专利名称：发射和接收信号的系统和方法
技术领域：
本发明构思涉及用于发射和接收电压信号的系统和方法，更具体地，涉及用于发
射和接收具有低电压差的差分电压信号的系统和方法。
背景技术：
在玻璃上的芯片(COG)环境中用作传输通道的金属线的电阻，以及金属线和基片 间的电容都相对较高。当通过COG态中的金属线发射和接收的信号是电流信号时，信号的 传输速度将随着电阻和电容的增加而减慢。这样，难以增加用于在COG环境中发射和接收 电压信号的系统的工作频率。同时，COG环境中的电阻和电容将使得发射和接收的信号失真。
发明内容
根据本发明构思内容的一方面，提供了一种用于发射和接收信号的系统。该系统 包括发射机，其转换第一参考电压和第二参考电压，并产生第一和第二电压信号，以及接 收机，其接收所述第一和第二电压信号。所述发射机包括参考电压产生器，其产生所述第 一参考电压和所述第二参考电压；以及开关块，其转换所述第一参考电压和所述第二参考 电压，并输出该所述第一和第二电压信号。所述接收机包括具有两个端子的电阻器，所述第 一和第二电压信号提供至这两个端子。 根据本发明构思内容的另一方面，提供了一种用于发射和接收信号的系统，其包 括具有发射机的时间控制器，用于将显示数据转换成第一和第二电压信号，并用于发射该 第一和第二电压信号至包括接收机的有源驱动器。所述时间控制器包括参考电压产生器， 其产生所述第一参考电压和所述第二参考电压；以及开关块，其转换所述第一参考电压和 所述第二参考电压，并输出所述第一和第二电压信号。所述有源驱动器包括电阻器，所述第 一和第二电压信号施加到该电阻器上。 根据本发明构思内容的再一方面，提供了一种在发射机与接收机之间发射和接收 信号的方法。该方法包括将要被发射机发射的信号转换为至少两个电压信号；在该接收 机处接收转换后的电压信号；以及对所接收的电压信号进行均衡并且比较该均衡后的电压 信号，其中该接收机安装在玻璃基片上。
本发明构思的各个实施例将参考以下附图进一步详述，其中
图1是示出根据一个示范性实施例的、用于发射和接收信号的系统的框图； 图2是示出根据一个示范性实施例的、图1所示的系统的参考电压发射机的电路
图3是示出根据一个示范性实施例的、图1中所示系统的转换模块的电路图4是示出根据一个示范性实施例的、当图1的系统的转换模块的第二和第三转换阵列接通时产生的电压信号的框图； 图5是示出根据一个示范性实施例的、当图1的系统的转换模块的第一和第四转 换阵列接通时产生的电压信号的框图； 图6是示出根据一个示范性实施例的、图1所示系统的等效电路模型的电路图；
图7示出根据一个示范性实施例的、相应于两个电压信号的幅值而得到的对带宽 和电压增益的计算机仿真结果； 图8示出根据一个示范性实施例的、相应于发射终端的电阻分量变化而得到的对 带宽和电磁干扰(EMI)的计算机仿真结果； 图9示出根据一个示范性实施例的、相应于接收终端的电阻分量变化而得到的对 带宽和电压增益的计算机仿真结果； 图IO是示出用于比较目的的包括本发明构思的一个实施例的不同实施方式的电 特性的表格； 图11示出了用于比较目的的包括本发明构思的一个实施例的对一种接口方式中 电特性的仿真结果； 图12是示出根据一个示范性实施例的、相应于被发射信号类型的输入/输出信号 的波形图；以及 图13是示出根据另一个示范性实施例的、用于发射和接收信号的系统的框图。
具体实施例方式
将参考附图对多个不同的实施例进行更加充分的说明，在各附图中示出了各示范
性实施例。然而本发明构思可通过各种不同形式实现，不应仅解释为受限于所出的示范性
实施例。事实上是，这些实施例仅仅是作为例子而提供的，用于向本领域普通技术人员解释
本发明构思。因此，对于某些实施例来说，没有描述熟知的过程、元件和相关技术。贯穿附
图和文字说明中，相同的附图标记用于指示相同或类似的元件。 图1是示出根据一个实施例的用于发射和接收信号的系统100的框图。 参考图l，用于发射和接收信号的系统100包括发射机110、接收机150、和用于电
连接发射机110和接收机150的传输线130。该信号可包括例如具有低电压差的差分电压
信号。例如，发射机110可被安装在印刷电路板(PCB)上，接收机150可被安装在玻璃基片
上，该PCB和该玻璃基片可被连接到柔性印刷电路板(FPC)。 发射机IIO包括参考电压产生器lll，其产生第一和第二参考电压VTOP和VBOT， 以及开关块115，其转换第一和第二参考电压VT0P和VB0T，并输出第一和第二电压信号V3 和V4。两个开关等效电阻Rn指示构成开关块115的金属氧化物半导体(M0S)晶体管开关 的等效导通电阻(turn on resistors)指示。 电连接发射机110和接收机150的传输线130包括PCB、FPC和安装在玻璃基片上 的金属线MET_GLA。 PCB、 FPC和金属导线MET_GLA中的每个都具有恒定阻抗分量。
接收机150包括连接到传输线130的电阻R『用于均衡电阻R^两端的电压的均 衡器(EQ) 151、和用于比较所均衡的电压的比较器(Com) 152。电流源153向比较器152提 供电流。 首先将参考图2详细描述图1所示的参考电压产生器111。
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图2是示出根据本发明构思的一个示范性实施例的图1所示的系统100的参考电 压发射机111的电路图。参考图2，参考电压产生器111包括第一参考电压产生器112和第 二参考电压产生器113。 第一参考电压产生器112利用负反馈电路响应于第一偏置电压VP而产生第一参 考电压VTOP，第一参考电压产生器112包括第一差分运算放大器0P1和第一金属氧化物半 导体(MOS)晶体管M1。第一差分运算放大器0P1接收施加到该第一差分运算放大器0P1的 第一输入端(+)上的第一偏置电压VP，并且产生的第一参考电压VTOP被施加到该第一差分 运算放大器0P1的第二输入端(_)。第一 MOS晶体管Ml的第一端连接到提供电压VDD的 第一电压源，并且第一差分运算放大器0P1的输出端连接到该第一MOS晶体管M1的栅极。 第一MOS晶体管M1响应于来自第一差分运算放大器0P1的输出端的输出电压而在该第一 MOS晶体管Ml的第二端处产生该第一参考电压VTOP。 第二参考电压产生器113利用负反馈电路响应于第二偏置电压VN而产生第二参 考电压VB0T，第二参考电压产生器113包括第二差分运算放大器0P2和第二MOS晶体管M2。 第二差分运算放大器0P2接收施加到该第二差分运算放大器0P2的第一输入端(-)上的第 二偏置电压VN，并且产生的第二参考电压VBOT施加到该第二差分运算放大器0P2的第二输 入端(+)。第二 MOS晶体管M2的第一端连接到接地电压源GND，并且第二差分运算放大器 0P2的输出端连接到该第二 MOS晶体管M2的栅极。第二 MOS晶体管M2响应于来自第二差 分运算放大器0P2的输出端的输出电压而在该第二 MOS晶体管M2的第二端处产生该第二 参考电压VBOT。 由第一参考电压产生器112和第二参考电压产生器113分别产生的第一参考电压 VTOP和第二参考电压VBOT保持为恒量，与该第一参考电压产生器112的负载和该第二参考 电压产生器113的负载无关。 参考图1和图3，开关块115包括四个开关阵列SW1到SW4。第一开关阵列SW1响 应于第一转换控制信号DNP1到DNP4(见图3)中的至少一个而转换第一参考电压VT0P，并 输出第二电压信号V4至第四节点N4。第二开关阵列SW2响应于第二转换控制信号DPP1到 DPP4(见图3)中的至少一个而转换第一参考电压VT0P，并输出第一电压信号V3至第三节 点N3。第三开关阵列SW3响应于第三转换控制信号DPN1到DPN4中的至少一个而转换第二 参考电压VB0T，并输出第二电压信号V4至第四节点N4。第四开关阵列SW4响应于第四转 换控制信号DNN1到DNN4中的至少一个而转换第二参考电压VBOT，并输出第一电压信号V3 至第三节点N3。 图3是示出根据本发明构思的一个示范性实施例的、图1所示系统100的开关块 115的电路图。 参考图3，尽管图1中显示了单个代表性开关，但在描述的实施例中每个开关阵列 SW1到SW4可包括四个并行连接的开关。但是，根据不同的可选实施例，在每个开关阵列中 并且并行连接的开关数量可大于或小于四个。 第一开关阵列SW1包括四个第一开关晶体管M11到M14。每个第一开关晶体管M11 到M14，分别响应于施加到这些第一开关晶体管Mil至M14相应栅极上的第一开关控制信 号DNP1至DNP4，而转换施加到该第一开关阵列SW1的第一端上的第一参考电压VT0P。这 些第一开关晶体管Mil到M14向连接到该第一开关阵列SW1的第二端的第四节点N4输出
7第二电压信号V4。 第二开关阵列SW2包括四个第二开关晶体管M21到M24。每个第二开关晶体管M21 到M24，分别响应施加到这些第二开关晶体管M21至M24相应栅极上的第二开关控制信号 DPP1至DPP4，而转换施加到该第二开关阵列SW2的第一端上的第一参考电压VTOP。这些第 二开关晶体管M21到M24向连接到该第二开关阵列SW2的第二端的第三节点N3输出第一 电压信号V3。 第三开关阵列SW3包括四个第三开关晶体管M31到M34。每个第三开关晶体管M31 到M34，分别响应施加到这些第三开关晶体管M31至M34相应栅极上的第三开关控制信号 DPN1至DPN4，而转换施加到该第三开关阵列SW3的第一端上的第二参考电压VB0T。这些第 三开关晶体管M31到M34向连接到该第三开关阵列SW3的第二端的第四节点N4输出第二 电压信号V4。 第四开关阵列SW4包括四个第四开关晶体管M41到M44。每个第四开关晶体管M41 到M44，分别响应施加到这些第四开关晶体管M41至M44相应栅极上的第四开关控制信号 DNN1至DNN4，而转换施加到该第四开关阵列SW4的第一端上的第二参考电压VB0T。这些第 四开关晶体管M41到M44向连接到该第四开关阵列SW4的第二端的第三节点N3输出第一 电压信号V3。 分别包含在第一到第四开关阵列SW1到SW4的第一、第二、第三和第四开关晶体管 Mil到M14、M21到M24、M31到M34、M41到M44中的每组，都彼此并行连接。这样，当所有的 四个开关晶体管Mll到M14、M21到M24、M31到M34、或M41到M44都接通时，产生的等效阻 抗会小于当少于四个的开关晶体管接通时产生的等效阻抗。这样，越少开关晶体管接通，相 应的开关阵列的等效阻抗就越高。 第一到第四开关阵列SW1到SW4中每个的等效阻抗将影响发射机110和接收机 150之间的电压增益，以及发射机110输出的差分电压信号的频率。下面将详细介绍。
图1和图3中示出的开关阵列SW1到SW4可成对的激活或不激活(接通和关断)。 例如，在一个实施例中，由第一开关阵列SW1和第四开关阵列SW4构成的一对共同地接通和 关断，以及由第二开关阵列SW2和第三开关阵列SW3构成的一对共同地接通和关断，如下所 述。 图4是示出根据一个示范性实施例的、当图1的系统的开关块115的第二和第三 开关阵列SW2和SW3接通时产生的电压信号的框图。 参考图4，当第二和第三开关阵列SW2和SW3接通时，形成的直流电流(DC)通路从 第一参考电压产生器112，通过第二开关阵列SW2、上传输线I^、电阻R『下传输线R^、和第 三开关阵列SW3，直到第二参考电压VB0T。这样，施加到接收机150的比较器152的正输入 端(+)的电压，高于施加到比较器152的负输入端(-)的电压。这里，每个上和下传输线RcH 均由每个PCB、FPC、和安装在玻璃基片上的金属线ME乙GLA的等效电阻的模拟总和构成，其 包含于传输线130中。 图5是示出根据一个示范性实施例的、当图1的系统的开关块115的第一和第四 开关阵列SW1和SW4接通时产生的电压信号的框图。 参考图5，当第一和第四开关阵列SW1和SW4接通时，形成的DC通路从第一参考电 压产生器112，通过第一开关阵列SW1、下传输线I^、电阻R『上传输线R^、和第四开关阵列SW4，直到第二参考电压VB0T。这样，施加到接收机150的比较器152的正输入端(+)的电 压，低于施加到比较器152的负输入端(_)的电压。 在该接收机150的电阻RKX两端的DC压降相对量，由第一开关控制信号DNP1到 DNP4至第四开关控制信号DNN1到DNN4确定。接收机150的电阻RKX两端的DC电压降由 比较器152转换。 利用要由发射机110向接收机150传输的数据，来确定第一开关控制信号DNP1到 DNP4至第四开关控制信号DNN1至ljDNN4的逻辑值。当图1中示出的用于发射和接收信号的 系统100例如是在玻璃上芯片(COG)环境中所实施的图像重现设备时，发射机110可以是 时间控制器，而接收机150可以是驱动显示面板的源驱动器。 当第一开关控制信号DNP1到DNP4至第四开关控制信号DNN1到DNN4的逻辑值确 定时，显示数据的值将被提出。 通过执行由图1中所示的系统100实施的发射和接收电压信号的方法，可以最小 化被发射或被接收的电压信号的幅值。根据一个实施例的用于发射和接收电压信号的方 法，基本上等同于用于发射和接收差分电流信号的相关方法，因为由于传输线130的电特 性，在图4和5所示的DC通路上会存在漏电流，以及在图4和5中示出的DC通路中存在信 号的延迟分量。但是，在第一参考电压VTOP和第二参考电压VBOT的源之间仅存在电阻分 量。在根据一个实施例的用于发射和接收电压信号的方法中，漏电流和延迟分量的幅值非 实质性地影响接收机150的电阻RKX正端子上的DC电压。 另外，由于接收机150的电阻I^两端子上的DC压降实际上被放大了，因此进一步
降低了该信号的漏电流及延迟分量幅值对DC电压的影响。因此，即使考虑到该影响，第一
参考电压VTOP和第二参考电压VBOT的电势差别也被最小化。通过减少电阻RKX两端子上
的DC压降幅值，可以降低整个系统的能量消耗，并且提高系统的传输速度。 另外，系统IOO可调整该系统100的用于发射和接收信号的电压增益，以及被发射
或接收的信号的带宽。 在用于发射和接收差分电流信号的相关方法的情况下，发射机110的输出电压 VTX(t)和接收机150的输入电压Kt)将利用等式1获得，如下:
■ = + ~)(1 - 一，rl = d +
r股(0 = (1 - e《),iC = + r2,= i 股C丄(等式D 参考等式1， IIN为将被发射或接收的电流信号的幅值，RCH为传输线130的等效电 阻，RKX为接收机150的电阻RKX的阻值，Cs为传输线130和玻璃基片之间的等效电容，以及 (^为负载电容。此外，将被传输的电流信号1 的总延迟分量、为两个延迟分量的总和 ("+ t 2)。 图6是示出根据一个示范性实施例的、图1所示系统100的等效电路模型的电路
图6中所示系统的电压增益可使用等式2获得，如下 (l-一),^(i C耽)(^ (等式2)
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电压信号的频率fMX可由等式3获得，如下
= =，"，(等式3) 参考等式2和3，图6中所示系统的电压增益由传输线130的等效电阻RCH和接收 机150的电阻RKX的阻抗RKX决定。电压信号的频率fMX由传输线130的等效电阻RCH和接 收机150的电阻RKX的阻抗RKX，以及负载电容的电容值决定。由于传输线130的等效电 阻RCH和负载电容的电容值&是固定的，仅有接收机150的电阻RKX的阻抗RKX变化以改变 电压增益。 例如，接收机150的电阻R^的阻抗R^增力B，则图6中所示的系统电压增益增加， 而电压信号的频率fMX降低。相反地，随着传输线130的等效电阻RCH降低，图6中所示的 系统电压增益降低，电压信号的频率fMX增加。 现在将说明图1中所示的用于发射和接收信号的系统100的实验条件和计算机仿 图7示出根据一个示范性实施例的、相应于两个电压信号的幅值而得到的对带宽 和电压增益的计算机仿真结果。 参考图7，由于电压信号(V。D = |V「V2|)的幅值减小，如从约600mV减小到约 200mV，带宽增加了 ，而同时电压增益降低了 。带宽是发射和接收频率可使用范围。
图8示出根据一个示范性实施例的、相应于发射终端的电阻分量变化而得到的对 带宽和电磁干扰(EMI)的计算机仿真结果。 参考图8，发射机110的电阻值分量是指构成开关块115的多个开关的导通电阻。 每个开关阵列例如包括四个开关晶体管，并且每个开关晶体管的导通电阻为约320 Q 。这 样，只要并行连接的开关晶体管顺序接通，发射机110的信道电阻值分量从320Q减少到 160 Q 、120 Q禾卩80Q 。 随着发射机110的电阻增加，如从约80 Q到约320 Q ，系统的EMI增加，同时发射 频率的可使用范围(带宽)降低。 图9示出根据一个示范性实施例的、相应于接收终端的电阻分量变化而得到的对 带宽和电磁干扰的计算机仿真结果。 参考图9，随着接收机150的电阻RKX的电阻值增加，例如从约400 Q到约800 Q ，
电压增益增加，接收频率的带宽降低。并且，当在接收机150中不使用电阻I^时(开路)，
电压增益进一步增加，而频率的带宽进一步降低。 图7到图9中的结果可由等式2和3定性分析而推断出。 图IO是示出用于比较目的的包括本发明构思的一个实施例的不同体系结构的电 特性的表格。 参考图lO，mLVDS和WiseBusTM实施方式具有比根据本发明构思的用于发射和接收 信号的系统更大的平均电流值，和更大的峰值电流幅值。更大的平均电流和峰值电流导致 更大的功率损耗。当系统小型化时，在系统中使用的单元尺寸被减小了，系统的更大功率损 耗会反向地影响组成系统的产品的竞争力。 图11示出了用于比较目的的包括本发明构思的一个实施例的对一种接口方式中 电特性的仿真结果。
参考图ll，在根据本发明构思的系统情况下，仿真结果确认了与mLVDS和 WiseBus 实施方式相比，发射信号DATA的格式和时钟信号CLK中的格式每个都具有更小 的偏移。 图12是根据一个示范性实施例的、相应于发射信号的类型的输入/输出信号的波 形图。 参考图12，当发射信号是电流信号VTX_CM1时，响应特性优于当发射信号是电压 信号VTX_VM1时的响应特性。在接收信号情况下，电压信号VRX_VM1响应于约为1. 2纳秒 (ns)，而电流信号VRX_CM1响应于约为7. lns，其比电压信号VRX_VM1的响应时间慢五倍。
图13是示出根据另一个示范性实施例的、用于发射和接收信号的系统的框图。
参考图13，当在点对点方式中使用多段发射和接收数据时，可以采用根据描述过 的示范性实施例的用于发射和接收信号的系统。 如上所述，可以在显示系统中使用本发明构思的各实施例。但是，各种实施例也 可应用到显示驱动集成电路(DDI)中，例如有机发光二极管(0LED)、等离子体显示面板 (PDP)、液晶显示器(LCD)、柔性驱动集成电路(D-IC)等。
需要注意，也将实质上提高体现不同实施例的产品的竞争力。 已经结合示例性实施例描述了本发明构思，本领域技术人员将明了在不脱离本发 明构思教导的精神和范围下可作出不同的变化及修改。因此，应该理解以上实施例为解释 性的说明而非限制性的说明。 本申请要求于2008年12月1日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2008-0120685的优先权，其主题通过引用方式并入本申请。
权利要求
一种用于发射和接收信号的系统，该系统包括发射机，用于转换第一参考电压和第二参考电压，并产生第一和第二电压信号；以及接收机，用于接收所述第一和第二电压信号，其中，所述发射机包括参考电压产生器，用于产生所述第一参考电压和所述第二参考电压；以及开关块，用于转换所述第一参考电压和第二参考电压，并输出所述第一和第二电压信号，以及其中所述接收机包括具有两个端子的电阻，所述第一和第二电压信号施加到所述两个端子上。
2. 如权利要求1所述的系统，其中所述参考电压产生器包括第一参考电压产生器和第 二参考电压产生器，其中所述第一参考电压产生器包括第一差分运算放大器，包括第一和第二输入端以及输出端，其中第一偏置电压施加到 所述第一差分运算放大器的第一输入端；以及第一金属氧化物半导体(M0S)晶体管，其中所述第一MOS晶体管的第一端连接到第一电源，所述第一 M0S晶体管的栅极连接到所述第一差分运算放大器的输出端，所述第一 M0S晶体管连接到所述第一差分运算放大器的第二输入端，所述第一MOS晶体管响应于来自所述第一差分运算放大器的输出端的输出电压而在该第一 M0S晶体管的第二端上产生所述 第一参考电压；以及其中所述第二参考电压产生器包括第二差分运算放大器，包括第一和第二输入端以及输出端，其中第二偏置电压施加到 所述第二差分运算放大器的第一输入端；以及第二M0S晶体管，其中所述第二MOS晶体管的第一端连接到接地电压源，所述第二MOS 晶体管的栅极连接到所述第二差分运算放大器的输出端，所述第二MOS晶体管连接到所述 第二差分运算放大器的第二输入端，所述第二MOS晶体管响应于来自所述第二差分运算放 大器的输出端的输出电压而在该第二MOS晶体管的第二端上产生第二参考电压。
3. 如权利要求l所述的系统，其中所述开关块包括第一开关阵列，响应于多个第一开关控制信号中的至少一个而转换第一参考电压，并 输出第二电压信号；第二开关阵列，响应于多个第二开关控制信号中的至少一个而转换第一参考电压，并 输出第一电压信号；第三开关阵列，响应于多个第三开关控制信号中的至少一个而转换第二参考电压，并 输出第二电压信号；以及第四开关阵列，响应于多个第四开关控制信号中的至少一个而转换第二参考电压，并 输出第一电压信号。
4. 如权利要求3所述的系统，其中所述第一开关阵列包括至少一个第-其响应于多个第一开关控制信号中的一个第一开关控制信号而转换所述第-输出第二电压信号，其中所述第二开关阵列包括至少一个第二开关晶体管，其响应于多个第二开关控制信 号中的一个第二开关控制信号而转换所述第一参考电压，并输出第一电压信号， -开关晶体管， -参考电压，并其中所述第三开关阵列包括至少一个第三开关晶体管，其响应多个第三开关控制信号 中的一个第三开关控制信号而转换所述第二参考电压，并输出第二电压信号，以及其中所述第四开关阵列包括至少一个第四开关晶体管，其响应多个第四开关控制信号 中的一个第四开关控制信号而转换所述第二参考电压，并输出第一 电压信号。
5. 如权利要求3所述的系统，其中第一开关阵列和第四开关阵列的一对共同地接通和 关断，以及第二开关阵列和第三开关阵列的一对共同地接通和关断。
6. 如权利要求1所述的系统，其中所述接收机还包括均衡器，用于均衡所述电阻两端 的电压降。
7. 如权利要求6所述的系统，其中所述接收机还包括比较器，用于比较所述均衡器输 出的均衡后电压的幅值。
8. 如权利要求1所述的系统，其中第一参考电压和第二参考电压中的一个包括时钟信号。
9. 如权利要求l所述的系统，其中第一参考电压和第二参考电压中的另一个包括数据。
10. 如权利要求1所述的系统，其中所述接收机安装在玻璃基片上，并且传输线包括安 装在该玻璃基片上的金属线。
11. 如权利要求l所述的系统，其中所述系统用于显示驱动集成电路(DDI)、有机发光 二极管(0LED)、等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、或柔性驱动集成电路(D-IC)中。
12. —种用于发射和接收信号的系统，所述系统包括时间控制器，该时间控制器包含发 射机，用于将显示数据转换为第一和第二电压信号，并且将该第一和第二电压信号发射到 包含接收机的有源驱动器，其中所述时间控制器包括参考电压产生器，用于产生第一参考电压和第二参考电压；以及开关块，用于转换所述第一参考电压和所述第二参考电压，并输出所述第一和第二电 压信号，并且其中所述有源驱动器包含电阻，所述第一和第二电压信号施加到该电阻上。
13. 如权利要求12所述的系统，其中所述参考电压产生器包括第一参考电压产生器和 第二参考电压产生器，其中所述第一参考电压产生器包括第一差分运算放大器，包括第一和第二输入端以及输出端，其中第一偏置电压施加到 所述第一差分运算放大器的第一输入端；以及第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管，其中所述第一MOS晶体管的第一端连接到第一 电源，并且所述第一MOS晶体管的栅极连接到所述第一差分运算放大器的输出端，所述第 一MOS晶体管连接到所述第一差分运算放大器的第二输入端，所述第一MOS晶体管响应于 来自所述第一差分运算放大器的输出端的输出电压而在该第一 MOS晶体管的第二端上产 生第一参考电压；以及其中所述第二参考电压产生器包括第二差分运算放大器，包括第一和第二输入端以及输出端，其中第二偏置电压施加到 所述第二差分运算放大器的第一输入端；以及第二MOS晶体管，其中所述第二MOS晶体管的第一端连接到接地电压源，并且所述第二M0S晶体管的栅极连接到所述第二差分运算放大器的输出端，所述第二MOS晶体管连接到 所述第二差分运算放大器的第二输入端，所述第二MOS晶体管响应于来自所述第二差分运 算放大器输出端的输出电压而在该第二MOS晶体管的第二端上产生第二参考电压。
14. 如权利要求12所述的系统，其中所述开关块包括第一开关阵列，响应于多个第一开关控制信号中的至少一个而转换所述第一参考电 压，并输出第二电压信号；第二开关阵列，响应于多个第二开关控制信号中的至少一个而转换所述第一参考电 压，并输出第一电压信号；第三开关阵列，响应于多个第三开关控制信号中的至少一个而转换所述第二参考电 压，并输出第二电压信号；以及第四开关阵列，响应于多个第四开关控制信号中的至少一个而转换所述第二参考电 压，并输出第一电压信号。
15. 如权利要求14所述的系统，其中所述第一开关阵列包括至少一个第一开关晶体 管，其响应于多个第一开关控制信号中的一个第一开关控制信号而转换所述第一参考电 压，并输出第二电压信号， 其中所述第二开关阵列包括至少一个第二开关晶体管，其响应于多个第二开关控制信 号中的一个第二开关控制信号而转换所述第一参考电压，并输出第一电压信号，其中所述第三开关阵列包括至少一个第三开关晶体管，其响应于多个第三开关控制信 号中的一个第三开关控制信号而转换所述第二参考电压，并输出第二电压信号，以及其中所述第四开关阵列包括至少一个第四开关晶体管，其响应于多个第四开关控制信 号中的一个第四开关控制信号而转换所述第二参考电压，并输出第一 电压信号。
16. 如权利要求14所述的系统，其中第一开关阵列和第四开关阵列的一对共同地接通 和关断，以及第二开关阵列和第三开关阵列的一对共同地接通和关断。
17. 如权利要求14所述的系统，其中第一、第二、第三和第四开关控制信号中至少一个 的每个由显示数据来确定。
18. 如权利要求14所述的系统，其中第一、第二、第三和第四开关控制信号中至少一个 的每个，是考虑到所述时间控制器的输出端和有源驱动器的输出端之间的电压增益、以及 决定着第一和第二电压信号频率范围的带宽而确定的。
19. 如权利要求12所述的系统，其中第一参考电压和第二参考电压中的一个包括时钟 信号，并且第一参考电压和第二参考电压中的另一个包括数据。
20. —种用于在发射机和接收机之间发射和接收信号的方法，所述方法包括 由发射机将待发射信号转换为至少两个电压信号； 在接收机处接收转换后的电压信号；以及 对接收到的电压信号进行均衡，并且比较均衡后的电压信号， 其中所述接收机安装在玻璃基片上。
全文摘要
一种用于发射和接收信号的系统，该系统包括发射机，其转换第一参考电压和第二参考电压，并产生第一和第二电压信号，以及接收机，其接收所述第一和第二电压信号。所述发射机包括参考电压产生器，其产生所述第一参考电压和所述第二参考电压；以及开关块，其转换所述第一参考电压和所述第二参考电压，并输出所述第一和第二电压信号。所述接收机包括具有两个端子的电阻，所述第一和第二电压信号施加到所述两个端子上。
文档编号H04B1/40GK101764626SQ20091025847
公开日2010年6月30日 申请日期2009年12月1日 优先权日2008年12月1日
发明者李在烈, 林正泌, 白东勋, 金智勋 申请人:三星电子株式会社