超宽带低噪声放大电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种应用于通信与测量、车载雷达等领域的超宽带低噪声放大电路。
【背景技术】
[0002]超宽带低噪声放大电路是超宽带无线通信传输机一个基本部件。在要求频段内，超宽带低噪声放大电路需要同时具备高的增益、低的噪声系数和良好的端口匹配。现有的超宽带低噪声放大电路存在以下缺点:在超宽带内增益平坦度差。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型目的是解决超宽带低噪声放大电路在超宽带内增益平坦度差等技术冋题。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案为:
[0005]本实用新型所述超宽带低噪声放大电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、直流电源、交流电源，所述第一晶体管的基极分别连接所述交流电源的一端和所述第一电阻的一端，所述第一晶体管的发射极分别连接所述第一电容的一端和所述第二电阻的一端，所述第一晶体管的集电极分别连接所述第二晶体管的基极和所述第三电阻的一端，所述交流电源的另一端、所述第一电容的另一端和所述第二电阻的另一端均接地，所述第三电阻的另一端和所述第三晶体管的集电极作为所述放大电路的信号输出端，所述第二晶体管的发射极分别连接所述第四电阻的一端和所述第三晶体管的基极，所述第二晶体管的集电极连接所述第五电阻的一端，所述第四电阻的另一端分别连接所述第一电阻的另一端和所述第六电阻的一端，所述第五电阻的另一端连接所述直流电源的正极，所述第三晶体管的发射极分别连接所述第六电阻的另一端、所述第七电阻的一端和所述第二电容的一端，所述第七电阻的另一端和所述第二电容的另一端均接地。
[0006]与现有技术相比，本实用新型的有益效果:
[0007]本实用新型所述超宽带低噪声放大电路，通过第一电容和第二电容补偿高频增益，缓解在宽频带内的增益速降，改善宽频带增益平坦度。
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型所述超宽带低噪声放大电路的电路图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合说明书附图，对本实用新型作进一步的说明。
[0010]如图1所示，本实用新型所述超宽带低噪声放大电路，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2A、第三晶体管Q2B、第一电阻Rfl、第二电阻Rel、第三电阻Rf2、第四电阻R1、第五电阻Rcc、第六电阻R2、第七电阻Re2、第一电容Cl、第二电容C2、直流电源Vcc、交流电源Vs，所述第一晶体管Ql的基极分别连接所述交流电源Vs的一端和所述第一电阻Rfl的一端，所述第一晶体管Ql的发射极分别连接所述第一电容Cl的一端和所述第二电阻Rel的一端，所述第一晶体管Ql的集电极分别连接所述第二晶体管Q2A的基极和所述第三电阻Rf2的一端，所述交流电源Vs的另一端、所述第一电容Cl的另一端和所述第二电阻Rel的另一端均接地，所述第三电阻Rf2的另一端和所述第三晶体管Q2B的集电极作为所述放大电路的信号输出端Vout，所述第二晶体管Q2A的发射极分别连接所述第四电阻Rl的一端和所述第三晶体管Q2B的基极，所述第二晶体管Q2A的集电极连接所述第五电阻Rcc的一端，所述第四电阻Rl的另一端分别连接所述第一电阻Rfl的另一端和所述第六电阻R2的一端，所述第五电阻Rcc的另一端连接所述直流电源Vcc的正极，所述第三晶体管Q2B的发射极分别连接所述第六电阻R2的另一端、所述第七电阻Re2的一端和所述第二电容C2的一端，所述第七电阻Re2的另一端和所述第二电容C2的另一端均接地。
[0011]其中，所述第一电阻Rfl提供所述第一晶体管Ql的基极电流，且不引入额外噪声。
[0012]其中，所述第四电阻Rl调整所述第二晶体管Q2A的发射极电流。
[0013]其中，所述第六电阻R2调整所述第三晶体管Q2B的发射极电流。
[0014]其中，所述第三电阻Rf2稳定所述第一晶体管Ql的集电极电流。
[0015]其中，所述第五电阻Rcc稳定所述第二晶体管Q2A的集电极电流。
[0016]其中，所述第一电容Cl和所述第二电容C2补偿高频增益。
[0017]综上所述，本实用新型所提供的超宽带低噪声放大电路具有如下优点:
[0018]所述第一晶体管Q2A和第二晶体管Q2B构成达林顿管实现高增益。
[0019]所述第一电阻Rfl、所述第四电阻R1、所述第六电阻R2构成交叉型的复合电阻反馈，分工协作，分别优化输入端噪声、输入阻抗和输出端阻抗。
[0020]所述第一电容Cl和所述第二电容C2补偿高频增益，缓解在宽频带内的增益速降，改善宽频带增益平坦度。
[0021]以上显示和描述了本实用新型的主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【主权项】
1.一种超宽带低噪声放大电路，其特征在于:包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、直流电源、交流电源，所述第一晶体管的基极分别连接所述交流电源的一端和所述第一电阻的一端，所述第一晶体管的发射极分别连接所述第一电容的一端和所述第二电阻的一端，所述第一晶体管的集电极分别连接所述第二晶体管的基极和所述第三电阻的一端，所述交流电源的另一端、所述第一电容的另一端和所述第二电阻的另一端均接地，所述第三电阻的另一端和所述第三晶体管的集电极作为所述放大电路的信号输出端，所述第二晶体管的发射极分别连接所述第四电阻的一端和所述第三晶体管的基极，所述第二晶体管的集电极连接所述第五电阻的一端，所述第四电阻的另一端分别连接所述第一电阻的另一端和所述第六电阻的一端，所述第五电阻的另一端连接所述直流电源的正极，所述第三晶体管的发射极分别连接所述第六电阻的另一端、所述第七电阻的一端和所述第二电容的一端，所述第七电阻的另一端和所述第二电容的另一端均接地。
2.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大电路，其特征在于:所述第一电容和所述第二电容补偿高频增益。
3.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大电路，其特征在于:所述第一电阻、所述第四电阻和所述第六电阻构成交叉型的复合电阻反馈。
【专利摘要】本实用新型公布了一种超宽带低噪声放大电路，涉及电子技术领域，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、直流电源、交流电源，第一晶体管和第二晶体管构成达林顿管实现高增益，第一电阻、第四电阻、第六电阻构成交叉型的复合电阻反馈，分工协作，分别优化输入端噪声、输入阻抗和输出端阻抗，第一电容C1和第二电容C2补偿高频增益，缓解在宽频带内的增益速降，改善宽频带增益平坦度。本实用新型主要用于通信与测量、车载雷达等领域的超宽带低噪声放大电路。
【IPC分类】H03F1-34
【公开号】CN204442296
【申请号】CN201520220532
【发明人】贾素梅, 李国玉, 张宏宇, 王智慧, 杨康
【申请人】邯郸学院
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年4月14日