屏蔽片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种屏蔽片。根据本发明的实施方式的屏蔽片包括：被配置用于屏蔽EMI的导电基板，形成在导电基板上的凹槽，以及形成在凹槽中的散热材料。
【专利说明】
屏蔽片
技术领域
[0001]本发明涉及屏蔽片(shield sheet)。
【背景技术】
[0002]因为电子装置中产生的热量造成电子装置和电子电路的故障，所以需要用于阻断EMI和由电子装置产生的热量的EMI屏蔽片。
[0003]常规的屏蔽片的研发主要集中在EMI屏蔽上使得散热功能不足。为了增加散热效率，不同种类的散热片被添加到屏蔽片。但是，这种解决方案使得屏蔽片变厚。
[0004]另外，存在将屏蔽片的材料与导电散热填料混合的另一种解决方案，而其造成的涡流增加了热量。
[0005]本发明的现有技术在韩国专利公开N0.10-2013-0108921中公开(ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD SHEET ;于 2013 年 10 月 7 号公开)。
【发明内容】
[0006]根据本发明的示例性实施方式的一个方面，提供一种屏蔽片，该屏蔽片包括形成在导电基板的凹槽中的散热材料。屏蔽片包括导电基板、凹槽、和散热材料，并且可以进一步包括散热构件，该散热构件耦接至导电基板的边(side，侧面)。
[0007]突出部可以形成在导电基板的边上，并且散热构件形成在突出部的上表面上。多个突出部可以围绕导电基板的边形成。
[0008]散热构件可以与凹槽中的散热材料接触，并且散热构件可包括氧化铍(BeO2)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、和氧化铝中的至少一种。
[0009]凹槽可包括多个第一凹槽和多个第二凹槽。第一凹槽和第二凹槽可形成网格。凹槽的截面面积可以沿着朝向导电基板的底部的方向减小。凹槽的深度可以在导电基板的厚度的10%至20%范围内。
[0010]散热材料可以通过将膏(paste，浆料)填充在凹槽中形成，或者通过转移到凹槽中形成。散热材料可包括氧化铍(BeO2)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、和氧化铝中的至少一种。
【附图说明】
[0011]图1是屏蔽片的的示例性实施方式的俯视图；
[0012]图2示出屏蔽片的导电基板；
[0013]图3示出屏蔽片上的凹槽；
[0014]图4是沿图1中的A-A’截取的截面图；
[0015]图5是屏蔽片的另一不例性实施方式的俯视图；
[0016]图6不出根据另一实施方式的屏蔽片的导电基板；
[0017]图7是屏蔽片的又一示例性实施方式的俯视图；
[0018]图8示出根据又一示例性实施方式的屏蔽片的导电基板和凹槽；
[0019]图9示出根据又一示例性实施方式的散热材料；
[0020]图10示出根据又一示例性实施方式的散热构件；以及
[0021]图11是沿B-B’截取的截面图。
【具体实施方式】
[0022]在下文中，将参考附图描述根据本发明的屏蔽片。在参考附图描述本发明时，任何相同的或相应的元件将被分配有相同的参考标号，并且将不会对其提供多余的描述。
[0023]在描述各个元件时可使用如“第一”和“第二”的术语，但是，不应将上述元件局限于上述术语。上述术语仅用于将一个元件与另一个进行区分。
[0024]当一个元件被描述为“耦接”至另一个元件时，这并不仅仅指这两个元件之间的物理的、直接的接触，而且还应包括以下可能性，即，又一元件介于这两个元件之间，并且这两个元件中的每一个与所述又一元件接触。
[0025]图1是屏蔽片的示例性实施方式的俯视图，图2示出屏蔽片的导电基板，图3示出屏蔽片上的凹槽，并且图4是沿图1中的A-A’截取的截面图。
[0026]参照图1至图4，屏蔽片100包括导电基板110、凹槽120、和散热材料130。
[0027]导电基板110被配置为用于屏蔽EMI (电磁干扰)并且是具有高导电性的导电片。例如，导电基板110可以是金属片、或者由金属和软磁材料制成的复合片。导电基板110可以形成为具有0.1mm至0.3mm的范围内的厚度的平板的形状。
[0028]在屏蔽片100应用到无线充电器的情况下，导电基板110放置在无线充电器中的接收线圈上使得能够有效接收由发送器产生的EMI并且防止除接收线圈之外的其余部分暴露于EMI福射。
[0029]凹槽120形成在导电基板110的顶面上，并且在屏蔽片100应用到无线充电器的情况下，凹槽位于接收线圈的相对侧上。凹槽120可以通过，例如，机械钻孔、激光钻孔等形成。
[0030]凹槽120的深度可以在导电基板110的厚度的10%至20%的范围内。如果凹槽120的深度超过20%的导电基板110的厚度，导电基板110的屏蔽效果减小，并且如果凹槽120的深度小于导电基板110的厚度的10%，那么凹槽120中的散热材料130的散热效果减小。
[0031]凹槽120可包括多个第一凹槽121和多个第二凹槽122。
[0032]多个第一凹槽121沿第一方向延伸并且并排地布置。例如，第一凹槽121在图3中竖直延伸。
[0033]多个第二凹槽122沿第二方向延伸并且并排地布置。第一凹槽121和第二凹槽122可以形成网格。第二凹槽122在图3中水平延伸。多个第一凹槽121均匀间隔开，并且多个第二凹槽122也均匀间隔开。
[0034]凹槽120的截面面积可以沿朝向导电基板110的底部的方向减少。例如，凹槽可以是锥形的并且在纵向截面中具有倒置的三角形。在这个实施方式中，以下将描述的散热材料130也可具有与凹槽120相同的形状使得导电基板110的横向方向上的热导率将变得大于上下方向上的热导率。
[0035]形成在凹槽120中的散热材料130可以是导电材料或可以是具有高热导率的不导电材料。用于散热材料130的导电材料的实例可以是金属。用于散热材料130的不导电材料可以是，例如，氧化铍(BeO2)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、和氧化铝中的至少一种。
[0036]氧化铍的热导率是260W/mK，氮化铝的热导率是320W/mK，碳化硅的热导率是270W/mK，并且氮化铝的热导率是24WmK-35W/mK。
[0037]散热材料130被完全填满在凹槽120中，并且如图4所示，导电基板110的上表面和散热材料130可以是平面。
[0038]散热材料130可以通过将散热膏填充到凹槽120中形成。也就是，具有氧化铍(BeO2)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、和氧化铝中的至少一种的散热膏填充到凹槽120中，并且膏中的粘合剂挥发之后，散热材料130保留在凹槽120中。
[0039]并且，散热材料130可以通过被转移到凹槽120中形成。也就是，如薄膜的载体被移动到导电基板110的上表面上以便将位于载体上的散热材料130转移到凹槽120中。
[0040]除以上描述的方法之外，散热材料130可以各种各样的方式形成在凹槽120中。
[0041]由如无线充电器中的接收线圈的发热体产生的热量可以通过散热材料130和导电基板110消散到外部。特别是，由于散热材料130，使得散热效果可以最大化。
[0042]屏蔽片100可以进一步包括散热构件140。散热构件140具有高热导率并且可以耦接至导电基板110的边。
[0043]散热构件140可以是金属或者具有高热导率非金属材料。在后者的情况下，散热构件140可以由氧化铍(BeO2)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、和氧化铝中的至少一种形成。但是，应理解不需要形成具有与散热材料130的材料相同的材料的散热构件140。
[0044]突出部111可以形成在导电基板110的边上，并且散热构件140可以形成在突出部111的上表面上。多个突出部111可以沿着导电基板110的边形成为锯齿形状。散热构件140可以填充到容置凹槽112中，或移植或附接在突出部111的上表面上。在前者的情况下，可以同时形成容置凹槽112和凹槽120。
[0045]散热构件140可以形成为与凹槽120中的散热材料130接触。在这种情况下，导电基板110的突出部111可以形成在凹槽120的端部。因此，热量可以通过散热材料130和散热构件140消散。特别是，用于散热的面积由于散热构件140而变得更大使得散热效率增加。
[0046]图5是屏蔽片的另一个实施方式的俯视图，并且图6示出根据另一实施方式的屏蔽片的导电基板。
[0047]参照图5和图6，导电基板110的突出部111的边可以是不平坦的(uneven，凹凸的)。不平坦的边的高度可以是与突出部111的高度相同。
[0048]散热构件140的形状可以形成为与突出部111和不平坦的边的形状相对应。也就是，散热构件140可以形成在突出部111和不平坦的边的上表面上。在这个实施方式中，容置凹槽可以形成在突出部111和不平坦的边上，并且散热构件140可以形成在容置凹槽中。
[0049]用于散热的面积由于不平坦的边而变得更大，从而增加了散热效果。
[0050]图7是屏蔽片的又一不例性实施方式的俯视图，图8不出根据又一不例性实施方式的屏蔽片的导电基板和凹槽，图9示出根据又一示例性实施方式的散热材料，图10示出根据又一示例性实施方式的散热构件，并且图11是沿B-B’截取的截面图。
[0051]参照图5至图9，根据又一示例性实施方式的屏蔽片包括导电基板210、凹槽220、和散热材料230，并且可以进一步包括散热构件240。
[0052]导电基板210、凹槽220、和散热材料230是与以上说明的那些相同的。也就是，导电基板210被配置为用于遮蔽EMI。凹槽220形成在导电基板210的上表面上，并且如图8所示，可包括第一凹槽221和第二凹槽222。形成在凹槽220中的散热材料230可以是导电材料或可以是具有高热导率的不导电材料。
[0053]在这个示例性实施方式中，突出部不形成在导电基板210上，并且散热构件240直接耦接至导电基板210的边。也就是，如图9所示，散热构件240的厚度和导电基板210的厚度是相同的。
[0054]散热构件240可以耦接至导电基板210的边成为锯齿形状，并且因此，用于散热的区域变得更大并且散热效率也变得更大。在这个实施方式中，散热构件240可以耦接至凹槽220的端部。
[0055]如上所述，根据本发明的屏蔽片，可以提供一种具有高EMI屏蔽和散热效率的屏蔽片，所以当这个屏蔽片应用到无线充电器时，其可以通过有效消散无线充电器中产生的热量来防止充电效率减少。
[0056]尽管上面已经描述了本发明的特定实施方式，但是对于本发明所属领域的普通技术人员来说应当理解的是，在不背离本发明的技术构思和范围的情况下，存在本发明的各种改变和修改，本发明的技术构思和范围应由所附权利要求来限定。也应理解的是，除上述实施方式以外的大量其他实施方式也包括在本发明的权利要求中。
【主权项】
1.一种屏蔽片，包括: 导电基板，被配置用于屏蔽电磁干扰； 凹槽，形成在所述导电基板上；以及 散热材料，形成在所述凹槽中。2.根据权利要求1所述的屏蔽片，进一步包括:散热构件，所述散热构件耦接在所述导电基板的边上。3.根据权利要求2所述的屏蔽片，其中，突出部形成在所述导电基板的所述边上，其中，所述散热构件形成在所述突出部上。4.根据权利要求3所述的屏蔽片，其中，多个所述突出部形成在所述导电基板的所述边上。5.根据权利要求3所述的屏蔽片，其中，所述突出部的边是不平坦的，其中，所述散热材料形成在所述突出部上。6.根据权利要求2所述的屏蔽片，其中，所述散热构件与所述凹槽中的所述散热材料接触。7.根据权利要求2所述的屏蔽片，其中，所述散热构件包含以下各项中的至少一种:氧化铍、氮化铝、碳化硅、和氧化铝。8.根据权利要求1所述的屏蔽片，其中，所述凹槽包括沿第一方向延伸并且并排排列的多个第一凹槽。9.根据权利要求8所述的屏蔽片，其中，所述凹槽进一步包括沿第二方向延伸并且并排排列的多个第二凹槽。10.根据权利要求9所述的屏蔽片，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽形成网格。11.根据权利要求1所述的屏蔽片，其中，所述凹槽的截面面积沿着朝向所述导电基板的底部的方向减小。12.根据权利要求1所述的屏蔽片，其中，所述凹槽的深度在10%至20%的所述导电基板的厚度的范围内。13.根据权利要求1所述的屏蔽片，其中，所述散热材料通过将膏填充在所述凹槽中形成。14.根据权利要求1所述的屏蔽片，其中，所述散热材料通过被转移到所述凹槽中形成。15.根据权利要求1所述的屏蔽片，其中，所述散热材料包括以下各项中的至少一种:氧化铍、氮化铝、碳化娃、和氧化铝。
【文档编号】H05K9/00GK105992510SQ201510094782
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年3月3日
【发明人】赵中英, 郑钟镐, 松元裕之, 徐正旭, 赵诚男
【申请人】三星电机株式会社