性设计中，反馈电 路可以一直被启用以提供反馈。这一示例性设计可使得较小的源极退化电感器能够用于放 大器。对于两种示例性设计，反馈电路可具有可变增益以为放大器提供可变输入阻抗。
[0100] 图8示出了用于执行信号放大的过程800的示例性设计。输入信号可以用包括源 极退化电感器的放大器电路来放大以获得输出信号（框812)。可以用耦合在放大器电路的 节点与源极退化电感器之间的反馈电路来提供反馈（例如负反馈或正反馈）以改变包括放 大器电路和反馈电路的放大器的输入阻抗（框814)。
[0101] 在一示例性设计中，放大器可以是支持在第一和第二频带群上的操作的多频带放 大器。放大器可以提供用于第一频带群（例如低频带）的输出信号或者用于第二频带群 (例如中频带或高频带）的第二输出信号。反馈电路可以（i)当放大器提供用于第一频带 群的输出信号时被启用，或者（ii)当放大器提供用于第二频带群的第二输出信号时被禁 用。
[0102] 在另一示例性设计中，放大器可以支持载波聚集。放大器可以（i)在单输出模式 中提供输出信号或第二输出信号中的任一者，或者（ii)在多输出模式中提供输出信号和 第二输出信号两者。反馈电路可以在单输出模式中被启用并且在多输出模式中被禁用。
[0103] 本文中公开的具有经助推或经制推的源极退化电感的放大器可实现在1C、模 拟IC、RFIC、混合信号IC、ASIC、印刷电路板（PCB)、电子设备等上。这些放大器也可以用 各种IC工艺技术来制造，诸如互补金属氧化物半导体（CMOS)、N沟道MOS (NMOS)、P沟道 MOS(PMOS)、双极型结型晶体管（BJT)、双极型CMOS(BiCMOS)、硅锗（SiGe)、砷化镓（GaAs)、 异质结双极型晶体管（HBT)、高电子迀移率晶体管（HEMT)、绝缘体上覆硅（SOI)等。
[0104] 实现具有经助推或经制推的源极退化电感的装置可以是自立的设备或者可以是 较大设备的一部分。设备可以是（i)自立的IC，（ii)具有一个或多个IC的集合，其可包 括用于存储数据和/或指令的存储器IC，（iii) RFIC，诸如RF接收机（RFR)或RF发射机/ 接收机（RTR)，（iv)ASIC，诸如移动站调制解调器（MSM)，（V)可嵌入在其他设备内的模块， (vi)接收机、蜂窝电话、无线设备、手持机、或者移动单元，（vii)其他等等。
[0105] 在一个或多个示例性设计中，所描述的功能可以在硬件、软件、固件、或其任何组 合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可 读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，包括促 成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何 可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或 其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能用于携带或存储指令或数据结构形式的 期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介 质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线（DSL)、或诸如红外、无 线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电 缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质 的定义之中。如本文中所使用的盘（disk)和碟（disc)包括压缩碟（CD)、激光碟、光碟、数 字多用碟（DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘（disk)往往以磁的方式再现数据，而碟（disc)用激 光以光学方式再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。
[0106] 提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公 开。对本公开的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的普适原 理可被应用于其他变形而不会脱离本公开的范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中 所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范 围。
【主权项】
1. 一种装置，包括： 放大器电路，其能配置成接收输入信号并且提供输出信号，所述放大器电路包括源极 退化电感器；以及 反馈电路，其耦合在所述放大器电路的节点与所述源极退化电感器之间。2. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述放大器电路包括： 增益晶体管，其耦合至所述源极退化电感器并且能配置成接收和放大所述输入信号； 以及 共源共栅晶体管，其耦合至所述增益晶体管并且能配置成提供所述输出信号。3. 如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述放大器电路进一步包括： 第二共源共栅晶体管，其耦合至所述增益晶体管并能配置成提供第二输出信号。4. 如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述放大器电路进一步包括： 第二增益晶体管，其耦合至第二源极退化电感器并且能配置成用于接收和放大第二输 入信号； 第三共源共栅晶体管，其耦合至所述第二增益晶体管和所述共源共栅晶体管；以及 第四共源共栅晶体管，其耦合至所述第二增益晶体管和所述第二共源共栅晶体管。5. 如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述反馈电路包括： 第二增益晶体管，其耦合至所述共源共栅晶体管并能配置成接收和放大所述输出信 号；以及 第二共源共栅晶体管，其耦合在所述第二增益晶体管和所述源极退化电感器之间。6. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括： 第二反馈电路，其耦合在所述放大器电路的第二节点与所述放大器电路内的所述源极 退化电感器或第二源极退化电感器之间。7. 如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述放大器电路进一步包括： 能调节电容器，其耦合在所述增益晶体管的栅极与源极之间。8. 如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述增益晶体管和所述共源共栅晶体管包 括N沟道金属氧化物半导体（NMOS)晶体管，而所述第二增益晶体管和所述第二共源共栅晶 体管包括P沟道金属氧化物半导体（PMOS)晶体管。9. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述放大器电路能配置成提供用于第一频 带群的所述输出信号或者用于第二频带群的第二输出信号，并且所述反馈电路在所述放大 器电路提供用于所述第一频带群的所述输出信号时被启用以及在所述放大器电路提供用 于所述第二频带群的所述第二输出信号时被禁用。10. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述放大器电路能配置成在单输出模式中 提供所述输出信号或第二输出信号中的任一者以及在多输出模式中提供所述输出信号和 所述第二输出信号两者。11. 如权利要求10所述的装置，其特征在于，所诉反馈电路在所述单输出模式中被启 用并且在所述多输出模式中被禁用。12. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反馈电路能被编程以提供反馈或者不 提供反馈。13. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反馈电路一直被启用以提供反馈。14. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反馈电路具有可变增益以为所述放大 器提供可变输入阻抗。15. -种方法，包括： 用包括源极退化电感器的放大器电路来放大输入信号以获得输出信号；以及 用耦合在所述放大器电路的节点与所述源极退化电感器之间的反馈电路来提供反馈 以改变包括所述放大器电路和所述反馈电路的放大器的输入阻抗。16. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括： 提供用于第一频带群的输出信号或者用于第二频带群的第二输出信号； 当提供用于所述第一频带群的所述输出信号时启用所述反馈电路；以及 当提供用于所述第二频带群的所述第二输出信号时禁用所述反馈电路。17. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括： 在单输出模式中提供所述输出信号或第二输出信号中的任一者； 在多输出模式中提供所述输出信号和所述第二输出信号两者； 在所述单输出模式中启用所述反馈电路；以及 在所述多输出模式中禁用所述反馈电路。18. -种设备，包括： 用于放大输入信号以获得输出信号的装置，所述用于放大的装置包括用于退化的装 置；以及 用于提供耦合在所述用于放大的装置的节点与所述用于退化的装置之间的反馈的装 置，所述用于提供反馈的装置被配置成改变包括所述用于放大的装置和所述用于提供反馈 的装置的放大器装置的输入阻抗。19. 如权利要求18所述的设备，其特征在于，所述用于放大的装置被配置用于提供用 于第一频带群的输出信号或者用于第二频带群的第二输出信号，并且所述用于提供反馈的 装置在所述用于放大的装置提供用于所述第一频带群的所述输出信号时被启用以及在所 述用于放大的装置提供用于所述第二频带群的所述第二输出信号时被禁用。20. 如权利要求18所述的设备，其特征在于，所述用于放大的装置被配置成在单输出 模式中提供所述输出信号或第二输出信号中的任一者以及在多输出模式中提供所述输出 信号和所述第二输出信号两者，并且所述用于提供反馈的装置在所述单输出模式中被启用 并且在所述多输出模式中被禁用。
【专利摘要】公开了具有经助推或经制推的源极退化电感的放大器。在一示例性设计中，一种装置包括放大器电路(400)和反馈电路(450)。放大器电路(400)接收输入信号(RFin)并且提供输出信号(RFout)，并且包括源极退化电感器(432)。反馈电路(450)耦合在放大器电路的节点与源极退化电感器(432)之间。反馈电路(450)提供反馈以改变包括放大器电路和反馈电路的放大器的输入阻抗。反馈电路(450)可以是可编程的并且可以被启用以提供反馈或者被禁用以不提供反馈。替换地，反馈电路(450)可以一直被启用以提供反馈。在任一种情形中，反馈电路(450)可具有可变增益以为放大器提供可变输入阻抗。
【IPC分类】H03F3/193, H03F3/45, H03F3/24, H03F1/22, H03F1/34, H03F3/72, H03F3/68
【公开号】CN105103442
【申请号】CN201480019390
【发明人】R·许, L-C·常
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2014年4月1日
【公告号】US9124228, US20140300417, WO2014165480A1