一种led电源的全面保护电路的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种LED护电路，特别是一种LED电源的全面保护电路，适用于可控硅开关电源的电路过电流和过电压保护。属于可控硅开关电源及LED照明技术领域。
【背景技术】
[0002]在照明设备领域中，传统的白炽灯、荧光灯等照明设备由于发热量大、耗能高且控制不方便等问题已逐渐被LED灯所替代。由于LED照明以其节能及方便灵活的调光方式深受人们喜爱，因此LED灯被广泛应用。
[0003]目前，对LED进行调光的方式通常采用可控制硅来控制LED灯的通断以及亮度。在对旧照明电路进行改造的过程中，采用可控硅调光LED灯直接替换白炽灯，无需更改原有线路，市场需求极大。然而在现在技术中，可控硅调光电路大多数采用单级PFC，目的是改善功率因数，但这种电路存在以下缺陷:(I)容易在供电电源不稳定的情况下，损坏LED;
(2)电路输出纹波较大，需要很大的输出电容来降低纹波，成本较高。(3)电路存在双重频率，导致可控硅调光时会出现不同程度的频闪效应，长时间在这些灯光照射下，极易产生近视、偏头痛和视觉神经系统的病变。
[0004]因此，设计一种能有效降低纹波，实现LED灯无频闪的电源供电保护电路有非常重要的意义。
【发明内容】
[0005]本发明的目的，是为了解决现有技术中可控硅调光电路输出纹波大造成频闪、可控硅易损坏及电路成本较高的问题，提供一种LED电源全保护电路，具有电路结构简单、成本低、无频闪和双重工作保护、坚固耐用等特点。
[0006]本发明的目的可以通过如下措施达到:
[0007]一种LED电源的全面保护电路，包括MOS管开关电源，其结构特点在于:MOS管开关电源由AC-DC电源和MOS管Ql构成，AC-DC电源的输出端连接MOS管Ql的漏极D，MOS管Ql的栅极G为LED电源的输出端；在MOS管Ql开关电源中设置全面保护电路，该全面保护电路由偏置发生器单元、快速启动单元、MOS管G-S极保护单元和过流保护单元构成；偏置发生单元的输入端连接AC-DC电源的输入端、输出端连接MOS管G-S保护单元的输入端，快速启动单元跨接在MOS管Ql的漏极和偏置发生单元的输出端；M0S管G-S保护单元的之一连接MOS管Ql的源极S、输出端之二连接MOS管Ql的栅极G，形成MOS管的G-S过电压保护回路；过流保护单元并接在MOS管Ql的漏极D和栅极G之间，形成MOS管Ql的D-S极过电压保护回路；偏置发生单元具有滤波器结构，通过该滤波器结构对AC-DC电源滤波，使MOS管Ql的输出电流变得平滑，改善或消除在深度调光下的微光闪烁。
[0008]本发明的目的还可以通过如下措施达到:
[0009]进一步地，AC-DC电源包括变压器次级绕组NS、二极管Dl和电解电容C3，偏置发生器单元包括电阻R1-R2和R6-R7、电容Cl、电解电容C2、二极管D3-D4 ;变压器次级绕组NS通过二极管Dl连接MOS管Ql的漏极D，电解电容C3跨接在MOS管Ql的漏极D与地之间；电容Cl、电阻R6和二极D4串联后跨接在变压器次级绕组NS的二端，电阻R1、电阻R2和电解电容C2串联后与电解电容C3并联，电阻R7与二极管D3串联后跨接在Cl与R6的连接处、Rl与R2的连接处之间；由Rl、R2和C2组成滤波器回路以对电解电容C3滤波，消除MOS管Ql的漏极D端电压波动；电阻R2与电解电容C2的连接处构成偏置发生器单元的输出端。
[0010]进一步地，所述快速启动单元由二极管D2和稳压管ZDl构成，二极管D2的正极连接MOS管Ql的漏极，二极管D2的负极连接稳压二极管ZDl的阴极，稳压二极管ZDl的阳极连接偏置发生单元的输出端；通过D2和ZDl构成的串联回路，使偏置发生单元的电容C2快速充满驱动使Ql开通。
[0011]进一步地，所述MOS管G-S极保护单元由电阻R5和稳压二极管ZD3构成，电阻R5的一端连接偏置发生单元的输出端，电阻R5的另一端连接MOS管Ql的源极S连接及反向通过稳压二极管ZD3连接MOS管Ql的栅极G，构成MOS管G-S极的过压保护回路。
[0012]进一步地，所述过流保护单元由电阻R3-R4、三极管Q2和稳压二极管ZD2构成；电阻R3、R4串联后跨接在MOS管Ql的漏极与栅极G之间，稳压二极管ZD2跨接在MOS管Ql的漏极与栅极G之间，三极管Q2的基极与电阻R3、R4的连接处连接，三极管Q2的集电极连接MOS管Ql的源极S，三极管Q2的发射极连接MOS管Ql的栅极G，构成对MOS管Ql的过电流保护回路。
[0013]进一步地，所述三极管Q2为NPN型三极管，所述MOS管Ql为N沟道场效应管。
[0014]本发明的具有如下突出的有益效果:
[0015]本发明通过在偏置发生单元具有滤波器结构，通过该滤波器结构对AC-DC电源滤波，使MOS管Ql的输出电流变得平滑，改善或消除在深度调光下的微光闪烁；另外，通过形成MOS管的G-S过电压保护回路和形成MOS管Ql的D-S极过电压保护回路，构成对MOS管Ql的全面保护结构，是一种LED电源的全面保护电路，解决现有技术中可控硅调光电路输出纹波大造成频闪、可控硅易损坏及电路成本较高的问题，具有电路结构简单、成本低、无频闪和双重工作保护、坚固耐用等有益效果。
【附图说明】
[0016]图1是本发明具体实施例1的电路原理图。
【具体实施方式】
[0017]以下结合附图及实施例对本发明作进一步的详细描述:
[0018]具体实施例:
[0019]参照图1，本实施例包括MOS管开关电源，MOS管开关电源由AC-DC电源和MOS管Ql构成，AC-DC电源的输出端连接MOS管Ql的漏极D，MOS管Ql的栅极G为LED电源的输出端；在MOS管Ql开关电源中设置全面保护电路，该全面保护电路由偏置发生器单元1、快速启动单元2、MOS管G-S极保护单元3和过流保护单元4构成；偏置发生单元I的输入端连接AC-DC电源的输入端、输出端连接MOS管G-S保护单元3的输入端，快速启动单元2跨接在MOS管Ql的漏极和偏置发生单元I的输出端；M0S管G-S保护单元3的之一连接MOS管Ql的源极S、输出端之二连接MOS管Ql的栅极G，形成MOS管的G-S保护回路；过流保护单元4并接在MOS管Ql的漏极D和栅极G之间，形成MOS管Ql的D-S极过电压保护回路；偏置发生器单元I滤波器结构，通过该滤波器结构对AC-DC电源滤波，使MOS管Ql的输出电流变得平滑，改善或消除在深度调光下的微光闪烁。
[0020]本实施例中:
[0021]所述AC-DC电源包括变压器次级绕组NS、二极管Dl和电解电容C3，偏置发生器单元I包括电阻R1-R2和R6-R7、电容Cl、电解电容C2、二极管D3-D4 ;变压器次级绕组NS通过二极管Dl连接MOS管Ql的漏极D，电解电容C3跨接在MOS管Ql的漏极D与地之间；电容Cl、电阻R6和二极D4串联后跨接在变压器次级绕组NS的二端，电阻R1、电阻R2和电解电容C2串联后与电解电容C3并联，电阻R7与二极管D3串联后跨接在Cl与R6的连接处、Rl与R2的连接处之间；由R1、R2和C2组成滤波器回路以对电解电容C3滤波，消除MOS管Ql的漏极D端电压波动；电阻R2与电解电容C2的连接处构成偏置发生器单元I的输出端。
[0022]所述快速启动单元2由二极管D2和稳压管ZDl构成，二极管D2的正极连接MOS管Ql的漏极，二极管D2的负极连接稳压二极管ZDl的阴极，稳压二极管ZDl的阳极连接偏置发生单元I的输出端；通过D2和ZDl构成的串联回路，使偏置发生单元I