一种多台阶军用盖板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种盖板，具体涉及一种多台阶军用盖板。
【背景技术】
[0002]军用电子元器件是指主要应用于军事应用方面的电子元器件，军用电子元器件门类如微电子器件、微电子机械、光电子器件、真空电子器件、化学与物理电源、机电组件与通用元件、特种元件等，随着武器装备的不断发展，电子元器件，尤其是微电子器件在海军装备上的应用越来越广泛，电子元器件的选择和使用就日益显得重要，目前，军用电子元器件在封装时大多采用军用盖板进行封装，军用电子元器件在封装时对于军用盖板的密封性要求较高，现有技术中，军用盖板对于军用电子元器件的密封性要求还存在不足的地方，并且封装效果不佳，针对上述问题，特设计本实用新型加以解决。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种结构轻薄，使用操作便捷，不会产生负重，封装效果更佳的多台阶军用盖板。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]—种多台阶军用盖板，包括第一本体，第一本体厚度为0.13mm，第一本体连接第二本体，第二本体厚度为0.5mm，第二本体上部位置设有第一台体，第一台体截面为梯形结构，第一台体四个顶点处分别设有第一圆角、第二圆角、第三圆角以及第四圆角，第一圆角、第二圆角以及第三圆角半径均为1mm，第四圆角半径为3mm，第一台体采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15mm,第一台体一侧为第二台体，第二台体四个顶点处设有圆角，圆角半径为1_，第二台体采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15_。
[0006]作为上述技术的进一步改进，所述第一本体为方形结构，第二本体为与第一本体形状相适应的方形结构。
[0007]作为上述技术的进一步改进，所述第一本体长度为76mm，第一本体宽度为48mm。
[0008]作为上述技术的进一步改进，所述第二本体长度为73mm，宽度为45mm。
[0009]作为上述技术的进一步改进，所述第二台体为方形结构。
[0010]作为上述技术的进一步改进，所述第二台体长度为22mm，第二台体宽度为16mm。
[0011]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:第一本体连接第二本体，第一本体厚度为0.13_，第二本体厚度为0.5mm，当盖板用于密封军用电子器件时，能够更好的进行卡合，并且结构轻薄，使用操作便捷，不会产生负重，第二本体上部位置设有第一台体，第一台体一侧为第二台体，第一台体为梯形结构，第二台体为方形结构，第一台体和第二台体的四个顶点处分别设有圆角，通过圆角结构，使得第一台体和第二台体边缘处更加圆滑，不会产生尖锐部位，当盖板进行封装时，不会对军用电子器件产生损坏，第一台体和第二台体均采用半刻蚀工艺进行处理，半刻蚀深度均为0.15mm，则第一台体和第二台体呈下陷结构，第一本体、第二本体、第一台体以及第二台体之间形成多台阶结构，便于进行封装，使用更加便捷，并且能够与待封装的军用电子器件之间进行更好的适配，封装效果更佳。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的结构示意图。
[0013]图中:丨-第一本体、2-第二本体、3-第一台体、4-第四圆角、5-第二台体。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【具体实施方式】对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0015]请参阅图，一种多台阶军用盖板，包括第一本体I，第一本体I为方形结构，第一本体I长度为76mm，第一本体I宽度为48mm，第一本体I厚度为0.13mm，第一本体I连接第二本体2，第二本体2为与第一本体I形状相适应的方形结构，第二本体2长度为73mm，宽度为45mm，厚度为0.5_，第二本体2上部位置设有第一台体3，第一台体3截面为梯形结构，第一台体3四个顶点处分别设有第一圆角、第二圆角、第三圆角以及第四圆角4，第一圆角、第二圆角以及第三圆角半径均为1mm，第四圆角4半径为3_，采用圆角结构，使边缘处更加平滑，不会产生尖锐部位，第一台体3采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15mm,第一台体3—侧为第二台体5，第二台体5为方形结构，第二台体5长度为22mm，第二台体5宽度为16mm，第二台体5四个顶点处设有圆角，圆角半径为1mm，第二台体5采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15mm0
[0016]本实用新型工作时，第一本体I连接第二本体2，第一本体I厚度为0.13mm，第二本体2厚度为0.5_，当盖板用于密封军用电子器件时，能够更好的进行卡合，并且结构轻薄，使用操作便捷，不会产生负重，第二本体2上部位置设有第一台体3，第一台体3—侧为第二台体5，第一台体3为梯形结构，第二台体5为方形结构，第一台体3和第二台体5的四个顶点处分别设有圆角，通过圆角结构，使得第一台体3和第二台体5边缘处更加圆滑，不会产生尖锐部位，当盖板进行封装时，不会对军用电子器件产生损坏，第一台体3和第二台体5均采用半刻蚀工艺进行处理，半刻蚀深度均为0.15mm，则第一台体3和第二台体5呈下陷结构，第一本体1、第二本体2、第一台体3以及第二台体5之间形成多台阶结构，便于进行封装，使用更加便捷，并且能够与待封装的军用电子器件之间进行更好的适配，封装效果更佳。
[0017]以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。
【主权项】
1.一种多台阶军用盖板，包括第一本体，其特征在于，第一本体厚度为0.13mm，第一本体连接第二本体，第二本体厚度为0.5mm，第二本体上部位置设有第一台体，第一台体截面为梯形结构，第一台体四个顶点处分别设有第一圆角、第二圆角、第三圆角以及第四圆角，第一圆角、第二圆角以及第三圆角半径均为1_，第四圆角半径为3mm，第一台体采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15mm，第一台体一侧为第二台体，第二台体四个顶点处设有圆角，圆角半径为1_，第二台体采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15_。2.根据权利要求1所述的多台阶军用盖板，其特征在于，所述第一本体为方形结构，第二本体为与第一本体形状相适应的方形结构。3.根据权利要求1所述的多台阶军用盖板，其特征在于，所述第一本体长度为76mm，第一本体宽度为48mm。4.根据权利要求1所述的多台阶军用盖板，其特征在于，所述第二本体长度为73mm，宽度为45mm。5.根据权利要求1所述的多台阶军用盖板，其特征在于，所述第二台体为方形结构。6.根据权利要求1所述的多台阶军用盖板，其特征在于，所述第二台体长度为22mm，第二台体宽度为16mm。
【专利摘要】本实用新型公开一种多台阶军用盖板，包括第一本体，第一本体厚度为0.13mm，第一本体连接第二本体，第二本体厚度为0.5mm，第二本体上部位置设有第一台体，第一台体截面为梯形结构，第一台体四个顶点处分别设有第一圆角、第二圆角、第三圆角以及第四圆角，第一圆角、第二圆角以及第三圆角半径均为1mm，第四圆角半径为3mm，第一台体采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15mm，第一台体一侧为第二台体，第二台体四个顶点处设有圆角，圆角半径为1mm，第二台体采用半刻蚀工艺处理，半刻蚀深度为0.15mm。相对现有技术，本实用新型结构轻薄，使用操作便捷，不会产生负重，封装效果更佳。
【IPC分类】H05K5/03
【公开号】CN205232642
【申请号】CN201520999746
【发明人】杨丹, 杨正军, 陈雅玲, 龙先祖, 曾旭
【申请人】宁波东盛集成电路元件有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月4日