9A和9B分别是在第一单口SAW谐振器和第一SAW滤波器串联的安排中输入侧和输出侧的阻抗的史密斯圆图。
图10是示出在图3所示的声表面波器件中第一SAW滤波器22侧的频率-衰减特性和频率-VSWR特性的曲线图。
图11A和11B分别是图3中所示的声表面波器件中第一SAW滤波器侧的输入侧和输出侧的阻抗的史密斯圆图。
图12是示出图3所示的声表面波器件中第二SAW滤波器侧的频率-幅度特性和频率-VSWR特性。
图13A和13B分别是图3中所示的声表面波器件中第二SAW滤波器侧的输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。
图14是示出当并联连接前的通带阻抗接近于大约50Ω时第一SAW滤波器在通带内外的频率-幅度特性和频率-VSWR特性的曲线图。
图15A和15B分别是和图14中所示的特性相应的第一SAW滤波器侧的输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。
图16是示出在图3中所示的声表面波器件中使用具有图14中所示的特性的第一SAW滤波器的情况下频率-幅度特性和频率-VSWR特性的曲线图。
图17A和17B分别是和图16中的特性相应的输入侧和输出侧的史密斯圆图。
下面，参照附图详细解释本发明的较佳实施例。下面将参照附图描述一代表本发明的较佳实施例的声表面波器件。
图3是示出根据本发明的较佳实施例的声表面波器件的电路结构的图。声表面波器件21具有不同通带的第一SAW滤波器22和第二SAW滤波器23。第一SAW滤波器22具有比第二SAW滤波器23的通带高的通带，而且第二SAW滤波器23具有比第一SAW滤波器22的通带低的通带。第一和第二SAW滤波器22和23的输出端在连接点24处连接。第一和第二SAW滤波器22和23在声表面波器件21的输出侧并联。还提供输入端IN1和IN2以及输出端OUT。
第一单口SAW谐振器25连接在第一SAW滤波器22和连接点24之间。一对第二单口SAW谐振器26和27串联在第二SAW滤波器23和连接点24之间。
图4是根据本发明的较佳实施例的声表面波器件21的实际结构的示意平面图，而图5是设置了声表面波器件的封装结构的截面图。
如从图4中显见的，声表面波器件21包括大致上为矩形的压电基片31。压电基片31可以由诸如锆钛酸铅压电陶瓷等压电陶瓷，或石英，LiTaO3或者LiNbO3或其它适当的材料的压电单晶制成。在本发明的一个较佳实施例的例子中，使用41°Y-X切割LiNbO3基片。
在压电基片31上，输入端IN1和IN2由导电薄膜形成。第一SAW滤波器22连接至输入端IN1。第一SAW滤波器22最好是具有三个IDT22a到22c的纵向耦合的SAW滤波器。在外面的IDT22a和22c一侧的梳形叉指电极在连接到输入端IN1的连接点32处相互连接。IDT 22a和22c的另一个梳形叉指电极连接到接地电极33a和33b，接地电极33a和33b通过焊接引线(图中未示出)或适当的连接部件连接到地电位。
中央的IDT22b的一个梳形电极也电气连接到接地电极33c。IDT22b的另一个梳形电极连接到第一单口SAW谐振器25。
反射器22d和22e在基片31上IDT22a到22c所在区域沿声表面波传播方向设置在基片相对两侧。
第二SAW滤波器23最好连接到输入端IN2。第二SAW滤波器23是具有三个IDT23a至23c的纵向耦合SAW滤波器。外面的IDT23a和23c的一侧的梳形电极连接到输入端IN2。IDT23a和23c的另一个梳形电极连接到接地电极34a和34b。中央的IDT 23b的一个梳形电极也连接到接地端电极34c。IDT 23b的另一个梳形电极连接到第二单口SAW谐振器26。
反射器23d和23e在基片31上IDT23a到23c所在区域沿声表面波传播方向设置在相对两侧。
如上所述，第二单口SAW谐振器26的一端连接到第二SAW滤波器23，而第二单口SAW谐振器26的另一端连接到第二单口SAW谐振器27。第二单口SAW谐振器27的另一端连接到连接点24。类似地，第一单口SAW谐振器25的另一端也连接到连接点24。即，第一和第二SAW滤波器22和23通过在输出侧连接到连接点24而并联。连接点24电气连接到输出端OUT。
单口SAW谐振器25、26和27中每一个谐振器具有这样的结构，其中反射器25b和25c、26b和26c或27b和27c沿IDT25a、26a或27a的声表面波传播方向位于相对两侧。
并不总需要在单口SAW谐振器25中提供反射器25d和25e。还有，并不总是需要在单口SAW谐振器26中提供反射器26d和26e。另外，并不总是需要提供反射器27d和27e。如果提供反射器27d和27e，则希望其电极叉指的数量小于其它反射器的电极叉指数量。
另外，并不总是需要在第一和第二SAW滤波器22和23中在相对两侧提供反射器22d、22e、23d和23e。
第一和第二SAW滤波器22和23、第一和第二单口SAW谐振器25到27、输入端IN1和IN2以及输出端OUT中的每一个最好都通过在压电基片31上施加和形成导电材料(诸如Al)的图案而形成。
具有多个通带的声表面波器件21的尺寸可以通过在压电基片31上以上述方式形成上述元件而容易地减小。由于上述电极可以同时通过在压电基片31上形成Al等等的图案而形成，故制造步骤不复杂。
可以用和普通的声表面波滤波器21相同的方式将上述声表面波器件21合并在一个封装中。即，图5所示的声表面波设备35具有被容纳在封装36中的声表面波器件21，封装最好由绝缘树脂制成。封装36具有封装壳体36d，该封装壳体36d通过在由绝缘陶瓷形成的陶瓷基片36a上层叠大致上为矩形的框形部件36b和36c构成。
声表面波器件21被放置在封装壳体36d的一个开口36e中，并固定在陶瓷基片36a上。
声表面波器件的输入端、输出端和接地端通过焊接引线37a和37b适当地电气连接到设置在封装壳体36d上的电极(图中未示出)。开口36e通过罩子部件38覆盖，该部件最好由金属制成。
如从图5显见的，可以通过使用封装36(它用于封装传统的声表面波器件)作为封装型主要部件，提供声表面波设备35，从而设备35的外表类似于普通的声表面波器件。
下面根据本发明的较佳实施例描述本发明的声表面波器件21中得到想要的、显著改善的滤波器特性的效果。
在本发明较佳实施例的例子中，第一SAW滤波器22的通带最好是大约1895MHz到大约1925MHz。图6示出第一SAW滤波器22在通带内外的频率-衰减特性和频率-VSWR特性。在图6和图10、12、14和16中，由实线指出的频率-衰减曲线主要部分由虚线以放大的状态示出。图7A和7B分别示出第一SAW滤波器22在输入侧和输出侧的阻抗的史密斯圆图。
参照图7B，在第一SAW滤波器22的相应于并联的连接侧的输出侧上，通带阻抗的电阻分量足够地高于大约60Ω。相应地，第一SAW滤波器22的单个单元的VSWR较大，其值为3或更大，而由失配引起的损耗较大。
另一方面，第二SAW滤波器23的通带最好设定为大约925MHz到大约958MHz。图8A和8B分别示出第二SAW滤波器23的单个单元在通带内外输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。
从图8B显见，当声表面波器件的特性阻抗Z0是Z0=50Ω时，在并联连接侧(即，输出侧)的通带阻抗的电阻分量大约是50Ω。
第二SAW滤波器23在第一SAW滤波器22的通带(大约1895MHz到大约1925MHz)中的阻抗低于第一SAW滤波器在第二SAW滤波器的通带(大约925MHz到大约958MHz)中的阻抗，而反射系数大约是0.85。
另一方面，回过去参见图3，第一单口SAW谐振器25和第一SAW滤波器22串联，从而第一单口SAW谐振器25的反谐振频率在第一SAW滤波器22的通带外面，并设置得位于通带的高频侧。图9A和9B分别示出当第一单口SAW谐振器25串联在第一SAW滤波器22的输出侧时，在通带内外的输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。
通过比较图9B和7B可以显见，图9B中所示的阻抗由于将单口SAW谐振器25串联到第一SAW滤波器22的作用，在整个范围中显著增加了图9B中所示的阻抗。
另一方面，参照图3，串联地接入在第二SAW滤波器23和连接点24之间的第二单口SAW谐振器26和27是串联连接的，从而它们的反谐振频率在第二SAW滤波器23的通带的外面。
图10示出这个较佳实施例，(即，当电路元件如图3所示的电路图中那样连接时)，声表面波器件21的第一SAW滤波器22侧的通带内外的频率-衰减特性和频率-VSWR特性，而图11A和11B分别示出输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。在并联连接点24和地电位之间连接一个12nH的阻抗匹配电感元件28。第二SAW滤波器23在输入侧由大约50Ω端接。
可以理解，由于并联连接第二SAW滤波器23和上述电感的作用，如图10中所示第一SAW滤波器22在连接点24处在通带内的VSWR是大约1.2或更小，而且由于失配引起的损耗较小。
图12示出这个较佳实施例中，(即，当电路元件根据图3所示的电路图那样连接时)，声表面波器件21的第二SAW滤波器23侧的通带内外的频率-衰减特性和频率-VSWR特性，而图13A和13B分别示出输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。和第一SAW滤波器22共用的12nH的阻抗匹配电感元件28连接在并联连接点24和地电位之间。第一SAW滤波器22在输入侧处由大约50Ω端接。
从图12可以知道，在连接点24处第二SAW滤波器23的通带中的VSWR较小，其值大约为2或更小。
另一方面，图14示出第一SAW滤波器22在并联连接之前，并且当通带中的阻抗接近于大约50Ω时在其通带内外的频率-衰减特性和频率-VSWR特性，而图15A和15B示出输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。
从图15B中显见，第二SAW滤波器23通带阻抗低于图8B中所示的通带阻抗。还可以认识到，相对于第一SAW滤波器22单个构件，VSWR是大约1.4或更小，而且通带损耗较小。图16示出在使用第一SAW滤波器22而且电路元件如图3中所示的电路图那样连接的情况下通带内外的频率-衰减特性和频率-VSWR特性，而图11A和11B示出输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。在并联连接点24和等电位之间设置12nH的阻抗匹配电感元件28。第二SAW滤波器23在输入侧由大约50Ω端接。
显然，和图10所示的频率-衰减特性相比，在图16所示的频率-衰减特性中，通带中的VSWR大于2，而且损耗亦较大。
图17A和17B分别示出在图16所示的情况下输入侧和输出侧阻抗的史密斯圆图。从图17A和17B显见，在公共连接端侧，电阻分量小于大约50Ω，并且显示出在电感侧的偏移。为了校正在电感侧的偏移，可以增加匹配电感的值。相反，第二SAW滤波器23的VSWR因此而增加，导致插入损耗增加。
结果，从上述较佳实施例可以清楚地知道，在具有在并联连接点24处连接的第一SAW滤波器和第二SAW滤波器22和23的声表面波器件中，当在另一侧滤波器的通带中具有较高阻抗的第一SAW滤波器22和在另一侧滤波器中具有较低阻抗的第二SAW滤波器23并联在输出侧时，通过将第一SAW滤波器22在通带中的阻抗设置得高于第二SAW滤波器23在通带中的阻抗，在两个SAW滤波器22和23的两个通带中连接点24处的阻抗可以相互靠近，因此有助于使用外部匹配元件的阻抗匹配。
另外，在第一SAW滤波器22中，通带中的电阻分量最好设置得大于大约60Ω，即，如果器件的阻抗是Z0，则通带中的电阻分量最好设置得大于大约1.2Z0。因此，即使在第一和第二SAW滤波器22和23并联连接时加上SAW滤波器23的电导元件，电导不会超过大约0.02mS。结果，只通过并联或串联一个电感就能实现阻抗匹配。
第一和第二SAW滤波器22和23除了连接在输出侧，也可以并联连接在输入侧。
另外，因为在这个较佳实施例中，上述第一单口SAW谐振器25串联在第一SAW滤波器22和连接点24之间，可以增加第一SAW滤波器22在第二SAW滤波器23的通带中的阻抗，因此限制第二SAW滤波器23性能的恶化。
类似地，第二单口SAW谐振器26和27连接在第二SAW滤波器23和并联连接点24之间，可以限制第一SAW滤波器22性能的恶化。另外，由于第二单口SAW谐振器26和27的谐振频率互不相同，故可以有效地减小第一SAW滤波器22通带中的波动，因此在宽范围中改善了衰减量。
注意，并不总需要提供第一和第二单口SAW谐振器25、26和27。还有，替代第一单口SAW谐振器25可以安排多个谐振器级，正如单口SAW谐振器26和27的安排那样。在这种情况下，单口SAW谐振器的频率可以互不相同，以减小第二SAW滤波器23的通带中的波动。
可以使用单个单口SAW谐振器，替代两个单口SAW谐振器26和27。
另外，第一和第二SAW滤波器22和23中的每一个SAW滤波器可以由除了纵向耦合型SAW谐振器滤波器之外的其它SAW滤波器形成，而且不限于特定的类型。
虽然已经揭示了本发明的较佳实施例，但认为实施这里所揭示的原理的各种方式落在下面的权利要求的范围中。因此，应该知道，本发明的范围只由所附的权利要求限定。
权利要求
1．一种声表面波器件，其特征在于包括在连接点处相互并联的第一SAW滤波器和第二SAW滤波器，所述连接点接近于所述声表面波器件输入端和输出端之一，所述第一SAW滤波器在所述第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗，而且具有比所述第二SAW滤波器通带更高的通带，所述第二SAW滤波器在所述第一SAW滤波器通带中具有容性阻抗；其由所述第一SAW滤波器在连接到所述第二SAW滤波器的一端处的通带中的阻抗在并联连接之前相对于所述声表面波器件的特性阻抗Z0为大约1.2Z0或更高的值，而且所述第一SAW滤波器在其连接到所述第二SAW滤波器一端处的阻抗在通带中高于第二SAW滤波器的阻抗。
2．如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于所述第一和第二SAW滤波器中的每一个都是纵向耦合谐振器滤波器，所述纵向耦合谐振器滤波器具有至少两个叉指式换能器，所述声表面波器件还包括至少一个第一单口SAW谐振器，所述第一单口SAW谐振器串联在所述第一SAW滤波器和所述连接点之间，并如此地安排，从而所述至少一个第一单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第一SAW滤波器的通带的外面；以及至少一个第二单口SAW谐振器，所述第二单口SAW谐振器串联在所述所述第二SAW滤波器和所述连接点之间，并如此地安排，从而所述至少一个第二单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第二SAW滤波器的通带的外面。
3．如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于所述第一和第二单口SAW谐振器中的至少一个构成多个串联的级，所述多个级中的所述至少一个单口SAW谐振器的所述叉指式换能器的波长不同于在所述多个级中其它单口SAW谐振器的叉指式换能器的波长。
4．如权利要求2所述的声表面波器件，其特征在于还包括单个压电基片，其中所述第一和第二SAW滤波器和所述第一和第二单口SAW谐振器安排在所述单个压电基片上。
5．如权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于还包括连接到连接点的阻抗匹配电感元件。
6．一种声表面波器件，其特征在于包括第一SAW滤波器和第二SAW滤波器，它们在连接到所述声表面波器件的输入端和输出端之一的连接点处相互并联，所述第一SAW滤波器在所述第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗，并且具有比所述第二SAW滤波器的通带更高的通带，并且所述第二SAW滤波器在所述第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗；至少一个第一单口SAW谐振器，串联在所述第一SAW滤波器和所述连接点之间，并如此地设置，从而至少一个所述第一单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第一SAW滤波器通带的外面；以及至少一个第二单口SAW谐振器，串联在所述第二SAW滤波器和所述连接点之间，并如此地设置，从而至少一个所述第二单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第二SAW滤波器通带的外面。
7．如权利要求6所述的声表面波器件，其特征在于所述第一SAW滤波器在其连接到所述第二SAW滤波器一端处的阻抗在通带中，在并联连接之前具有相对于所述声表面波器件的特性阻抗Z0大约为1.2Z0或更高的值，而且所述第一SAW滤波器在其连接到所述第二SAW滤波器的一端处的阻抗高于所述第二SAW滤波器的阻抗。
8．如权利要求6所述的声表面波器件，其特征在于所述第一和第二SAW滤波器的每一个都是具有至少两个叉指式换能器的纵向耦合谐振器滤波器。
9．如权利要求6所述的声表面波器件，其特征在于所述第一和第二单口SAW谐振器的至少一个包括多个串联的级，而且所述多个级中的所述至少一个单口谐振器的所述叉指式换能器的波长不同于所述多个级中其它单口SAW谐振器的叉指式换能器的波长。
10．如权利要求6所述的声表面波器件，其特征在于还包括单个压电基片，其中所述第一和第二SAW滤波器和第一和第二单口SAW谐振器被安排在所述单个压电基片上。
11．一种电子元件，其特征在于包括壳体；设置在所述壳体中的声表面波元件，包括第一SAW滤波器和第二SAW滤波器，它们在接近于声表面波器件的输入端和输出端之一的连接点处相互并联，所述第一SAW滤波器在所述第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗，并具有比所述第二SAW滤波器的通带更高的通带，而且所述第二SAW滤波器在所述第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗；其中所述第一SAW滤波器在其连接到所述第二SAW滤波器的一端处的阻抗在通带中，在并联连接之前，具有相对于所述声表面波器件的特性阻抗Z0为大约1.2Z0或更高值，所述第一SAW滤波器在其连接到所述第二SAW滤波器的一端处的阻抗在通带中高于所述第二SAW滤波器的阻抗。
12．如权利要求11所述的电子元件，其特征在于所述第一和第二SAW滤波器的每一个都是具有至少两个叉指式换能器的纵向耦合谐振器滤波器，所述声表面波器件还包含至少一个第一单口SAW谐振器，串联在所述第一SAW滤波器和所述连接点之间，它被如此地安排，从而所述至少一个第一单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第一SAW滤波器的通带外面；及至少一个第二单口SAW谐振器，串联在所述第二SAW滤波器和所述连接点之间，它被如此地安排，从而所述至少一个第二单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第二SAW滤波器的通带外面。
13．如权利要求12所述的电子元件，其特征在于所述第一和二单口SAW谐振器的至少一个包括多个串联的级，所述多个级中的所述至少一个单口SAW谐振器的叉指式换能器的波长不同于所述多个级中其它单口SAW谐振器的叉指式换能器的波长。
14．如权利要求12所述的电子元件，其特征在于还包含单个压电基片，其中所述第一和第二SAW滤波器和第一及第二单口SAW谐振器被安排在单个压电基片上。
15．如权利要求11所述的电子元件，其特征在于还包括连接到所述连接点的阻抗匹配电感元件。
16．一种电子元件，其特征在于壳体；设置在所述壳体中的声表面波元件，包括第一SAW滤波器和第二SAW滤波器，它们在连接到所述声表面波器件输入端和输出端之一的连接点处相互并联，所述第一SAW滤波器在所述第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗，并且具有比所述第二SAW滤波器的通带更高的通带，所述第二SAW滤波器在所述第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗；至少一个第一单口SAW谐振器，串联在所述第一声表面波滤波器和所述连接点之间，它被如此地设置，从而所述至少一个第一单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第一SAW滤波器的通带外面；及至少一个第二单口SAW谐振器，串联在所述第二SAW滤波器和所述连接点之间，它被如此地设置，从而所述至少一个第二单口SAW谐振器的反谐振频率在所述第二SAW滤波器的通带的外面。
17．如权利要求16所述的电子元件，其特征在于所述第一SAW滤波器在其连接到所述第二SAW滤波器的一端处的阻抗在通带中，在并联连接之前，具有相对于所述声表面波器件的特性阻抗Z0大约1.2Z0或更高的值，所述第一SAW滤波器在其连接到所述第二SAW滤波器的一端处的阻抗，在通带中高于所述第二SAW滤波器的阻抗。
18．如权利要求16所述的电子元件，其特征在于所述第一和第二SAW滤波器的每一个都是具有至少两个叉指式换能器的纵向耦合谐振器滤波器。
19．如权利要求16所述的电子元件，其特征在于所述第一和第二单口SAW谐振器中的至少一个包括多个串联的级，所述多个级中的所述至少一个单口SAW谐振器的叉指式换能器的波长不同于所述多个级中其它单口SAW谐振器的叉指式换能器。
20．如权利要求16所述的电子元件，其特征在于还包含单个压电基片，其中，所述第一和第二SAW滤波器和所述第一和第二单口SAW谐振器安排在所述单个压电基片上。
全文摘要
一种声表面波器件,其中第一和第二SAW滤波器并联在连接到输入终端或输出终端的连接点处。声表面波器件包括在第二SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并且具有比第二SAW滤波器的通带更高的通带的第一SAW滤波器,和在第一SAW滤波器的通带中具有容性阻抗,并具有比第一SAW滤波器的通带更低的通带的第二SAW滤波器。第二SAW滤波器并联在第一SAW滤波器输入端或输出端侧的连接点。
文档编号H03H9/72GK1219003SQ9811864
公开日1999年6月9日 申请日期1998年8月21日 优先权日1997年8月22日
发明者筏克弘 申请人:株式会社村田制作所