极反馈网络Fl的功能，在此就不再赘述。
[0031]第一反相放大器包括晶体管Ql 1、晶体管Q12和电阻RCl ;晶体管Qll的基极为第一反相放大器-Al的输入端，也即是该全差分跨阻放大器的第一输入端IN1，晶体管Qll的发射极接地，晶体管Qll的集电极接晶体管Q12的发射极，晶体管Q12的基极接第二直流偏置点BIAS2，晶体管Q12的集电极通过电阻RCl接工作电源VCC，同时，晶体管Q12的集电极接晶体管Ql的基极。第二反相放大器-A2包括晶体管Q21、晶体管Q22和电阻RC2 ;晶体管Q21的基极为第二反相放大器-A2的输入端，也即是该全差分跨阻放大器的第二输入端IN2，晶体管Q21的发射极接地，晶体管Q21的集电极接晶体管Q22的发射极，晶体管Q22的基极接第二直流偏置点BIAS2，晶体管Q22的集电极通过电阻RC2接工作电源VCC，同时，晶体管Q22的集电极接晶体管Q2的基极。
[0032]进一步的，在本实施例中，第一负反馈网络FBl包括电阻RFl和电容CFl，第二负反馈网络FB2则包括电阻RF2和电容CF2。具体地，电阻RFl和电容CFl分别并接在晶体管Ql的发射极与第一反相器-Al的输入端之间；电阻RF2和电容CF2分别并接在晶体管Q2的发射极与第二反相器-A2的输入端之间。
[0033]图6是本发明第六实施例提供的全差分跨阻放大器的结构示意图。与图5相同的，本第六实施例提供的全差分跨阻放大器中，低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4、电阻RC5和电阻RC6，晶体管Ql和晶体管Q2的集电极分别通过电阻RC5和电阻RC6接工作电源VCC,晶体管Ql的集电极与电阻RC5的共接端为全差分跨阻放大器的第一输出端0UT1，晶体管Q2的集电极与电阻RC6的共接端为全差分跨阻放大器的第二输出端0UT2。射极反馈网络Fl则包括电阻RE，该电阻RE就连接在晶体管Ql和晶体管Q2的发射极之间。第一负反馈网络FBl包括电阻RFl和电容CF1，第二负反馈网络FB2则包括电阻RF2和电容CF2。具体地，电阻RFl和电容CFl分别并接在晶体管Ql的发射极与第一反相器-Al的输入端之间；电阻RF2和电容CF2分别并接在晶体管Q2的发射极与第二反相器-A2的输入端之间。
[0034]与图5所示的不同之处在于，第一反相放大器-Al包括晶体管Ql1、晶体管Q12、晶体管Q13、电阻Rl和电阻R2 ;晶体管Qll的基极为第一反相放大器-Al的输入端，晶体管Qll的集电极同时接晶体管Q12的发射极和晶体管Q13的基极，晶体管Qll的发射极和晶体管Q13的发射极都接地，晶体管Q13的集电极通过电阻R2接工作电源VCC，晶体管Q12的基极接晶体管Q13的集电极，晶体管Q12的集电极通过电阻Rl接工作电源VCC，同时，晶体管Q12的集电极还接晶体管Ql的基极。
[0035]第二反相放大器-A2包括晶体管Q21、晶体管Q22、晶体管Q23、电阻R3和电阻R4 ；晶体管Q21的基极为第二反相放大器-A2的输入端，晶体管Q21的集电极同时接晶体管Q22的发射极和晶体管Q23的基极，晶体管Q21的发射极和晶体管Q23的发射极都接地，晶体管Q23的集电极通过电阻R3接工作电源VCC，晶体管Q22的基极接晶体管Q23的集电极，晶体管Q22的集电极通过电阻R4接工作电源VCC，同时，晶体管Q22的集电极还接晶体管Q2的基极。
[0036]与前述实施例类似的，根据本发明第五、第六实施例提供的全差分跨阻放大器，同样可以实现低电源电压、低功耗的要求。
[0037]此外，在具体应用中，还可以将上述实施例提供的各个全差分跨阻放大器拆分成单端输入单端输出的跨阻放大器进行单独应用。以图3所示的全差分跨阻放大器为例，其可以拆分成两个单端输入单端输出的跨阻放大器进行单独应用，拆分后的单个结构如图7所示。实际上，上述实施例提供的其他全差分跨阻放大器也同样可以进行拆分单独应用，因此能够衍生出新的实用性强的单端输入单端输出的跨阻放大器结构，为迅速发展的集成电路设计业提供多种全新的跨阻放大器结构，在此就不再一一示例。
[0038]综上所述，本发明提供的全差分跨阻放大器，结构简单实用，适用于除数模混合芯片以外任何需要跨阻放大器的电子系统，实现了全差分跨阻放大器的低电源电压和低功耗的要求。相比现有的全差分跨阻放大器，在消耗相同电流的情况下，若采用bipolar工艺实现，正常工作电源电压低0.7V以上。并且，本发明提供的全差分跨阻放大器的设计实现条件简易，在电路结构不做修改的情况下，CMOS工艺、BiCMOS工艺和bipolar工艺都能实现，能为迅速发展的集成电路设计业提供多种全新的全差分跨阻放大器结构。
[0039]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了较详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改、或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种全差分跨阻放大器，其特征在于，所述全差分跨阻放大器包括: 低电源电压差分对及其射极反馈网络、第一反相放大器、第二反相放大器以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对之间的第一负反馈网络和第二负反馈网络； 所述低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4，晶体管Ql和晶体管Q2的集电极同时接工作电源VCC，晶体管Ql和晶体管Q2的发射极分别接晶体管Q3和晶体管Q4的集电极，晶体管Q3和晶体管Q4的发射极都接地，晶体管Q3和晶体管Q4的基极分别接第一直流偏置点，所述射极反馈网络接在晶体管Ql和晶体管Q2的发射极之间；第一反相放大器和第二反相器的输入端分别为所述全差分跨阻放大器的第一输入端INl和第二输入端IN2，晶体管Ql的基极与所述第一反相放大器的输出端共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端0UT1，晶体管Q2的基极与所述第二反相放大器的输出端共接作为所述全差分跨阻放大器的第二输出端0UT2 ;所述第一负反馈网络连接在晶体管Ql的发射极与第一反相器的输入端之间，所述第二负反馈网络连接在晶体管Q2的发射极与第二反相器的输入端之间。2.如权利要求1所述的全差分跨阻放大器，其特征在于: 所述第一反相放大器包括晶体管Q11、晶体管Q12和电阻RCl ;所述晶体管Qll的基极为所述第一反相放大器的输入端，所述晶体管Qll的发射极接地，所述晶体管Qll的集电极接所述晶体管Q12的发射极，所述晶体管Q12的基极接第二直流偏置点，所述晶体管Q12的集电极通过所述电阻RCl接工作电源VCC，并且，所述晶体管Q12的集电极与所述晶体管Ql的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUTl ; 所述第二反相放大器包括晶体管Q21、晶体管Q22和电阻RC2 ;所述晶体管Q21的基极为所述第二反相放大器的输入端，所述晶体管Q21的发射极接地，所述晶体管Q21的集电极接所述晶体管Q22的发射极，所述晶体管Q22的基极接第二直流偏置点，所述晶体管Q22的集电极通过所述电阻RC2接工