花瓣型加速器的制造方法

文档序号:10232166阅读:1519来源:国知局
花瓣型加速器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于民用非动力核技术领域,具体涉及一种花瓣型加速器。
【背景技术】
[0002]当前技术中用于辐照处理的射线源有两大类:钴源和加速器。常用的加速器主要有三类:电子帘、地纳米加速器、直线加速器。然而,当前技术存在以下缺陷:1)在同等辐照能力下比较,钴源造价高,由于每年衰减12%,致使运行成本高,存在污染环境的潜在危险,废源处理费用极高;2)电子帘能量极低,只能处理薄膜产品,用途有限;3)直线加速器的平均输出功率低,国内现在最高能达到20kW,用于辐照处理时,生产率受限;4)地纳米加速器最高能量只能做到5MeV,穿透能力受限,用于打靶产生X射线的效率也低。
【实用新型内容】
[0003]针对上述现有技术中存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种可避免出现上述技术缺陷的花瓣型加速器。
[0004]为了实现上述实用新型目的,本实用新型采用的技术方案如下:
[0005]—种花瓣型加速器,包括电子枪1、多个回转磁铁2、加速腔3和平台4,其中:所述加速腔3设置在所述平台4上;所述多个回转磁铁2设置在所述平台4上;所述电子枪1设置在所述平台4上、位于两个所述回转磁铁2之间,所述电子枪1为栅控型、阴栅组件可更换、无聚焦线圈的小型电子枪,所述加速腔3上设置有陶瓷隔离窗。
[0006]本实用新型提供的花瓣型加速器,兼有直线加速器能量高的优点和地纳米加速器功率高、能量均匀性好的优点,最适于作为辐照射线源,用其束流打靶产生的X射线,穿透能力超过钴源,可以很好地满足实际应用的需要。
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的结构不意图;
[0008]图2为高频功率源的电路原理框图;
[0009]图3为末级功放的输入电路;
[0010]图4为末级功放的输出电路;
[0011]图中,1-电子枪,2-回转磁铁,3-加速腔,4-平台。
【具体实施方式】
[0012]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0013]本实用新型名称叫花瓣型加速器,是因被加速电子的轨道形如花瓣而得名。如图1所示,本实用新型的花瓣型加速器,包括电子枪1、多个回转磁铁2、加速腔3平台4,其中:所述加速腔3设置在所述平台4上;所述多个回转磁铁2设置在所述平台4上;所述电子枪1设置在所述平台4上、位于所述多个回转磁铁2中的其中两个回转磁铁2之间。电子束从电子枪1发出,进入中间的加速腔3,受到加速。电子飞出加速腔3后,被加速腔3外的回转磁铁2引导,又重新穿过加速腔3。每穿过一次,电子增加一份能量,穿过η次,就增加η份能量,最后用于照射需要处理的物质(该物质从传送带上通过)。所述加速腔3内有高频功率输入。所述加速腔3上设置有特殊的陶瓷隔离窗,数百千瓦量级的高频功率通过此陶瓷隔离窗输入加速腔3内。由高频功率源输入的高频波在加速器中建立起稳定的符合规范的电磁场。电子能量的增加,来源于加速腔3中的高频电磁场。本实用新型所用的高频功率源频率为100兆赫左右。所述电子枪1为栅控型、低电压、阴栅组件可更换、不需聚焦线圈的小型电子枪。
[0014]高频功率源的电路原理框图如图2所示。经过四级放大,得到加速器所需的高频功率水平,通过陶瓷隔离窗输入加速腔3。如图3所示是末级功放的输入电路,如图4所示是末级功放的输出电路。
[0015]本实用新型利用低压电子枪使初始电子束尽量抵近加速腔,利用加速腔电压来控制电子枪发射,可以使电子束容易达到同步加速。相同辐照能力的造价与地纳米加速器相当(这个价格是最低的价格),而电子束能量可达到与直线加速器一样(这个能量是国际原子能机构颁布的允许最高能量标准),打靶产生的X射线的穿透能力超过钴源,且能输出不同档次的电子束能量,这是其他类型加速器所不具备的。
[0016]本实用新型提供的花瓣型加速器,兼有直线加速器能量高的优点和地纳米加速器功率高、能量均匀性好的优点,最适于作为辐照射线源,用其束流打靶产生的X射线,穿透能力超过钴源,可以很好地满足实际应用的需要。
[0017]以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种花瓣型加速器,其特征在于,包括电子枪(1)、多个回转磁铁(2)、加速腔(3)和平台(4),其中:所述加速腔(3)设置在所述平台(4)上;所述多个回转磁铁(2)设置在所述平台(4)上;所述电子枪(1)设置在所述平台(4)上、位于两个所述回转磁铁(2)之间,所述电子枪(1)为栅控型、阴栅组件可更换、无聚焦线圈的小型电子枪,所述加速腔(3)上设置有陶瓷隔离窗。
【专利摘要】本实用新型涉及一种花瓣型加速器,包括电子枪、多个回转磁铁、加速腔和平台,其中:加速腔设置在平台上;多个回转磁铁设置在平台上;电子枪设置在平台上、位于两个回转磁铁之间。本实用新型提供的花瓣型加速器,兼有直线加速器能量高的优点和地纳米加速器功率高、能量均匀性好的优点,最适于作为辐照射线源,用其束流打靶产生的X射线,穿透能力超过钴源,可以很好地满足实际应用的需要。
【IPC分类】H05H13/00
【公开号】CN205142647
【申请号】CN201520938288
【发明人】王建敏
【申请人】北京鑫智能技术股份有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月23日
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1