一种集成的全差分放大器的制造方法
【专利摘要】本发明适用于集成电路领域，提供了一种集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括小电流偏置电路及滤波电路，所述小电流偏置电路的输出端连接所述滤波电路的输入端。通过小电流偏置电路与电容构成高通滤波功能，去除输入信号直流压差对放大增益的限制，提高电路信噪比，实现极低频率范围内的片内集成高通滤波功能，采用集成化电路取代仪表结构，降低了功耗。
【专利说明】—种集成的全差分放大器
【技术领域】
[0001]本发明属于集成电路领域，尤其涉及一种集成高通滤波的全差分型放大器。
【背景技术】
[0002]移动健康，个人便携式监护医疗是我国以后医疗卫生体系中的重要组成部分之一。能够连续长时间的监护个人，能够及时地发现被监护人的突发病情或不正常生理状况，将是以后医疗卫生服务发展的重要需求之一。这种应用的实时性和普适性要求这套新型监护系统需要具备便携化，小型化，集成化，低功耗的特点。
[0003]在采集一些人体微弱的小信号时，这些信号经常耦合着不同的直流压差，例如在采集人体心电信号或者脑电信号时，输入信号耦合着较大电极极化压差，最大可达±300mV。在有限的电源电压下，这个直流压差将直接限制放大电路的放大倍数，降低放大器的信噪比。
[0004]目前人体一些微弱信号的采集，例如人体心电信号，脑电信号，主要还是采用传统的仪表放大结构，通过搭建板级电路实现，占用较大的面积，如目前市场上所有主流的医疗设备中，都采用这种方式；近年来出现将该仪表放大结构进行芯片集成化，提高电路的集成化，如亚德诺半导体公司(ADI)推出的AD8232芯片；或者采用带有高通滤波功能的差分放大电路，其中高通滤波功能采用传统的电阻电容结构实现。
[0005]在目前的现有技术中存在以下的缺陷:
[0006](I)目前主流的技术是采用传统的仪表放大结构，通过离散元器件搭建，消耗较大的面积和功耗；
[0007](2)已有的少数芯片，如亚德诺半导体(ADI)的AD8232，实现仪表放大结构的芯片集成化，但由于极化电压的限制，信号放大增益很小，电路信噪比较低；
[0008](3)采用带有高通滤波功能的全差分放大电路，其中高通滤波功能由传统的电阻电容结构实现，可去除对放大增益的限制；但在采集低频率的生理小信号时，要实现极低的截止频率需要很大的电阻或者电容，很难实现全片内集成。
【发明内容】
[0009]本发明的目的在于提供一种集成的全差分型放大器，旨在解决采集低频率小信号时由于极化压差而导致放大电路的放大倍数受限的问题。
[0010]本发明是这样实现的，一种集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括小电流偏置电路及滤波电路，所述小电流偏置电路的输出端连接所述滤波电路的输入端。
[0011]本发明的进一步技术方案是:所述小电流偏置电路包括电流源Ibg、M0S管M1、M0S管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3 及 MOS 管 MC4，所述电流源Ibg 一端分别连接所述MOS管Ml的漏极、栅极及MOS管M2的栅极，所述MOS管Ml、MOS管M2,MOS管M3及MOS管M4的源极相连，所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极，所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极，所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极，所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MCl的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地，所述电流源Ibg的另一端接地。
[0012]本发明的进一步技术方案是:所述滤波电路包括MOS管MA、MOS管MB及电容C2，所述MOS管MA的栅极及MOS管MB的栅极、漏极分别连接所述MOS管M4的漏极，所述MOS管MA的源极与MOS管MB的源极相连，所述电容C2与所述MOS管MA的漏极至源极并联。
[0013]本发明的进一步技术方案是:所述比例放大模块包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2，所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管Ml ,MOS管M2、M0S管M3、M0S管 M4、M0S 管 MCUMOS 管 MC2、M0S 管 MC3、M0S 管 MC4、M0S 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用 P-M0S。
[0014]本发明的另一目的在于提供一种集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括多个小电流偏置电路及滤波电路，所述小电流偏置电路的输出端连接所述滤波电路的输入端，所述多个小电流电路相互级联。
[0015]本发明的进一步技术方案是:所述小电流偏置电路包括电流源Ibg、M0S管M1、M0S管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3 及 MOS 管 MC4，所述电流源Ibg 一端分别连接所述MOS管Ml的漏极、栅极及MOS管M2的栅极，所述MOS管Ml、MOS管M2,MOS管M3及MOS管M4的源极相连，所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极，所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极，所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极，所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MCl的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地，所述电流源Ibg的另一端接地。
[0016]本发明的进一步技术方案是:所述滤波电路包括MOS管MA、MOS管MB及电容C2，所述MOS管MA的栅极及MOS管MB的栅极、漏极分别连接所述MOS管M4的漏极，所述MOS管MA的源极与MOS管MB的源极相连，所述电容C2与所述MOS管MA的漏极至源极并联。
[0017]本发明的进一步技术方案是:所述比例放大模块包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2，所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管Ml ,MOS管M2、M0S管M3、M0S管 M4、M0S 管 MCUMOS 管 MC2、M0S 管 MC3、M0S 管 MC4、M0S 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用 P-MOS ；所述多个小电流偏置电路相互隔离。
[0018]本发明的另一目的在于提供集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放大器的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括滤波电路，所述滤波电路包括虚拟电阻Rf及电容C2，所述虚拟电阻Rf与所述电容C2并联，所述虚拟电阻包括MOS管M5及MOS管M6，所述MOS管M5的源极分别连接所述MOS管M6的栅极、漏极，所述MOS管M5的栅极、漏极相连。
[0019]本发明的进一步技术方案是:所述比例放大模块包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2，所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管M5、M0S管M6均采用P-M0S。
[0020]本发明的有益效果是:通过小电流偏置电路与电容构成高通滤波功能，去除输入信号直流压差对放大增益的限制，提高电路信噪比，实现极低频率范围内的片内集成高通滤波功能，采用集成化电路取代仪表结构，降低了功耗。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是本发明实施例提供的可片内集成高通滤波功能的全差分放大结构；
[0022]图2是本发明实施例提供的偏置小电流电路结构；
[0023]图3是本发明实施例提供的虚拟电阻替代偏置小电流实现高通滤波的原理图；
[0024]图4是本发明实施例提供的幅度频率响应图；
[0025]图5是本发明实施例提供的集成的全差分放大器的结构框图。
【具体实施方式】
[0026]附图标记:10_小电流偏置电路100-第一滤波模块200-比例放大模块300-第二滤波模块
[0027]如图1、2所示，本发明提供的一种集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块100、第二滤波模块300、比例放大模块200，所述第一滤波模块100的输出端连接所述比例放大模块200的输入端，所述第二滤波模块300的输出端连接所述比例放模块200的输入端；所述第一滤波模块100、第二滤波模块300的结构相同，其包括小电流偏置电路10及滤波电路，所述小电流偏置电路10的输出端连接所述滤波电路的输入端。通过小电流偏置电路与电容构成高通滤波功能，去除输入信号直流压差对放大增益的限制，提高电路信噪比，实现极低频率范围内的片内集成高通滤波功能，采用集成化电路取代仪表结构，降低了功耗。
[0028]所述小电流偏置电路10包括电流源Ibg、MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、M0S管MCUMOS管MC2、M0S管MC3及MOS管MC4，所述电流源Ibg —端分别连接所述MOS管Ml的漏极、栅极及MOS管M2的栅极，所述MOS管M1、M0S管M2、M0S管M3及MOS管M4的源极相连，所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极，所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极，所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极，所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MCl的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地，所述电流源Ibg的另一端接地。
[0029]所述滤波电路包括MOS管MA、M0S管MB及电容C2，所述MOS管MA的栅极及MOS管MB的栅极、漏极分别连接所述MOS管M4的漏极，所述MOS管MA的源极与MOS管MB的源极相连，所述电容C2与所述MOS管MA的漏极至源极并联。
[0030]所述比例放大模块200包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2，所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管MC1、MOS管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用 P-MOS。
[0031]本发明的另一目的在于提供一种集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块100、第二滤波模块300、比例放大模块200，所述第一滤波模块100的输出端连接所述比例放大模块200的输入端，所述第二滤波模块300的输出端连接所述比例放模块200的输入端；所述第一滤波模块100、第二滤波模块300的结构相同，其包括多个小电流偏置电路10及滤波电路，所述小电流偏置电路10的输出端连接所述滤波电路的输入端，所述多个小电流电路10相互级联。
[0032]所述小电流偏置电路10包括电流源Ibg、MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、M0S管MCUMOS管MC2、M0S管MC3及MOS管MC4，所述电流源Ibg —端分别连接所述MOS管Ml的漏极、栅极及MOS管M2的栅极，所述MOS管M1、M0S管M2、M0S管M3及MOS管M4的源极相连，所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极，所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极，所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极，所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MCl的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地，所述电流源Ibg的另一端接地。
[0033]所述滤波电路包括MOS管MA、M0S管MB及电容C2，所述MOS管MA的栅极及MOS管MB的栅极、漏极分别连接所述MOS管M4的漏极，所述MOS管MA的源极与MOS管MB的源极相连，所述电容C2与所述MOS管MA的漏极至源极并联。
[0034]所述比例放大模块200包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2，所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大。[0035]所述MOS 管 Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA 及 MOS 管 MB 均采用 P-MOS。
[0036]所述多个小电流偏置电路10相互隔离。
[0037]如图3所示，本发明的另一目的在于提供集成的全差分放大器，该全差分放大器包括第一滤波模块100、第二滤波模块300、比例放大模块200，所述第一滤波模块100的输出端连接所述比例放大模块200的输入端，所述第二滤波模块300的输出端连接所述比例放模块200的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括滤波电路，所述滤波电路包括虚拟电阻Rf及电容C2，所述虚拟电阻Rf与所述电容C2并联，所述虚拟电阻包括MOS管M5及MOS管M6，所述MOS管M5的源极分别连接所述MOS管M6的栅极、漏极，所述MOS管M5的栅极、漏极相连。
[0038]所述比例放大模块200包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2，所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管M5、MOS管M6均采用P-M0S。
[0039]采用集成电路方式，实现低频率小信号的放大功能，并通过全片内集成高通滤波功能，解决在极低频率范围下，由于双端输入信号存在不同直流压差而导致放大倍数受限制的问题。
[0040]如图1所不,全差分放大器包括:双端输入双端输出全差分放大器，电容比例放大结构，小电流偏置电路。
[0041]其中双端输入双端输出全差分放大器(OTA !operational transconductanceamplifier)具有高增益，低功耗，低噪声的特性；电容与小电流偏置电路构成反馈结构，实现高通滤波功能，去除输入信号中不同的直流压差影响；电容比例放大电路对小信号进行放大处理； [0042]OTA与四个电容构成电容比例放大电路，实现增益Av的放大功能，同时与跨接在放大器上的虚拟电阻共同实现截止频率fhp高通滤波特性。
[0043]一中-石，2π tAVc2* Cl
[0044]传递函数如式(I):
(VO + )-(VO-) ClI⑴
-__ - X --(丄)
[0045](爾+ )-(顺―)Cl 1+ IB
AVc2 X C2 X s
[0046]由于目标信号在很低的频率范围内，如几赫兹，因此为了不影响有效信号的采集，我们需要将高通滤波的截止频率fhpfhp设置在这个频率范围以下，按照传统的滤波结构，需要很大的电阻电容，不利于在片内集成。为了解决这个问题，我们提出如图2所示的小电流偏置电路结构，通过电流分流方法大大降低偏置电流，其关系式为:
[0047]IB =」Zbtr ( 2 )
/V-[0048]其中Ibg为集成电路片内产生的带隙基准电流。
[0049]通过Cadence Spectre工具米用GSMC0.18 μ m工艺进行了后仿真，图4是该结构的幅度频率响应曲线，从AC特性仿真结果看，当偏置小电流为IOpA时，高通截止频率为39.8Hz，当偏置小电流为IpA时，高通截止频率为3.16Hz，仿真时电容Cl为12pF，电容C2为1.2pF，结果基本与设计相符；如果继续降低偏置电流或者增大电容C2的值，可得到更低的截止频率。
[0050]上述集成电路能够通过晶圆厂生产并进行封装形成独立的全差分放大器IC芯片，或与其他的集成电路合并一起进行封装够成具有多功能的封装芯片。
[0051]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种集成的全差分放大器，其特征在于，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括小电流偏置电路及滤波电路，所述小电流偏置电路的输出端连接所述滤波电路的输入端。
2.根据权利要求1所述的全差分放大器，其特征在于，所述小电流偏置电路包括电流源 Ibg、MOS 管 M1、M0S 管 M2、M0S 管 M3、M0S 管 M4、M0S 管 MCUMOS 管 MC2、M0S 管 MC3 及 MOS管MC4，所述电流源Ibg—端分别连接所述MOS管Ml的漏极、栅极及MOS管M2的栅极，所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源极相连，所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极，所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极，所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极，所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MCl的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地，所述电流源Ibg的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的全差分放大器，其特征在于，所述滤波电路包括MOS管MA、MOS管MB及电容C2，所述MOS管MA的栅极及MOS管MB的栅极、漏极分别连接所述MOS管M4的漏极，所述MOS管MA的源 极与MOS管MB的源极相连，所述电容C2与所述MOS管MA的漏极至源极并联。
4.根据权利要求3所述的全差分放大器，其特征在于，所述比例放大模块包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2,所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA及MOS管MB均采用P-MOS。
5.一种集成的全差分放大器，其特征在于，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括多个小电流偏置电路及滤波电路，所述小电流偏置电路的输出端连接所述滤波电路的输入端，所述多个小电流电路相互级联。
6.根据权利要求5所述的全差分放大器，其特征在于，所述小电流偏置电路包括电流源 Ibg、M0S 管 M1、M0S 管 M2、M0S 管 M3、M0S 管 M4、M0S 管 MCUMOS 管 MC2、M0S 管 MC3 及 MOS管MC4，所述电流源Ibg —端分别连接所述MOS管Ml的漏极、栅极及MOS管M2的栅极，所述MOS管Ml、MOS管M2、MOS管M3及MOS管M4的源极相连，所述MOS管M3的栅极、漏极及MOS管M4的栅极分别连接所述MOS管MC4的漏极，所述MOS管MC4的源极连接所述MOS管MC3的漏极，所述MOS管MC4的栅极分别连接所述MOS管MC3的栅极及MOS管MC2的栅极，所述MOS管MC2的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MCl的栅极、漏极分别连接所述MOS管M2的漏极，所述MOS管MC1、MOS管MC2及MOS管MC3的源极接地，所述电流源Ibg的另一端接地。
7.根据权利要求6所述的全差分放大器，其特征在于，所述滤波电路包括MOS管MA、MOS管MB及电容C2，所述MOS管MA的栅极及MOS管MB的栅极、漏极分别连接所述MOS管M4的漏极，所述MOS管MA的源极与MOS管MB的源极相连，所述电容C2与所述MOS管MA的漏极至源极并联。
8.根据权利要求7所述的全差分放大器，其特征在于，所述比例放大模块包括双端输入双端输出的全差分放大器0ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2,所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管Ml、MOS 管 M2、MOS 管 M3、MOS 管 M4、MOS 管 MC1、MOS 管 MC2、MOS 管 MC3、MOS 管 MC4、MOS 管 MA及MOS管MB均采用P-MOS ;所述多个小电流偏置电路相互隔离。
9.一种集成的全差分放大器，其特征在于，该全差分放大器包括第一滤波模块、第二滤波模块、比例放大模块，所述第一滤波模块的输出端连接所述比例放大模块的输入端，所述第二滤波模块的输出端连接所述比例放模块的输入端；所述第一滤波模块、第二滤波模块的结构相同，其包括滤波电路，所述滤波电路包括虚拟电阻Rf及电容C2，所述虚拟电阻Rf与所述电容C2并联，所述虚拟电阻包括MOS管M5及MOS管M6，所述MOS管M5的源极分别连接所述MOS管M6的栅极、漏极，所述MOS管M5的栅极、漏极相连。
10.根据权利要求9所述的全差分放大器，其特征在于，所述比例放大模块包括双端输入双端输出的全差分放大器0 ΤΑ、两个电容Cl、两个电容C2,所述全差分放大器OTA的正输入端连接其中一个所述电容Cl的一端，其中一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的正输入端至负输出端并联，所述全差分放大器OTA的负输入端连接其中另一个电容Cl的一端，其中另一个所述电容C2与所述全差分放大器OTA的负输入端至正输出端并联，所述全差分放大器OTA与四个电容构成电容比例放大电路实现增益Av的放大；所述MOS管M5、M0S管M6均采用P-MOS。
【文档编号】H03F3/45GK104009723SQ201410238994
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年5月30日 优先权日:2014年5月30日
【发明者】程亚宇 申请人:深圳贝特莱电子科技有限公司