专利名称：偏转磁轭装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及装设于比如彩色布劳恩阴极射线管之类的彩色阴极射线管中的偏转磁轭装置。
背景技术：
在电视接收机中使用的彩色布劳恩阴极射线管的管颈处安装有偏转磁轭装置。偏转磁轭装置使电子枪发射的电子束在水平及垂直方向上偏转。由此，电子束照射到布劳恩阴极射线管的屏幕上而实现光栅扫描。
图1为示出现有的偏转磁轭装置的概貌的斜视图。偏转磁轭装置具有鞍形水平偏转线圈(图中未示出)和直接绕制在环形铁心12上的垂直偏转线圈13。水平偏转线圈配置于线圈分离器14的内周侧，而垂直偏转线圈13配置于线圈分离器14的外周侧。
线圈分离器14是在轴向方向上有一个中空部，其前方的口径大的部分和后方口径小的部分分别具有凸缘的线轴体。
另外，在偏转磁轭装置的后端部配置有彗形线圈(coma-coil)15。并且，安装有端子板16，用作连接线圈等的中继端子板。
如图2(A)所示，彗形线圈15包括具有同样圈数的第1彗形线圈部151(包含线圈15a、15c)和第2彗形线圈部152(包含线圈15b、15d)。彗形线圈部151和彗形线圈部152结构相同。
如图2(B)所示，第1彗形线圈部151是线圈15a、15c绕制于线轴体5A1上而构成。在线轴体5A1的中空部有磁轭5B1穿过。第2彗形线圈部152的结构相同。就是说，彗形线圈15，是由与图面上侧对应的第1彗形线圈部151和与图面下侧相对应的第2彗形线圈部152构成的。
另外，15a、15c的绕线层哪一个是上层都可以，并且15b、15d的绕线层哪一个是上层都可以。
图3(A)、3(B)是上述各线圈及电子部件的接线图。水平偏转系统，如图3(A)所示，是由水平偏转线圈11与差动线圈17相连接的结构。水平偏转线圈11，由线圈分离器14的上下鞍形线圈部11A和鞍形线圈部11B构成。
垂直偏转系统，如图3(B)所示，是由垂直偏转线圈13与彗形线圈15相连接的结构。垂直偏转线圈13分别配置于线圈分离器14的上下的串联的线圈部13A、13B构成。另外，如利用一对鞍形垂直偏转线圈作为垂直偏转线圈，则此鞍形垂直偏转线圈左右配置。
在垂直偏转线圈13的一端设置电源端子T1。在垂直偏转线圈13的另一端共同连接彗形线圈15的线圈15a、15b的一端。线圈15a的另一端在正向方向上经二极管D1与线圈15d的一端相连接，而线圈15b的另一端在反向方向上经二极管D2与线圈15d的另一端相连接。此处，二极管D1、D2上分别有电阻R1、R2并联。线圈15d的另一端与线圈15c的一端相连接。线圈15c的另一端处设置有电源端子T2。
上述线圈15a、15b也称为YH线圈，其设置的目的是为了校正电子束特别是在画面的上部和下部区域扫描时旁束(红、蓝)的横向失聚。另外，线圈15d、15c也称为VCR线圈，其设置的目的是为了校正电子束特别是在画面的上部和下部区域操作时中心束(绿)和旁束(红、蓝)的纵向失聚。
在上述垂直偏向系统中，如对电源端子给出垂直扫描信号，在作为并联连接的YH线圈的线圈15a、15b中有电流5a、5b流过。
图4示出线圈15a、15b中流过的电流，在画面的上部侧和下部侧如何变化。实线表示流过线圈15a中的电流5a，而虚线表示流过线圈15b的电流5b。t是时间轴，i是电流值(A)。
在画面上部偏转时，正电源端子上的正的高压随着施加的时间而减小。此时，二极管D1上是正向偏置而导通，二极管D2上是反向偏置而截止。因此，线圈15b与电阻R2处于串联状态。
另外，在画面下部偏转时，正的高压供给负电源端子，该电压随着时间而加大。此时，二极管D2上是正向偏置而导通，二极管D1上是反向偏置而截止。因此，线圈15a与电阻R1处于串联状态。
结果，在画面上部偏转时，上部侧的线圈15a中流过的电流比下部侧的线圈15b中流过的电流大。此时，由上部侧的线圈15a形成很大的枕形磁场。于是，结果可修正Y(画面纵)轴横向的失聚YH。
另外，在画面下部偏转时，下部侧的线圈15b中流过的电流比上部侧的线圈15a中流过的电流大。此时，由下部侧的线圈15b形成很大的枕形磁场，同样可修正Y轴横向的失聚YH。(由YH线圈和电阻以及二极管构成的部分称为YH校正电路。)然而，如更详细地研究，从图4可知，画面上部偏转时上侧的线圈15a和下侧的线圈15b中流过的电流差对于画面中央部I1和画面周边部I2缩小。
这一点就是，如图5所示，Y轴横向失聚YH在画面上端部(蓝色电子束在左，红色电子束在右)发生。这一倾向影响整个画面，成为画质劣化的原因。图5示出的是从彩色布劳恩阴极射线管屏幕的正面观察的R，G，B的聚束光点的垂直方向轨迹的一部分。如上所述，在画面上部，由于电流电流5a、5b有差异，产生失聚。
图6是另外一个YH校正电路。与图2的校正电路相比，添加了电阻R1a、R2a和二极管D1a、D2a，是一个目标为使二极管的上升前沿小的电流波形整形的电路。另外，对于与示于图5的各元件相对应的部分赋予同一标号。根据此YH校正电路，虽然对消灭失聚获得一定的效果，但是无法根本改善画面周边部的失聚的发生因素。
如上所述，在现有的偏转磁轭装置中，存在YH校正电路的两个线圈部的电流变化，不是线性变化，特别是在画面上部产生失聚的问题。
于是，本发明的目的在于提供一种结构简单可以防止相对画面上部的Y轴横向的失聚的偏转磁轭装置。
发明概述本发明，为达到上述目的，与垂直偏转线圈相连接的彗形线圈包括与画面上部相对应的第1彗形线圈部和与画面下部相对应的第2彗形线圈部，上述第1、第2彗形线圈分别包括由第1、第2线圈和二极管D1组成的串联电路、和与第1、第2线圈中的任一个和上述二极管并联连接的电阻R1。
附图简述图1为从后方观察的偏转磁轭装置的概貌的斜视图。
图2(A)为示出形成图1的彗形线圈的线圈部分的斜视图。
图2(B)为示出形成图1的彗形线圈的线圈部分的其一部的剖视图。
图3(A)为示出包含水平偏转线圈的连线的电路图。
图3(B)为示出包含垂直偏转线圈的连线的电路图。
图4为示出现有的彗形线圈的上部线圈部和下部线圈部的电流关系的说明图。
图5为示出现有的彗形线圈的问题的失聚的示例的示图。
图6为示出现有的彗形线圈的YH校正电路的另一个示例的示图。
图7为示出本发明的一实施方式的电路图。
图8为图7电路的YH校正电路的各线圈部作为线圈部分构筑时的概略斜视图。
图9为示出本发明的彗形线圈的上侧线圈部和下侧线圈部的电流关系的示图。
图10为示出本发明的另一实施方式的电路图。
图11为示出图10所示的YH校正电路的线圈部具体作为线圈部分时的构造的概貌的示图。
实施发明的具体方式下面利用附图对本发明的实施方式予以说明。
图7示出本发明的一实施方式。端子T1与垂直偏转线圈13的一端相连接。彗形线圈100的第1线圈111a和第3线圈111b的一端共同连接于垂直偏转线圈13的另一端。线圈111a的另一端在顺向方向上经二极管D1与第2线圈111c的一端相连接。而第2线圈111c的另一端与线圈111f的一端相连接。
第3线圈111b的另一端在反向方向上经二极管D2与第4线圈111d的一端相连接。第4线圈111d的另一端与线圈111f的一端相连接。
此处，对二极管D1和线圈111c的串联电路并联连接一个电阻R1。并且，对二极管D2和线圈111d的串联电路并联连接一个电阻R2。
前面的线圈111f的另一端经线圈111e与端子T2相连接。
上述的线圈111a，111b，111c，111d称为YH线圈，其设置的目的是为了校正电子束特别是在画面的上部、下部区域扫描时旁束(红、蓝)的横向失聚。另外，线圈111f、111e称为VCR线圈，其设置的目的是为了校正电子束特别是在画面的上部、下部区域操作时中心束(绿)和旁束(红、蓝)的纵向失聚。
在图8中，示出上述各线圈作为第1、第2彗形线圈部151、152构成时的部件。第1彗形线圈部151安装于偏转磁轭后方的凸缘部与画面上侧相对应，而第2彗形线圈部152安装于偏转磁轭后方的凸缘部与画面下侧相对应。这种安装状态如图1所示。在第1彗形线圈部151上绕制线圈111a，111c，111e，而在第2彗形线圈部152上绕制线圈111b，111d，111f。于是，各二极管、电阻安装于如图1所示的端子板16上，成为如图7所示的连接。
另外，在第1、第2彗形线圈部151、152中，对各线圈的绕线层的顺序没有特别限制。在此示例中，为3层结构(特别是绕线的顺序不同)，其配置为第1层是作为VCR线圈的线圈111e、111f,第2层是作为YH线圈的第1线圈111a、111b，而第3层是作为YH线圈的第2线圈111c、111d，分别单独绕制而成。
下面对上述构成的彗形线圈的动作予以说明。因为在画面上部偏转时，电流在图上的流向是从左向右，流过垂直偏转线圈13的电流Iv分成流过作为上部的第1YH线圈的线圈111a的电流Iu、和流过作为下部的第1YH线圈的线圈111b的电流Id。
另外，电流Iu分成流过作为二极管D1及上部的第2YH线圈的线圈111c的电流Iud、和流过电阻R1的电流Iur。另一方面，电流Id几乎不流过作为二极管D2和下部的第2YH线圈的111d，而是作为电流Idr流过电阻R2。
结果，二极管D1导通的上部侧的线圈111a、111c中流过的电流比下部侧的线圈111b、111d中流过的电流大。
一般，在线圈中有急剧的电流流过时，会产生反电动势，在垂直扫描进行到画面下端返回初始状态时，在垂直偏转线圈中产生反电动势，此反电动势作为脉冲电压施加于电路。在反电动势引起的脉冲电压施加的时刻，就是说在画面上端部偏转中，使线圈111a～111f中产生反电动势的影响大。因此，虽然在各个线圈中都产生反电动势，但实际上作为反电动势，影响大的是由于二极管的影响的下部侧的线圈111b的反电动势和下部侧的线圈111d的反电动势电流。
因此，在画面上端部偏转时，在电流Iu增加方向，在电流Id减小方向，受到反电动势电流的影响，如图9所示，在画面的上端部区域，电流差I3变大。在图9中，将流过上部侧的线圈部111a的电流作为电流11a示出，将流过下部侧的线圈部111b的电流作为电流11b示出。t是时间轴。i是电流值(A)。
结果，YH校正变为线性，不会发生在画面上端部的局部失聚YH。另外，在画面下端部偏转时，因为不会受到这些反电动势的影响，可进行几乎是线性的YH线圈校正，在整个画面可实现良好的会聚性能。
就是说，因为利用此会聚校正电路，可对流过校正线圈的电流波形进行整形，对校正线圈产生的磁场进行整理，在整个画面可得到良好的会聚性能。
在上述实施方式中，是对垂直偏转线圈及VCR线圈处于串联连接状态进行说明的，这些线圈也可以使用于并联连接的场合。另外，也同样可以用来连接其他线圈及元件等。还有，在图1所示的是在铁心上直接绕线的环形垂直偏转线圈的垂直偏转线圈，作为其YH校正电路进行说明的，但本发明也同样适用于鞍形垂直偏转线圈的场合。
本发明不限于上述实施方式。
图10示出彗形线圈的另一实施方式。
端子T1与垂直偏转线圈13的一端相连接。垂直偏转线圈13的另一端与二极管D1的阳极、电阻R1的一端、二极管D2的阴极、电阻R2的一端相连接。二极管D1的阴极经串联线圈112c、112a、112f、112e与端子T2相连接。另外，电阻R1的另一端与线圈112c、112a的连接点相连接。二极管D2的阳极经串联线圈112b、112d与线圈112a、112f的连接点相连接。电阻R2的另一端与线圈112b、112d的连接点相连接。
上述的线圈112c、112a、112e形成与画面上部侧相对应的第1彗形线圈部151，线圈112b、112d、112f形成与画面下部侧相对应的第2彗形线圈部152。
在图11中示出第1彗形线圈部151的概貌。此处，在制作线圈部112c、112a的场合，设置有中间抽头TP，如连续绕制线圈112c、112a，第1彗形线圈部151制作容易。
就是说，在此示例中，是在绕线绕过规定的圈数时，形成线圈112a，接着确保用作中间抽头的引出线，再接着进行绕线而形成线圈112c。中间抽头部分，与电阻R1连接。另一侧的第2彗形线圈部152的制作与此相同。由此，由于中间抽头(2个线圈终端同时)可与端子板的端子相连接，彗形线圈的制造及偏转磁轭的装配作业容易。
在上述彗形线圈中，与前面的实施方式同样，可减小画面上部区域失聚。在此实施方式中，由于线圈的反电动势的作用，流过线圈112a、112b的电流在从画面中央到画面上部是线性变化的，也可得到图9所示的电流差I3。
如上所述，根据本发明，可以利用一种简单结构防止相对画面上部的Y轴横向的失聚。
权利要求
1.一种偏转磁轭装置，其特征在于与垂直偏转线圈相连接的彗形线圈包括与画面上部相对应的第1彗形线圈部、和与画面下部相对应的第2彗形线圈部，且上述第1、第2彗形线圈部分别包括由第1、第2线圈和二极管组成的串联电路、和与第1、第2线圈中的任一个和上述二极管并联连接的电阻。
2.如权利要求1所记载的偏转磁轭装置，其特征在于在形成上述第1和第2彗形线圈部的第一、第二线圈之间取中间抽头，并连续进行绕线。
3.如权利要求1所记载的偏转磁轭装置，其特征在于上述垂直偏转线圈是环形。
4.如权利要求1所记载的偏转磁轭装置，其特征在于上述垂直偏转线圈是鞍形。
5.如权利要求1所记载的偏转磁轭装置，其特征在于上述串联电路包括上述第1彗形线圈部中包含的第1串联电路、和第2彗形线圈部中包含的第2串联电路，上述第1串联电路是由第1线圈、第1二极管和第2线圈组成的串联电路，上述第2串联电路是由第3线圈、第2二极管和第4线圈组成的串联电路，上述第1和第2二极管方向相反。
6.如权利要求1所记载的偏转磁轭装置，其特征在于上述串联电路包括上述第1彗形线圈部中包含的第1串联电路、和第2彗形线圈部中包含的第2串联电路，上述第1串联电路是由第1二极管、和第1、第2线圈组成的串联电路，上述第2串联电路是由第2二极管和第3、第4线圈组成的串联电路，上述第1、第2串联电路的一部分分别与第1、第2电阻并联连接。
7.一种偏转磁轭装置，其特征在于包括彩色布劳恩阴极射线管的管颈处配置的垂直偏转线圈；与上述垂直偏转线圈相连接的与上述彩色布劳恩阴极射线管的画面上部相对应的第1彗形线圈部；和与上述垂直偏转线圈相连接的与上述画面下部相对应的第2彗形线圈部，上述第1、第2彗形线圈分别包括至少由第1线圈和二极管组成的串联电路、与上述串联电路并联连接的电阻，以及分别与上述串联电路相连接，对上述垂直偏转线圈施加规定的脉冲电压时产生反电动势，至少校正上述第1线圈的电流的第2线圈。
全文摘要
一种偏转磁轭装置，其中彗形线圈由与画面上部相对应的第1彗形线圈部(151)和与画面下部相对应的第2彗形线圈部(152)构成。上述第1、第2彗形线圈分别包括由第1、第2线圈(111a、111c)和二极管组成的串联电路；和与第1、第2线圈的任一个和上述二极管并联连接的电阻R1；以及由第3、第4线圈(111b、111d)和二极管组成的串联电路；和与第3、第4线圈的任一个和上述二极管并联连接的电阻R2。
文档编号H04N9/28GK1429029SQ0213032
公开日2003年7月9日 申请日期2002年8月16日 优先权日2001年12月28日
发明者城雄作 申请人:株式会社东芝