带有微机电系统晶振时钟的数码相机的制作方法

文档序号:7726494阅读:318来源:国知局
专利名称:带有微机电系统晶振时钟的数码相机的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种家用数码相机领域,更具体的说,是涉及一种带有微机电系 统(MEMS)晶振时钟的数码相机。
背景技术
电子系统设计高度集成和小体积化趋势要求时钟产品向小体积,薄型化方向发 展,但在此过程中,传统石英或压电陶瓷材料的时钟产品受制于物理特性,其可靠性、精度 和高性能之间的平衡很难保持,传统材料的易碎性,在厚度小于0. 8mm时期抗冲击、震动能 力都大受影响,使得传统材料的薄型化产品面临着高成品及低良率的问题。现在数码相机 中普遍采用的就是无源型石英晶振。 MEMS叫做微机电系统,它主要包括微型机构、微型传感器、微型执行器和相应的处 理电路等几部分。MEMS是一种全新的必须同时考虑多种物理场混合作用的研发领域,相对 于传统的机械,它们的尺寸更小,最大的不超过一个厘米,甚至仅仅为几个微米,其厚度就 更加微小。采用以硅为主的材料,电气性能优良,硅材料的强度、硬度和杨氏模量与铁相当, 密度与铝类似,热传导接近钼和钨。采用与集成电路(IC)类似的生成技术,可大量利用IC 生产中的成熟技术、工艺,进行大批量、低成本生产,使性价比相对于传统"机械"制造技术 大幅度提高。MEMS时钟产品的出现打破了这一局限,现在市场上出现了小体积,功耗低,超 薄,低启动时间的具有可编程特性的振荡器产品。MEMS时钟产品能够取代传统谐振器、振荡 器和频率发生器。MEMS谐振器内建谐振器,无需外挂晶振,有助于减少体积和成本;振荡器 方面,利用硅的物理特性,其产品创新较石英有着更大的灵活性;在频率发生器领域,以往 模拟厂商的产品都以双芯片的方式实现(主芯片+参考时钟芯片)多种频率,全硅MEMS则 只需一颗芯片即可实现。

实用新型内容本实用新型的目的在于改进传统数码相机的晶振,提供一种使之精度更高,能耗 更低,抗冲击更强的带有微机电系统晶振时钟的数码相机。 本实用新型带有微机电系统晶振时钟的数码相机,通过下述技术方案予以实现, CCD图像传输芯片传递信号给数字信号处理芯片,其特征是,所述数字信号处理芯片分别设 置信号处理工作频率微机电系统晶振时钟和时钟频率微机电系统晶振时钟,所述CCD图像 传输芯片设置图像传输工作频率微机电系统晶振时钟。 现在的数码相机多采用石英晶振,石英振荡器需要花较长的启动时间,体积大,稳 定性也不够好。本实用新型为了更好地改进数码相机性能,将数码相机中的传统石英晶振 替换为MEMS晶振,使之精度更高,能耗更低,抗冲击更强。

图1是本实用新型结构框图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步描述。 如图1所示,CCD图像传输芯片传递信号给数字信号处理芯片,所述数字信号处理 芯片分别设置信号处理工作频率微机电系统晶振时钟和时钟频率微机电系统晶振时钟,所 述CCD图像传输芯片设置图像传输工作频率微机电系统晶振时钟。 上述微机电系统晶振时钟均以SiTime公司的全硅时钟产品为例,它可以提供 1. 8V-3V-3. 3V的宽泛输入电压,l腿z-200腿z的频率范围,可以满足现在数码相机的基本 需要。全硅MEMS时钟的稳定性高于石英产品10倍,精确度达到士25PPM(百万分之一 ), 全硅MEMS在解决EMI问题以及高温度范围上(-40°C ±125°C)都优于石英晶振。且MEMS 某些型号采取同石英晶振完全兼容的脚位,方便取代而无须重新设计。全硅MEMS的物理特 征决定其基本频率,其体积约为晶振的1/10,厚度仅为晶振的1/4,其防震能力达到50000G 更优于石英晶振20倍。
权利要求一种带有微机电系统晶振时钟的数码相机,CCD图像传输芯片传递信号给数字信号处理芯片,其特征是,所述数字信号处理芯片分别设置信号处理工作频率微机电系统晶振时钟和时钟频率微机电系统晶振时钟,所述CCD图像传输芯片设置图像传输工作频率微机电系统晶振时钟。
专利摘要本实用新型公开了一种带有微机电系统晶振时钟的数码相机。本实用新型带有微机电系统晶振时钟的数码相机,通过下述技术方案予以实现,CCD图像传输芯片传递信号给数字信号处理芯片,其特征是,所述数字信号处理芯片分别设置信号处理工作频率微机电系统晶振时钟和时钟频率微机电系统晶振时钟,所述CCD图像传输芯片设置图像传输工作频率微机电系统晶振时钟。本实用新型是一种精度更高,能耗更低,抗冲击更强的数码相机。
文档编号H04N5/225GK201467290SQ20092009802
公开日2010年5月12日 申请日期2009年7月28日 优先权日2009年7月28日
发明者曹再铉, 汤璐, 郑龙周 申请人:天津三星光电子有限公司
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