晶体振荡器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶振技术领域，尤其涉及一种小型化、低功耗的晶体振荡器。
【背景技术】
[0002]晶体振荡器(Crystal Oscillator)目前广泛的运用在不同系统中，其主要的目的是提供系统振荡频率的基准。恒温控制晶体振荡器为时钟、通信等领域的核心部件。图1显示了传统恒温晶体振荡器的一种结构，如图1所示，晶体振荡器包括:壳体4’，以及封装于壳体4’内的线路板I’和设置在线路板I’上的晶体2’和加热管3’，加热方式是加热管或发热丝通过恒温槽或PCB对石英晶体外壳加热，使石英晶体内部温度达到平衡。而今时钟、通信等设备飞速向小型化、节能方面发展，内部空间越来越紧张，传统的恒温控制晶体振荡器已逐步不能满足需求，因此，开发出小型化低功耗快稳定的恒温控制晶体振荡器显得非常急迫。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种晶体振荡器，以解决上述技术问题。
[0004]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0005]一种晶体振荡器，包括晶片、加热器件以及壳体，所述晶片与所述加热器件真空封装于所述壳体内。
[0006]特别地，所述晶片与所述加热器件间隔设置，所述壳体具有与所述加热器件相平行的安装面，所述晶片设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。
[0007]特别地，所述加热器件固定在基板上，所述基板与所述安装面平行。
[0008]特别地，所述晶片平行设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。
[0009]特别地，所述晶片垂直设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。
[0010]特别地，所述晶片的电极与引脚连接，所述引脚远离所述晶片的一端延伸至所述壳体的外部。
[0011]特别地，所述引脚与所述基板连接。
[0012]优选的，所述壳体采用金属或者非金属制成。
[0013]更加优选的，所述壳体为陶瓷壳体。
[0014]特别地，所述壳体的内壁朝向其中心凸设有两相互平行的第一台阶和第二台阶，所述晶片设置在所述第一台阶上，所述加热器件设置在所述第二台阶上，所述壳体外设置有焊盘。
[0015]特别地，所述加热器件与所述第二台阶之间设置基板，所述加热器件固定在所述基板靠近所述晶片的一侧。
[0016]优选的，所述壳体采用金属制成。
[0017]特别地，所述加热器件为三极管、MOS管、电阻、发热丝或集成电路中的任意一种。
[0018]本发明的有益效果为:通过将加热器件和晶片封装在真空的壳体内，使得壳体内的温度稳定所需要的热量远远小于传统的对石英晶体壳体外壁加热所需要的热量，降低了晶体振荡器的功耗，同时也利于了晶体振荡器的小型化设计。
【附图说明】
[0019]图1为现有技术的一种晶体振荡器的结构示意图；
[0020]图2为本发明的第一实施例所述的晶体振荡器的结构示意图；
[0021]图3为本发明的第二实施例所述的晶体振荡器的结构示意图；
[0022]图4为本发明的第三实施例所述的晶体振荡器的结构示意图；
[0023]图5为本发明的第四实施例所述的晶体振荡器的结构示意图。
[0024]图中:
[0025]I，、线路板；2’、晶体；3’、加热管；4’、壳体；
[0026]1、壳体；2、晶片；3、加热器件；4、基板；5、引脚；6、第一台阶；7、第二台阶；8、焊盘。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本发明的技术方案。
[0028]本发明的实施例提供一种晶体振荡器，包括晶片、加热器件以及壳体，所述晶片与所述加热器件真空封装于所述壳体内。通过将加热器件和晶片封装在真空的壳体内，使得壳体内的温度稳定所需要的热量远远小于传统的对石英晶体壳体外壁加热所需要的热量，降低了晶体振荡器的功耗，同时也利于了晶体振荡器的小型化设计。
[0029]所述晶片与所述加热器件间隔设置，所述壳体具有与所述加热器件相平行的安装面，所述晶片设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。通过将晶片设置在所述加热器件背离安装面的一侧，这样加热器件可以直接给晶片加热，能快速的使晶片处于稳定的温度下，实现晶体振荡器快速达到频率稳定的目的。
[0030]所述晶片平行设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。通过将晶片平行设置在加热器件背离安装面的一侧，使得晶片与加热器件平行，进而使加热器件加热时，热量能快速并大面积的传输给晶片，加快晶片的升温速度，使晶片的温度能在更短时间能稳定。在本发明的其他实施例中，所述晶片也可垂直设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。
[0031]根据本发明的一实施例，在壳体内设置基板，加热器件固定在基板上，所述基板与所述安装面平行。根据本发明的另一实施例，所述壳体的内壁朝向其中心凸设有两相互平行的第一台阶和第二台阶，所述晶片设置在所述第一台阶上，所述加热器件设置在所述第二台阶上。
[0032]本发明的晶体振荡器可以采用插件的方式与外部连接，即提供插接用的引脚，弓丨脚由壳体内向外伸出，引脚的一端在壳体内于晶片的电极连接，另一端延伸至壳体外部与电路板等实现插接。优选的，用于固定加热器件的基板可以与引脚固定连接。当然，本发明的晶体振荡器还可以采用表贴的方式与外部连接，也即在壳体的底部设置焊盘，通过焊盘与电路板等实现连接。
[0033]本发明的壳体采用金属或者非金属制成。优选的，所述壳体为陶瓷壳体。加热器件为三极管、MOS管、电阻、发热丝或集成电路中的任意一种。
[0034]图2是根据本发明的第一实施例提供的晶体振荡器的结构示意图。如图2所示，于本实施例中，晶体振荡器包括壳体1，以及真空封装于壳体I内部的石英晶片2，壳体I内向外伸出引脚5，通过引脚5与外部实现插接。
[0035]本实施例的壳体I具有与外部连接的安装面，即图2中所示的壳体底面，当采用引脚5插入外部电路板上时，该安装面与电路板接触。壳体I内部的晶片2平行于所述安装面，晶片2的两端分别与两引脚5固定连接，从而通过引脚5将晶片2支撑。
[0036]于两引脚5之间，并位于晶片2靠近所述安装面的一侧设置一平行于所述安装面的基板4，于基板4上靠近晶片2的表面设置加热器件3，即图2中所示的基板4的上表面设置加热器件3。
[0037]图3是根据本发明的第二实施例提供的晶体振荡器的结构示意图。如图3所示，本实施例与第一实施例的区别仅仅在于:本实施例的晶片2垂直于壳体I的底部安装面，也即晶片2垂直于基板4，其余部分均相同。
[0038]图4是根据本发明的第三实施例提供的晶体振荡器的结构示意图。如图4所示，于本实施例中，晶体振荡器包括壳体1，以及真空封装于壳体I内部的石英晶片2，壳体I的底部安装面设置有焊盘8，通过焊盘8与外部实现连接。
[0039]于壳体I内依次设置两台阶，分别为第一台阶6和第二台阶7，第一台阶6用于安装晶片2，第二台阶7用于安装加热器件3。具体的，第一台阶6和第二台阶7分别具有与所述安装面相平行的台阶面，晶片2固定于第一台阶6的台阶面上，于第二台阶7的台阶面上固定设置基板4，于基板4上设置加热器件3。
[0040]图5是根据本发明的第四实施例提供的晶体振荡器的结构示意图。如图5所示，本实施例与第三实施例的区别仅仅在于:加热器件3直接固定于第二台阶7的台阶面上，其余部分均相同。
[0041]于本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”，仅仅用于在描述上加以区分，并没有特殊的含义。
[0042]以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种晶体振荡器，其特征在于，包括晶片、加热器件以及壳体，所述晶片与所述加热器件真空封装于所述壳体内。
2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述晶片与所述加热器件间隔设置，所述壳体具有与所述加热器件相平行的安装面，所述晶片设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。
3.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热器件固定在基板上，所述基板与所述安装面平行。
4.根据权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述晶片平行设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。
5.根据权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述晶片垂直设置在所述加热器件背离所述安装面的一侧。
6.根据权利要求4或5所述的晶体振荡器，其特征在于，所述晶片的电极与引脚连接，所述引脚远离所述晶片的一端延伸至所述壳体的外部。
7.根据权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述引脚与所述基板连接。
8.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，所述壳体的内壁朝向其中心凸设有两相互平行的第一台阶和第二台阶，所述晶片设置在所述第一台阶上，所述加热器件设置在所述第二台阶上，所述壳体外设置有焊盘。
9.根据权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热器件与所述第二台阶之间设置基板，所述加热器件固定在所述基板靠近所述晶片的一侧。
10.根据权利要求1至5任一项所述的晶体振荡器，其特征在于，所述加热器件为三极管、MOS管、电阻、发热丝或集成电路中的任意一种。
【专利摘要】本发明涉及晶振技术领域，提供一种小型化、低功耗的晶体振荡器，包括晶片、加热器件以及壳体，所述晶片与所述加热器件真空封装于所述壳体内。通过将加热器件和晶片封装在真空的壳体内，使得壳体内的温度稳定所需要的热量远远小于传统的对石英晶体壳体外壁加热所需要的热量，降低了晶体振荡器的功耗，同时也利于了晶体振荡器的小型化设计。
【IPC分类】H03H9-19, H03L1-02, H03H9-02
【公开号】CN104579227
【申请号】CN201410853855
【发明人】王丹, 刘朝胜, 张立林, 王春明
【申请人】广东大普通信技术有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月30日