专利名称：固体摄像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及固体摄像装置，尤其涉及单位像素的电路结构，例如可用于CMOS图像 传感器。
背景技术：
在CMOS图像传感器的摄像区域排列有多个单位像素。各单位像素包含光电二极 管、浮动扩散(floating diffusion)、读出晶体管、放大晶体管、复位晶体管以及选择晶体 管。光电二极管对入射光进行光电转换。读出晶体管将光电二极管的累积电荷读出到浮动 扩散层并进行控制。放大晶体管将浮动扩散的信号进行放大并输出给垂直信号线。复位晶 体管复位放大晶体管的栅极电位(浮动扩散的电位)。选择晶体管选择单位像素，并控制放 大晶体管的动作。已知，通常在CMOS传感器中，存在放大晶体管的热噪声及Ι/f噪声，这些被称为暗 流随机噪声(暗時，、巧H八 <)。为改善暗流随机噪声，有效的是在产生噪声的前期增 大浮动扩散的信号电平。浮动扩散的电压振幅OUT(V)由OUT(V) = (e/CFD)Xinput(q)给 出。此处，e是元电荷量，CFD是浮动扩散的电容，input (q)是信号电荷量。为了使浮动扩 散的电压振幅增大，减小暗流随机噪声，有效的是减小浮动扩散的电容CFD。并且单位像素 的变换增益 Gain 由 Gain = OUT (V)/input (q)给出。图1为示出普通CMOS传感器中累积在光电二极管PD的信号电荷量较少的情况下 的复位动作和读出动作的图。即，通过使复位晶体管RST开启而进行复位动作，从而将进行 复位动作之后的浮动扩散FD的电位设定为和漏极电位相同的电位电平。接着，在开启了读 出晶体管RD时，因为目前累积于光电二极管PD的信号电荷量少，所以，即使为了降低暗流 随机噪声而将浮动扩散FD的电容CFD设计成较小，也能够将信号电荷传送到浮动扩散FD。另一方面，图2为示出普通CMOS传感器中累积在光电二极管PD的信号电荷量较 多的情况下的复位动作和读出动作的图。即，通过使复位晶体管RST开启而进行复位动作， 从而将进行复位动作之后的浮动扩散FD的电位设定为和漏极电位相同的电位电平。接着， 在开启了读出晶体管RD时，将目前累积于光电二极管PD的信号电荷不能完全传送到浮动 扩散FD，在光电二极管PD上产生信号电荷的残留Lag。在日本特开2000-165754号公报中，公开了一种这样的技术，对单位像素内的浮 动扩散附加栅电容，使浮动扩散电容可变。但是，在该技术中，在使作为高灵敏度用而附加 的栅电容截止(OFF)时，也不能将该栅极和浮动扩散之间的寄生电容完全归零。因此，与浮 动扩散电容不可变的情况相比，浮动扩散的电容增加，转换增益降低。结果，暗流随机噪声 特性变差。另一方面，在日本特开2002-77737号公报中，公开了这样的技术，通过在单位像素内经由MOS晶体管对光电二极管附加电容，从而增加信号电荷处理量。但是，在该技术 中，没有读出晶体管，光电二极管和新附加的电容与放大晶体管的栅极相连接。由此，转换 增益降低。结果，暗流随机噪声特性变差。另外，在日本特开2006-245522号公报中，公开了这样的技术，通过在单位像素内 经由MOS晶体管对光电二极管附加电容，从而增加信号电荷处理量。但是，在该技术中，和 现有技术的单位像素比较，因为需要添加2个晶体管，2个电容器，合计4个电路元件，所以 像素尺寸的缩小变困难。如上所述，在现有技术的固体摄像装置中，暗流随机噪声和信号电荷处理量之间 为折衷关系(二律背反trade off)，难以在维持暗流的低噪声的状态下增大信号电荷处理 量，因此期待改善这些问题。
发明内容
根据本发明第1方面，提供一种固体摄像装置，具备光电二极管，对入射光进行 光电转换；第1晶体管，与上述光电二极管连接，从光电二极管读出信号电荷；浮动扩散，与 上述第1晶体管连接，累积由第1晶体管读出的信号电荷；第2晶体管，与上述浮动扩散连 接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及第3晶体管，与上述第2晶体管连接，将上述浮动扩 散的电位进行复位。上述第2晶体管在由上述第1晶体管读出的信号电荷量大于等于上述浮动扩散的 饱和电平的情况下，基于控制信号被导通，由此，对上述浮动扩散附加电容，在小于饱和电 平的情况下，基于上述控制信号而不被导通。根据本发明第2方面，提供一种固体摄像装置，具备多个光电二极管，分别对入 射光进行光电转换；多个第1晶体管，与上述多个光电二极管连接，从各自对应的光电二极 管读出信号电荷；浮动扩散，与上述多个第1晶体管共同连接，累积由上述多个第1晶体管 读出的信号电荷；第2晶体管，与上述浮动扩散连接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及 复位晶体管，与上述第2晶体管连接，将上述浮动扩散的电位进行复位。上述多个光电二极管具有第1光电二极管和第2光电二极管，并且，上述多个第1 晶体管具有对应于第ι光电二极管和第2光电二极管的两个晶体管。上述第1光电二极管和第2光电二极管为感光度彼此不同的光电二极管。上述第2晶体管基于控制信号而被导通，由此对上述浮动扩散附加电容。上述第2晶体管对上述浮动扩散附加比上述浮动扩散的电容值大的电容。上述固体摄像装置还包括第4晶体管，与上述浮动扩散连接，放大浮动扩散的信 号；以及第5晶体管，与上述第4晶体管连接，基于地址信号被导通控制。根据本发明第3方面，提供一种固体摄像装置，具备像素区，具有多个像素并且 输出各像素信号，上述多个像素分别包含光电二极管，对入射光进行光电转换；第1晶体 管，与上述光电二极管连接，从光电二极管读出信号电荷；浮动扩散，与上述第1晶体管连 接，累积由第1晶体管读出的信号电荷；第2晶体管，与上述浮动扩散连接，对浮动扩散有选 择地附加电容；以及第3晶体管，与上述第2晶体管连接，将上述浮动扩散的电位进行复位， 模数转换电路，将从上述像素区输出的像素信号转换为数字信号；信号电平判断电路，接收 由上述模数转换电路转换的数字信号，判断从上述像素区输出的像素信号的电平；以及控制信号发生电路，接收上述信号电平判断电路的判断输出，并基于该判断输出，输出对上述 第2晶体管进行控制的控制信号。
图1为示出普通CMOS传感器中累积在单位像素内的光电二极管的信号电荷量较 少的情况下的复位动作和读出动作的图。图2为示出普通CMOS传感器中累积在单位像素内的光电二极管的信号电荷量较 多的情况下的复位动作和读出动作的图。图3为简要示出本发明第1实施例的CMOS图像传感器的模块图。图4为示出在图3中的单位像素内的光电二极管中累积的信号电荷量较少的情况 下的动作定时、复位动作时的半导体基板内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例 子的图。图5为示出在图3中的单位像素内的光电二极管中累积的信号电荷量较多的情况 下的动作定时、复位动作时的半导体基板内的电势电位和读出动作时的电势电位的一个例 子的图。图6为示出图3的CMOS图像传感器的输入输出特性的一个例子的图。图7为将本发明第2实施例的CMOS图像传感器的单位像素取出来表示的电路图。图8为将本发明第3实施例的CMOS图像传感器的单位像素取出来表示的电路图。
具体实施例方式下面，参照附图通过各种实施例对本发明进行说明。在对这些实施例说明时，所有 图中共通的部分采用同样的附图标记。<第1实施例>图3为简要示出本发明固体摄像装置的第1实施例的CMOS图像传感器的模块图。 10为包含排列成m行η列的多个单位像素l(m，η)的像素区。其中，代表性地示出了多个 单位像素中的1个单位像素1 (m，n)和对应像素区的各栏(column)而形成于列方向的垂直 信号线中的1条垂直信号线ll(n)。12为向像素区的各行提供控制信号ADRES (m) ,RESET (m) ,READ (m) ,High-SAT的垂 直移位寄存器(Vertical Shift Register)，13为与像素区的各栏的垂直信号线11 (η)连 接的 CDS (Correlated Double Samping)&ADC(模数转换电路)，14 为与 CDS&ADC13 连接的 水平移位寄存器(HorizontalShift Register)，15为信号电平判断电路，16为定时信号发 生(TimingGenerator)电路。信号电平判断电路15基于CDS&ADC13输出的信号电平，判断单位像素的输出信号 VSIG(η)比规定值多还是少，将判断输出提供给定时信号发生电路16，并且，作为模拟增益 (Analog Gain)控制信号提供至 CDS&ADC13。定时信号发生电路16分别以规定定时产生用于控制光电二极管PD的累积时间的 电子快门控制信号ES、以及对单位像素中的后述的电容附加用晶体管HSAT的开启/关闭动 作进行控制的控制信号High-SAT，并提供给垂直移位寄存器12。控制信号High-SAT基于 信号电平判断电路15的判断输出而产生。
图3的CMOS图像传感器通过适当设定如下三个控制，能够实现自动曝光控制，该 三个控制分别为，基于电子快门控制信号ES的累积时间控制、基于信号电平判断电路15的 判断输出的CDS&ADC13的模拟增益控制、电容附加用晶体管HSAT的开启/关闭控制。图3中的单位像素1 (m，n)具有，将入射光进行光电转换并进行累积的光电二极管 PD、将光电二极管PD的累积电荷读出到浮动扩散FD并进行控制的读出晶体管RD、对浮动扩 散FD的信号进行放大并向垂直信号线输出的放大晶体管AMP、将浮动扩散FD的电位(放大 晶体管AMP的栅极电位)复位的复位晶体管RST、以及选择晶体管ADR，该选择晶体管ADR 选择控制垂直方向的所希望的水平位置的单位像素并控制向放大晶体管AMP的电源供给。 放大晶体管AMP的栅极电极与浮动扩散FD连接。另外，为降低暗流随机噪声，优选将浮动 扩散电容CFD设计得小些。进一步，在本实施例中，单位像素l(m，n)内追加了电容附加用晶体管HSAT。电容 附加用晶体管HSAT的源极与浮动扩散FD连接，漏极与复位晶体管RST的漏极连接。S卩，晶 体管HSAT连接于复位晶体管RST和浮动扩散FD之间。上述各晶体管在本例中全部是η型 MOSFET(MetalOxideSemicoductor Field Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应管)。本实施例中的单位像素l(m，η)与普通的单位像素比较，不同点在于，增加了一个 电容附加用晶体管HSAT，每1个光电二极管的追加电路元件数只是1个。下面对图3的CMOS图像传感器的动作概要进行说明。为驱动像素区10的单位 像素l(m，η)，从垂直移位寄存器12输出各种控制信号ADRES (m)、RESET (m)、High-SAT、 READ(m)。单位像素的输出信号VSIG(n)通过对应连接的垂直信号线ll(n)输入到 ⑶S&ADC13，进行A/D转换。信号电平判断电路15基于⑶S&ADC13输出的信号电平，判断输 出信号VSIG(n)比规定值多还是少，将判断输出提供给⑶S&ADC13及定时信号发生电路16。 定时信号发生电路16分别以规定定时产生用于控制光电二极管PD的累积时间的电子快门 控制信号ES、以及控制电容附加用晶体管HSAT的开启/关闭动作的控制信号High-SAT，并 提供给垂直移位寄存器12。通过适当设定如下三个控制，能够实现自动曝光控制，该三个控制分别为，基于电 子快门控制信号ES的累积时间控制、基于信号电平判断电路15的判断输出的CDS&ADC13 的模拟增益控制、电容附加用晶体管HSAT的开启/关闭控制。根据控制信号High-SAT的电容附加用晶体管HSAT的开启/关闭控制如下进行。 在设计了一次单位像素l(m，η)时，若光电二极管PD的信号电荷量为某种程度，则能够预知 浮动扩散FD是否饱和。因此，信号电平判断电路15基于取决于单位像素输出信号VSIG(n) 的CDS&ADC13的输出信号的电平，在大于等于浮动扩散FD饱和的电平时，使电容附加用晶 体管HSAT开启，在小于浮动扩散FD饱和的电平时，使电容附加用晶体管HSAT关闭，以降低 暗流随机噪声。即，晶体管HSAT基于控制信号High-SAT被导通，对浮动扩散FD选择性地 附加电容。即，晶体管HSAT在控制信号High-SAT为高电平(第1状态)时导通，由此对浮 动扩散FD附加电容，在控制信号为低电平(第2状态)时不导通。对浮动扩散FD附加的 电容为晶体管HSAT的通道电容、栅极源极间电容等，以下将其统称为晶体管HSAT的栅电容 CHSAT。根据本实施例的CMOS图像传感器，进行如上所述的晶体管HSAT的开启/关闭控制的结果，能够克服暗流随机噪声和信号电荷处理量的折衷关系，在维持暗流低噪声的状 态下增大信号电荷处理量。下面对图3中的单位像素1 (m，η)的动作进行详细说明。图4为示出累积于单位像素1 (m，n)内的光电二极管PD的信号电荷量较少的情况 下的动作定时，复位动作(Reset operation)时的半导体基板内的电势(potential)电位 和读出动作(Read opertion)时的电势电位的一个例子的图。即，使复位晶体管RST和电 容附加用晶体管HSAT同时开启，以进行复位动作。刚进行复位动作之后的浮动扩散FD的 电位设定为和漏极相同的电位电平。复位动作结束后，将复位晶体管RST和电容附加用晶 体管HSAT —起关闭。接下来，在开启了读出晶体管RD时，到目前累积在光电二极管PD的信号电荷量较 少，所以，如上所述，即便为降低暗流随机噪声而减小浮动扩散电容CFD，也能够将信号电荷 转送到浮动扩散FD。另一方面，图5为示出在单位像素l(m，η)内的光电二极管PD中累积的信号电荷 量较多的情况下的动作定时、复位动作时的半导体基板内的电势电位和读出动作时的电势 电位的一个例子的图。即，使复位晶体管RST和电容附加用晶体管HSAT同时开启，以进行复 位动作。在刚进行复位动作之后的浮动扩散FD的电位设定为和漏极相同的电位电平。复 位动作结束后，和上述信号电荷量较少的情况不同，复位晶体管RST关闭，而电容附加用晶 体管HSAT继续开启。接着，在开启了读出晶体管RD时，不但在浮动扩散FD的电容CFD中累积信号电 荷，而且在电容附加用晶体管HSAT的栅电容CHSAT中也能够累积信号电荷。因此，即使在 目前累积于光电二极管PD的信号电荷量较多的情况下，也能够将信号电荷全部传输到浮 动扩散FD和栅电容CHSAT。因此，不在光电二极管PD残留信号电荷而进行读出动作。在信号电荷量多的情况下，通常是其他的噪声，例如散射噪声或灵敏度不均勻成 为噪声的支配要因，所以，浮动扩散FD的电容变大而难以降低暗流随机噪声，这在实际使 用上并不成为问题。图6为示出图3的CMOS图像传感器的输入输出特性的一个例子的图。图6中，特 性A表示单位像素内的晶体管HSAT关闭时(HSAT = OFF)的读出信号时的输出电压的变化。 在该特性A中，浮动扩散FD的信号电子数(电荷量)随着增加到晶体管HSAT为关闭状态 时的饱和信号电子数(电荷量)Qsat_HSAT = OFF，输出电压急剧上升到饱和值。特性B表示单位像素中的晶体管HSAT开启(HSAT = 0N)时的读出信号时的输出 电压的变化。其中，假定将晶体管HSAT的栅电容CHAST设定为浮动扩散电容CFD的2倍。 该特性B中，浮动扩散FD的信号电子数随着增加到晶体管HSAT为开启状态时的饱和信号 电子数Qsat_HSAT = 0N，输出电压缓慢上升到饱和值。由图6可知，在晶体管HSAT开启时，可以将浮动扩散FD的饱和信号电子数Qsat_ HSAT = ON设定为晶体管HSAT为关闭时的浮动扩散FD的饱和信号电子数Qsat_HSAT = OFF 的实质上3倍(Qsat_HSAT = ON = Qsat_HSAT = OFFX 3)，可以使信号电荷处理量成为3倍。在上述的本实施例的CMOS传感器中，对于具有将入射光进行光电转换并进行累 积的光电二极管PD、从光电二极管PD读出信号电荷的读出晶体管、累积从读出晶体管读出
8的信号电荷的浮动扩散FD、以及将浮动扩散FD电位复位的复位晶体管RST的单位像素，在 浮动扩散FD和复位晶体管RST之间增加电容附加用晶体管HSAT。另外，在浮动扩散FD的 信号电荷量少时，关闭晶体管HSAT，不增加浮动扩散FD的电容，而提高转换增益。相对于 此，在浮动扩散FD的信号电荷量多时，开启晶体管HSAT，增加浮动扩散FD的电容，确保信号 电荷处理量。这样，通过分开成该2个动作模式，能够在保持低噪声的状态下增大信号电荷 处理量。在图4、图5所示的动作例中，复位动作时，与电容附加用晶体管HSAT —样地对复 位晶体管RST进行开启/关闭控制，但是，也可以变更为，使复位晶体管RST总是开启，只对 晶体管HSAT进行开启/关闭控制。<第2实施例>图7为将本发明第2实施例的CMOS图像传感器中的单位像素取出来表示的电路 图。该单位像素与上述第1实施例的单位像素l(m，η)相比，不同点在于，设有多对(本例 中为2对)光电二极管PD和读出晶体管RD的串联电路，各读出晶体管的一端与浮动扩散 FD共通连接，2个读出晶体管RD分别由各控制信号READ1，READ2读取并控制。S卩，在2个 光电二极管PD及2个读出晶体管RD中共用构成输出电路的晶体管AMP、RST、HSAT、ADR。 还可以适用于光电二极管PD的感光度不同的情况。第2实施例的CMOS图像传感器的单位像素中，对2个光电二极管PD和2个读出 晶体管RD的追加电路元件数为1个晶体管HSAT，每个光电二极管的追加电路元件数只不过 是0.5个，追加电路元件数比第1实施例更少。第2实施例中的单位像素动作和第1实施例中的单位像素的动作基本一样，克服 暗流随机噪声和信号电荷处理量的折衷关系，在保持暗流的低噪声的状态下，可增大信号 电荷处理量。<第3实施例>图8是示出将本发明第3实施例的CMOS图像传感器中的单位像素取出来表示的 电路图。该单位像素与上述第2实施例的单位像素1 (m，η)相比，不同点在于，在晶体管RST、 HSAT的彼此连接节点(node)和规定电位节点(例如接地电位节点)之间连接有电容Cs。第3实施例的CMOS图像传感器的单位像素中，对2个光电二极管PD和2个读出 晶体管RD的追加电路元件数为1个晶体管HSAT和1个附加电容Cs。每一个光电二极管的 追加电路元件数只不过是1个。第3实施例中的单位像素动作和第2实施例中的单位像素的动作基本一样，克服 暗流随机噪声和信号电荷处理量的折衷关系，在保持暗流的低噪声的状态下，可增大信号 电荷处理量，并且，通过追加电容Cs扩大了动态范围。即，信号电荷量与浮动扩散FD的电 容实质上成比例，如果存在电容Cs，则在晶体管HSAT开启的情况下的浮动扩散FD的实质上 的电容为CFD+CHSAT+Cs，容易增加信号电荷处理量。另外，在各实施例中，在入射光量多的情况下，没有累积在光电二极管PD的信号 电荷通过读出晶体管RD的栅极下，溢出于浮动扩散FD，因此，晶体管HSAT的阈值电压最好 比读出晶体管RD的阈值电压低。这样，溢出于浮动扩散FD的信号电荷经由晶体管HSAT的 栅极下能够排出到漏极。另外，在各实施例中，晶体管HSAT的阈值电压优选为小于等于0V。这样，不用对晶
9体管HSAT的栅极施加高电压，就能够使其动作。另外，晶体管HSAT的栅电容CHSAT最好设定为比浮动扩散FD的电容CFD大。这 是因为，浮动扩散FD的电容在High-SAT模式开启时为CFD+CHSAT，在High-SAT模式关闭时 为CFD，所以，如果CHSAT比CFD小，则High-SAT模式下的浮动扩散FD的电容扩大效果变 小。在CHSAT = CFD的关系成立的情况下，使得浮动扩散FD的电容扩大效果成2倍，因此， 如果CHSAT > CFD的关系成立，则可以使浮动扩散FD的电容放大效果大于等于2倍。对于本领域技术人员来说很容易懂得本发明其他的优点和变更。因此，本发明更 广泛的内容并不限于说明书的具体细节和例示型实施例。相应地，在不脱离本发明范围和 宗旨的情况下做出的各种变更应该包含在所附权利要求及其等同内容之中。
权利要求
一种固体摄像装置，其特征在于，具备光电二极管，对入射光进行光电转换；第1晶体管，与上述光电二极管连接，从光电二极管读出信号电荷；浮动扩散，与上述第1晶体管连接，累积由第1晶体管读出的信号电荷；第2晶体管，与上述浮动扩散连接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及第3晶体管，与上述第2晶体管连接，将上述浮动扩散的电位进行复位。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于， 上述第2晶体管在由上述第1晶体管读出的信号电荷量大于等于上述浮动扩散的饱和 电平的情况下，基于控制信号被导通，由此，对上述浮动扩散附加电容，在小于饱和电平的 情况下，基于上述控制信号而不被导通。
3.—种固体摄像装置，其特征在于，具备 多个光电二极管，分别对入射光进行光电转换；多个第1晶体管，与上述多个光电二极管连接，从各自对应的光电二极管读出信号电荷；浮动扩散，与上述多个第1晶体管共同连接，累积由上述多个第1晶体管读出的信号电荷；第2晶体管，与上述浮动扩散连接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及 复位晶体管，与上述第2晶体管连接，将上述浮动扩散的电位进行复位。
4.如权利要求3所述的固体摄像装置，其特征在于，上述多个光电二极管具有第1光电二极管和第2光电二极管，并且，上述多个第1晶体 管具有对应于第1光电二极管和第2光电二极管的两个晶体管。
5.如权利要求4所述的固体摄像装置，其特征在于，上述第1光电二极管和第2光电二极管为感光度彼此不同的光电二极管。
6.如权利要求3所述的固体摄像装置，其特征在于，上述第2晶体管基于控制信号而被导通，由此对上述浮动扩散附加电容。
7.如权利要求1或3所述的固体摄像装置，其特征在于，上述第2晶体管对上述浮动扩散附加比上述浮动扩散的电容值大的电容。
8.如权利要求1或3所述的固体摄像装置，其特征在于，还包括 第4晶体管，与上述浮动扩散连接，放大浮动扩散的信号；以及 第5晶体管，与上述第4晶体管连接，基于地址信号被导通控制。
9.一种固体摄像装置，其特征在于，具备像素区，具有多个像素并且输出各像素信号，上述多个像素分别包含光电二极管，对 入射光进行光电转换；第1晶体管，与上述光电二极管连接，从光电二极管读出信号电荷； 浮动扩散，与上述第1晶体管连接，累积由第1晶体管读出的信号电荷；第2晶体管，与上述 浮动扩散连接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及第3晶体管，与上述第2晶体管连接，将 上述浮动扩散的电位进行复位，模数转换电路，将从上述像素区输出的像素信号转换为数字信号； 信号电平判断电路，接收由上述模数转换电路转换的数字信号，判断从上述像素区输 出的像素信号的电平；以及控制信号发生电路，接收上述信号电平判断电路的判断输出，并基于该判断输出，输出 对上述第2晶体管进行控制的控制信号。
10.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，上述第2晶体管在上述控制信号处于第1状态时导通，由此对上述浮动扩散附加电容， 在控制信号处于第2状态时不导通。
11.如权利要求1、3或9所述的固体摄像装置，其特征在于， 上述第2晶体管具有比上述第1晶体管的阈值电压低的阈值电压。
12.如权利要求1、3或9所述的固体摄像装置，其特征在于， 上述第2晶体管的阈值电压小于等于0V。
13.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于，上述第2晶体管在导通时，对上述浮动扩散附加比上述浮动扩散的电容值大的电容。
14.如权利要求9所述的固体摄像装置，其特征在于， 上述多个像素分别还包括第4晶体管，与上述浮动扩散连接，放大浮动扩散的信号；以及 第5晶体管，与上述第4晶体管连接，基于地址信号被导通控制。
全文摘要
本发明提供一种固体摄像装置，CMOS图象传感器包含多个单位像素，各单位像素具备光电二极管，对入射光进行光电转换并累积；读出晶体管，从光电二极管读出信号电荷；浮动扩散，暂时累积由读出晶体管读出的信号电荷；电容附加用晶体管，与上述浮动扩散连接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及复位晶体管，与电容增加用晶体管连接，将上述浮动扩散的电位进行复位。
文档编号H04N5/335GK101902585SQ20091025840
公开日2010年12月1日 申请日期2009年11月20日 优先权日2008年11月21日
发明者宇家真司, 田中长孝 申请人:株式会社东芝