专利名称：在衬底上形成重量补偿/调节层的方法
技术领域：
本发明的实施例涉及集成电路，具体地说，涉及集成电路制造工艺。
背景技术：
通常，在制造集成电路中所使用的基本工艺包括材料沉积阶段、图案化阶段、材料去除阶段、掺杂阶段和热处理阶段。所使用的具体阶段取决于将要在集成电路上形成的器件的类型。
在沉积阶段，使用比如化学气相沉积(CVD)的公知技术，在硅晶片上沉积许多薄的材料层(例如薄膜)，每一层都有特定的性质。由于晶片处理工具和/或技术的变化，有时晶片在其表面形貌中会有变化。当接着在晶片表面上沉积材料层时，所沉积的层可能与晶片的表面形貌相一致。结果容易出现材料分布不均匀。
如果所制造的部件被用作通常在比如蜂窝电话系统的通信系统中所使用的被用来在特定频率处谐振的频率选择器件，那么厚度变化可能尤其麻烦。这是因为材料在晶片上的重量分布决定了谐振频率。谐振频率决定了工作信道。当重量分布不能被控制时，谐振频率就不能被控制，于是就不能控制工作信道。
对于厚度变化的通常的解决方案包括在制造工艺中添加化学机械平面化/抛光(CMP)阶段。CMP是被用来对沉积在晶片上的一个或多个层进行平面化(即，使其平坦)的工艺技术。在典型的CMP工艺中，晶片被旋转，并使用化学浆料被抛光(或平面化)。这种解决方案在许多情形中都是适用的，但是具有局限性。例如，CMP不具有足够的选择性，在试图使较厚的区域变薄的同时也可能使材料层中已经较薄的区域变薄。此外，使用CMP来对材料层进行平面化，需要在制造工艺中添加额外的阶段。
另一种解决方案是测量器件的谐振频率，然后丢弃有缺陷的部件。但是，这种后期或事后解决方案可能是相当昂贵的。例如，这些部件必须先被制造出来，然后才能判定它们是否适于在特定应用中使用。
其他的解决方案包括激光校正，这也是一种后期或制造后的解决方案。于是，它也可能是昂贵和费时的。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括在硅晶片上形成材料层，所述硅晶片具有包括至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化；以及在所述材料层中形成至少一个窄的区域和至少一个宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。
根据本发明的另一个方面，提供了一种制品，包括含有数据的机器可访问介质，所述数据当被机器访问时，使所述机器进行包括如下步骤的操作在硅晶片上形成材料层，所述硅晶片具有包括至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化；以及在所述材料层中形成至少一个窄的区域和至少一个宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。
根据本发明的另一个方面，提供了一种方法，包括在硅晶片上形成第一材料层，所述硅晶片具有包括厚的区域和薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及在所述第一层上形成材料牺牲层，所述材料牺牲层具有包括分别与所述第一层的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及使用在被沉积在所述牺牲层上的光刻胶上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成窄的区域和宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。
根据本发明的另一个方面，提供了一种制品，包括含有数据的机器可访问介质，所述数据当被机器访问时，使所述机器进行包括如下步骤的操作在硅晶片上形成第一材料层，所述硅晶片具有包括在它的表面形貌中的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化，所述第一层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及在所述第一层上形成材料牺牲层，所述材料牺牲层具有包括分别与所述第一层的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及使用在被沉积在所述牺牲层上的光刻胶上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成窄的区域和宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片厚的区域和薄的区域。
根据本发明的另一个方面，提供了一种系统，包括传输无线信号的收发器；耦合到所述收发器以选择所述无线信号频率的半导体结构，所述半导体结构具有硅晶片，所述硅晶片具有形成至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化；和形成在所述硅晶片上的材料层，所述材料层具有分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个窄的区域和至少一个宽的区域；耦合到所述收发器的存储器。
在附图中，类似的参考标号通常指示相同、功能类似和/或结构等同的元素。元件在其中第一次出现的附图用参考标号中最左边的数字指示，其中图1是图示根据本发明实施例用于制造半导体器件的过程的流程图；图2A、2B、2C和2D描绘了根据本发明实施例制造的结构的横截面视图；图3是图示根据本发明另一个实施例用于制造半导体器件的过程的流程图；图4A、4B和4C描绘了根据本发明另一个实施例制造的结构的横截面视图；图5是根据本发明实施例的蜂窝通信系统的高级框图。
具体实施例方式
图1是图示根据本发明实施例用于制造一个或多个结构的过程100的流程图。图2A、2B、2C和2D描绘了使用根据本发明实施例的过程100制造半导体结构200的各个阶段的横截面视图。其上具有机器可读指令的机器可访问介质可以被用来使得机器执行过程100。当然，过程100仅仅是一个示例的过程，其他过程也可以被用来实现本发明的实施例。
过程100的操作被描述为多个分立的框，它们以对于理解本发明的实施例最有帮助的方式依次进行。但是，对它们进行描述的顺序不应被理解为暗示这些操作必须是依赖于顺序的，或者这些操作要以所给出的方框的顺序被执行。
在框102中，在晶片或衬底204上形成材料层202。层202在其表面形貌中可能有变化，包括与由晶片204表面形貌变化所导致的晶片204厚的区域210和薄的区域212相对应的厚的区域206和薄的区域208。
在一个实施例中，可以使用比如快速热化学气相沉积(RTCVD)或减压化学气相沉积(RPCVD)的公知的化学气相沉积(CVD)技术来沉积层202。或者，可以使用公知的溅射技术沉积层202。
在框104中，在层202中形成窄的区域和宽的区域，它们补偿了晶片204表面形貌中的变化。层202中窄的区域和宽的区域分别对应于厚的区域210和薄的区域212。层202中窄的区域和宽的区域可以补偿由晶片204表面形貌中的变化所导致的非均匀的重量分布。或者，尽管晶片204表面形貌中有变化，所得到的层202也可以提供受控的调节(例如，频率调节、波长调节、电阻率调节等)。
示例的层202的窄的和宽的区域可以如下使用光刻和光敏聚合物(光刻胶)形成。例如，一层光刻胶220可以被沉积在层202上。光刻胶220可以通过掩模224被曝光于光222。掩模224可以具有已经对其添加了近辨率(near-resolution)标记的已有图案。这些近分辨率标记可以被用来定义与晶片204厚的区域210和薄的区域212相对应的层202窄的区域和宽的区域。
用于向已有掩模图案添加近分辨率标记的技术是公知的，但目前不是以这种方式应用的(即，用来定义与晶片或衬底上材料层的厚的和薄的区域相对应的窄的和宽的区域)。一般，近分辨率标记被用来产生非常细小的结构。因而，根据本发明实施例使用近分辨率标记来调节这样的大的区域是与一般常识相反的。
可以对经曝光的光刻胶220进行显影以及去除，露出由近分辨率标记以及已有掩模图案所定义的区域的位置。层202的这些区域被去除(例如，使用公知的刻蚀技术来修整)，以留下分别与厚的区域210和薄的区域212相对应的窄的区域228和宽的区域230。于是，晶片204表面形貌的变化确定了窄的区域228和宽的区域230的大小。剩余的光刻胶可以从层202上移除。
示例的晶片204厚的区域210和薄的区域212可以使用区域补偿技术被表征。当在被制造的晶片204上存在系统过程不一致性时，可以实现该在本发明的一个实施例中，在线(in-line)厚度测量可以被用来将晶片204的厚的区域210表征为一个区，将薄的区域212表征为第二区。合适的在线厚度测量技术是公知的，在这里将不进一步描述。
在另一个实施例中，可以使用频率产生图(frequency yield map)来将晶片204的厚的区域210表征为一个区，将薄的区域212表征为第二区。合适的频率产生测绘技术是公知的，在这里将不进一步描述。
在另一个实施例中，可以使用公知的椭圆对称测绘补偿技术(ellipsometric mapped-compensation technique)来表征示例的厚的区域210和薄的区域212。合适的椭圆对称测绘补偿技术是公知的，在这里将不进一步描述。
在另一个实施例中，可以使用公知的激光测绘补偿技术来表征示例的厚的区域210和薄的区域212。合适的激光测绘补偿技术是公知的，在这里将不进一步描述。
在另一个实施例中，可以使用公知的电容测绘补偿技术来表征示例的厚的区域210和薄的区域212。合适的电容测绘补偿技术是公知的，在这里将不进一步描述。
椭圆对称测绘、电容测绘、激光测绘或其他合适的测绘技术可以使用对单个晶片204上的厚的区域210和薄的区域212的现场测绘完成。或者，椭圆对称测绘、电容测绘、激光测绘或其他合适的测绘技术可以使用对单个晶片204上的厚的区域210和薄的区域212的非现场测绘完成。当在晶片204上没有系统过程不一致性时，可以实现这些实施例。
晶片204可以是硅(Si)晶片。或者，晶片204可以是锗(Ge)晶片或砷化镓(GaAs)晶片。在晶片204可以是硅(Si)晶片、锗(Ge)晶片或砷化镓(GaAs)晶片的实施例中，层202可以分别是硅(Si)、锗(Ge)或砷化镓(GaAs)。当然，也可以使用其他材料，在阅读了本说明书之后，相关领域的普通技术人员将很容易意识到如何使用各种其他的材料(例如，金属或金属合金、陶瓷、有机化合物或其他适合的材料)来实现层202。
结构200可以是微电子机械系统(MEMS)，比如在电子设备、医疗设备、通信设备、汽车、军事防卫系统等中使用的那些。例如，结构200可以被用于压力传感器(例如，血压、燃料、空气等)、射频(RF)部件(例如，滤波器、谐振器、开关等)、气囊传感器、地震传感器、飞行器控制等。
图3是图示根据本发明实施例用于制造一个或多个结构的过程300的流程图。图4A、4B和4C描绘了根据本发明实施例的使用过程300制造半导体结构400的各个阶段的横截面视图。其上具有机器可读指令的机器可访问介质可以被用来使得机器执行过程300。当然，过程300仅仅是一个示例的过程，其他的过程也可以被用来实现本发明的实施例。
过程300的操作被描述为多个分立的框，它们以对于理解本发明的实施例最有帮助的方式依次进行。但是，对它们进行描述的顺序不应被理解为暗示这些操作必须是依赖于顺序的，或者这些操作要以所给出的方框的顺序被执行。
在框302中，在晶片404上形成材料层402。层402在其表面形貌中可能有变化，包括与由晶片404表面形貌变化所导致的晶片404厚的区域410和薄的区域412相对应的厚的区域411和薄的区域408。
在框304中，在层402上形成材料的牺牲层406。牺牲层406可以具有与晶片404的厚的区域410和薄的区域412和/或层402的厚的区域411和薄的区域408相对应的厚的区域414和薄的区域416。
在框306中，在牺牲层406中形成窄的区域和宽的区域。层406中的窄的区域和宽的区域分别对应于厚的区域410和薄的区域412。层406中窄的区域和宽的区域可以补偿由晶片404表面形貌中的变化所导致的非均匀的重量分布。或者，尽管晶片404表面形貌中有变化，所得到的层406也可以提供受控的调节(例如，频率调节、波长调节、电阻率调节等)。
在本发明的实施例中，牺牲层406的窄的和宽的区域可以如下在光刻胶上使用近分辨率图案的电子束、紫外(UV)光、光束或X射线直接写入来形成。例如，光刻胶层420可以被沉积在牺牲层406上。可以将电子束、紫外光、光束或X射线引导至光刻胶420(例如，扫描)，以在光刻胶420中画出近分辨率图案。近分辨率图案可以定义与晶片404的厚的区域410和薄的区域412相对应的牺牲层406窄的区域和宽的区域。
对经曝光的光刻胶420进行显影以及去除，露出由近分辨率图案所定义区域的位置区域。牺牲层406的经曝光的区域被去除(例如，使用公知的刻蚀技术来修整)，以留下分别与厚的区域410和薄的区域412相对应的窄的区域428和宽的区域430。在另一个实施例中，可以使用平面化来去除牺牲层406的经曝光的区域。例如，可以使用CMP技术去除牺牲层406的经曝光的区域。
从牺牲层406移除剩余的光刻胶420。在一个实施例中，光刻胶420可以是被溅射沉积到牺牲层406上的非适形(non-conforming)光刻胶(即，非聚合物或干光刻胶)。光刻胶420被热曝光，在牺牲层406上留下近分辨率无机图案。在这个实施例中，可以使用公知的技术(例如，等离子清洗、离子铣削等)移除光刻胶420。
在一个实施例中，可以确定示例的晶片404厚的区域410和薄的区域412，并随后使用与上面就图1以及图4A到图4C所描述的类似的区域补偿技术来形成层406的窄的区域428和宽的区域430。
在具有厚的区域410的区中，光源的聚焦深度以及由此获得的光的空间范围可能不同于薄的区域412(例如，在近分辨率图案的形状中)所在区的聚焦深度和空间范围。于是，当层404上的光刻胶被曝光和显影时，能够移除层404的这些部分，在第一区中留下窄的区域428，在第二区中留下宽的区域430。
或者，具有厚的区域410的区可以接受与具有较薄区域412的区不同的成像补偿(例如，剂量、聚焦深度等)。
使用与上面就图1以及图4A到图4C所描述的相似的区域补偿技术(例如，在线厚度测量、频率产生图、椭圆对称测绘、激光测绘、电容测绘等)，可以表征示例的层402或晶片404的厚的区域410和薄的区域412。在阅读了本说明书之后，普通技术人员将很容易意识到如何实现测绘补偿技术以形成窄的区域428和宽的区域430。
牺牲层406可以是硅(Si)、锗(Ge)或砷化镓(GaAs)或其他适合的材料。在阅读了本说明书之后，相关领域的普通技术人员将很容易意识到如何使用各种其他的材料(例如，金属或金属合金、陶瓷、有机化合物或其他适合的材料)来实现牺牲层406。
图5是根据本发明实施例的蜂窝通信系统500的高级框图。系统500可以发射无线信号(例如，射频(RF)信号)，以由另外的蜂窝通信系统(未示出)接收。
示例的系统500包括耦合到存储器504上的收发器502、天线506和根据本发明实施例制造的半导体结构508。
在一个实施例中，收发器502可以是全球移动通信系统(GSM)收发器。用于实现GSM收发器的电路是公知的。在另一个实施例中，收发器502可以是个人通信业务(PCS)收发器。用于实现PCS收发器的电路是公知的。
存储器504可以是闪存。闪存是公知的。或者，存储器可以是随机访问存储器(RAM)。合适的RAM是公知的。
天线506可以是偶极天线。偶极天线是公知的。
在一个实施例中，示例结构508选择无线信号的发射频率。
虽然已经就在晶片表面上沉积材料层说明本发明的实施例，但是实施例并不如此被限制。例如，这里所述的材料层或这里所述的材料牺牲层可以被沉积在被设置在晶片上的薄膜的多层(即，两层或更多层)堆叠上。在典型的多层堆叠中，各层可以包括氮化硅(SiN)、铝(Al)、硅酸盐(SiO2)等。
可以使用硬件、软件或它们的组合来实现本发明的实施例。在使用软件的实施方式中，软件可以被存储在机器可访问介质上。
机器可访问介质包括任何以机器(例如，计算机、网络设备、个人数字助理、制造工具、具有一套一个或多个处理器的任何设备等)可访问形式提供(即，存储和/或发送)信息的机制。例如，机器可访问介质包括可记录和非可记录介质(例如，只读存储器(ROM)、随机访问存储器(RAM)、磁盘存储介质、光存储介质、闪存设备等)，以及电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)。
上面对所示出的本发明实施例的描述并非意图是穷尽性的或意图将本发明的实施例限制于所公开的精确形式。尽管为了图示的目的在这里对本发明具体的实施例和示例进行了说明，但是如相关领域的技术人员将意识到的那样，在本发明实施例的范围中可以有各种等同的修改。在上述详细说明的启发下，能够对本发明的实施例作出这些修改。
在上面的说明中，给出了许多具体的细节，比如特定的工艺、材料、器件等，以提供对本发明实施例的全面理解。但是，相关领域的技术人员将意识到，不用这些具体细节中一个或多个，或者使用其他的方法、部件等，也能够实施本发明的实施例。在其他情况中，没有详细地示出或说明公知的结构或操作，以避免对本说明书的理解变得不清楚。
已经使用比如硅、锗、沉积、衬底等术语对本发明的一些部分进行了表达。本领域技术人员通常使用这些术语来将他们工作的基本内容传达给本领域其他技术人员。
贯穿本说明书提到的“一个实施例”或“实施例”指的是结合实施例所描述的特定特征、结构、工艺、框或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。于是，贯穿本说明书在各处出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”未必意味着这些短语都是指同一实施例。在一个或多个实施例中，可以任何适当的方式组合特定的特征、结构或特性。
在所附的权利要求书中所使用的术语不应当被解释为将本发明的实施例限制于在说明书和权利要求书公开的特定实施例。而且，本发明实施例的范围完全由所附权利要求书所确定，这些权利要求应该根据惯常的权利要求解释原则予以解释。
权利要求
1.一种方法，包括在硅晶片上形成材料层，所述硅晶片具有包括至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化；以及在所述材料层中形成至少一个窄的区域和至少一个宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过具有已经添加了近分辨率标记的图案的掩模，将沉积在所述材料层上的光刻胶曝光；以及去除所述材料层的部分以留下所述窄的区域和宽的区域。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述晶片的厚的区域表征为第一区；将所述晶片的薄的区域表征为第二区；以及在所述第一区中形成所述窄的区域和在所述第二区中形成所述宽的区域。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括设置对所述第一区的第一成像补偿和对所述第二区的第二成像补偿；以及去除所述材料层的部分以留下所述第一区中的所述窄的区域和所述第二区中的所述宽的区域。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括测绘所述晶片的表面形貌，以确定所述晶片的厚的区域和薄的区域。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括椭圆对称测绘、激光测绘或电容测绘所述晶片的表面形貌，以确定所述晶片的厚的区域和薄的区域。
7.一种制品，包括含有数据的机器可访问介质，所述数据当被机器访问时，使所述机器进行包括如下步骤的操作在硅晶片上形成材料层，所述硅晶片具有包括至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化；以及在所述材料层中形成至少一个窄的区域和至少一个宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。
8.根据权利要求7所述的制品，其中所述机器可访问介质还含有使所述机器进行包括如下步骤的操作的数据通过具有已经添加了近分辨率标记的图案的掩模，将沉积在所述材料层上的光刻胶曝光；以及去除所述材料层的部分以留下所述窄的区域和宽的区域。
9.根据权利要求7所述的制品，其中所述机器可访问介质还含有使所述机器进行包括如下步骤的操作的数据将所述晶片的厚的区域表征为第一区；将所述晶片的薄的区域表征为第二区；以及在所述第一区中形成所述窄的区域和在所述第二区中形成所述宽的区域。
10.根据权利要求9所述的制品，其中所述机器可访问介质还含有使所述机器进行包括如下步骤的操作的数据设置对所述第一区的第一成像补偿和对所述第二区的第二成像补偿；以及去除所述材料层的部分以留下所述第一区中的所述窄的区域和所述第二区中的所述宽的区域。
11.根据权利要求8所述的制品，其中所述机器可访问介质还含有使所述机器进行包括如下步骤的操作的数据测绘所述晶片的表面形貌，以确定所述晶片的厚的区域和薄的区域。
12.一种方法，包括在硅晶片上形成第一材料层，所述硅晶片具有包括厚的区域和薄的区域的表面形貌变化，所述材料层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及在所述第一层上形成材料牺牲层，所述材料牺牲层具有包括分别与所述第一层的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及使用在被沉积在所述牺牲层上的光刻胶上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成窄的区域和宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片的厚的区域和薄的区域。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括使用电子束、紫外光、X射线或光束中的至少一种来直接写入所述近分辨率图案。
14.根据权利要求12所述的方法，还包括使用在被沉积在所述牺牲层上的光敏聚合物上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成所述窄的区域和宽的区域。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括使用在被沉积在所述牺牲层上的非聚合物光刻胶上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成所述窄的区域和宽的区域。
16.根据权利要求12所述的方法，还包括将所述晶片的厚的区域表征为第一区；将所述晶片的薄的区域表征为第二区；以及在所述第一区中形成所述窄的区域和在所述第二区中形成所述宽的区域。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括设置对所述第一区的第一图像补偿和对所述第二区的第二图像补偿；以及去除所述材料层的部分以留下所述第一区中的所述窄的区域和所述第二区中的所述宽的区域。
18.根据权利要求12所述的方法，还包括测绘所述晶片的表面形貌，以确定所述晶片的厚的区域和薄的区域。
19.一种制品，包括含有数据的机器可访问介质，所述数据当被机器访问时，使所述机器进行包括如下步骤的操作在硅晶片上形成第一材料层，所述硅晶片具有包括在它的表面形貌中的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化，所述第一层具有包括分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及在所述第一层上形成材料牺牲层，所述材料牺牲层具有包括分别与所述第一层的厚的区域和薄的区域相对应的厚的区域和薄的区域的表面形貌变化；以及使用在被沉积在所述牺牲层上的光刻胶上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成窄的区域和宽的区域，所述窄的区域和宽的区域分别对应于所述晶片厚的区域和薄的区域。
20.根据权利要求19所述的制品，其中所述机器可访问介质还含有使所述机器进行包括如下步骤的操作的数据使用电子束、紫外光、X射线或光束中的至少一种来直接写入所述近分辨率图案。
21.根据权利要求19所述的制品，其中所述机器可访问介质还含有使所述机器进行包括如下步骤的操作的数据使用在被沉积在所述牺牲层上的光敏聚合物上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成所述窄的区域和宽的区域。
22.根据权利要求19所述的制品，其中所述机器可访问介质还含有使所述机器进行包括如下步骤的操作的数据使用在被沉积在所述牺牲层上的非聚合物光刻胶上的近分辨率图案直接写入，在所述材料牺牲层中形成所述窄的区域和宽的区域。
23.一种系统，包括传输无线信号的收发器；耦合到所述收发器以选择所述无线信号频率的半导体结构，所述半导体结构具有硅晶片，所述硅晶片具有形成至少一个厚的区域和至少一个薄的区域的表面形貌变化；和形成在所述硅晶片上的材料层，所述材料层具有分别与所述晶片的厚的区域和薄的区域相对应的至少一个窄的区域和至少一个宽的区域；耦合到所述收发器的存储器。
24.根据权利要求23所述的系统，其中所述收发器是全球移动通信系统收发器。
25.根据权利要求23所述的系统，其中所述收发器是个人通信业务收发器。
全文摘要
本发明公开了一种在衬底上形成重量补偿/调节层的方法。本发明的实施例在表面形貌具有变化的结构(例如，具有一个或多个材料层(例如，薄膜)的硅晶片)上形成重量补偿/调节层。表面形貌变化表现为材料的厚的区域和薄的区域。重量补偿/调节层包括分别与厚的区域和薄的区域相对应的窄的区域和宽的区域。
文档编号H04Q7/22GK1607648SQ20041007782
公开日2005年4月20日 申请日期2004年9月15日 优先权日2003年9月29日
发明者西奥多·多罗什, 克里什纳·塞莎恩 申请人:英特尔公司