专利名称：双工器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种双工器，属于移动通信设备领域，尤其涉及一种同轴腔体双
工器。
背景技术：
随着移动通信系统的不断发展和日益完善，对移动通信设备的要求也越来越高。 众所周知，无论是基站(BS)还是移动台(MS)都由收发设备组成，如果给收信机和发信机各 配给一个天线，不但增加了成本、体积，而且天线在传递信号之间还会互相干扰，其性能尚 无法满足现代移动通信技术的要求。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种体积小、成本低、稳定性高的同轴腔体双工器 为实现上述目的，本实用新型是通过以下的技术方案来实现的 —种双工器，包括发射滤波器、接受滤波器和腔体，所述的发射滤波器和接收滤波
器相连，并一同封闭在腔体中，其特征在于所述的发射滤波器和接收滤波器连接有一个公
共天线端口。 上述的发射滤波器和接收滤波器内分别设置有多个谐振腔，谐振腔之间通过耦合 槽或耦合环连接，其内部设置有同轴型谐振器，同轴型谐振器的下端接地，其外部连接有端 口引出线，所述的端口引出线分别与发射滤波器和接收滤波器各自独立的发射端口和接收 端口连接。 上述的谐振腔的内外壁面及通孔内壁都涂敷有银层。 上述的腔体上设置有多个调谐螺钉，所述的调谐螺钉与谐振腔中的同轴型谐振器 相对应，形成LC谐振电路。 本实用新型的有益效果是本实用新型所述的同轴腔体双工器由于其谐振回路的 电磁场全部封闭在同轴腔内，几乎没有辐射损耗，而用空气为介质且内外表面镀银，其介质 损耗、欧姆损耗都很小，因此品质因数Q可以达到几千，本实用新型稳定性高、屏蔽性好、介 质和欧姆损耗，且具有体积小、小插损、大功率容量的特点。
图1为本实用新型一实施例的结构示意图； 图2为本实用新型所述的双工器的原理图。 图中主要附图标记含义为 0、腔体 1、发射滤波器 2、接收滤波器 3、天线端口 4、接收端口 5、发射端口 6、调谐螺钉
具体实施方式下面将结合附图，详细说明本实用新型的具体实施方式
图1为本实用新型一实施例的结构示意图；图2为本实用新型所述的双工器的原 理图。 双工器，包括发射滤波器1、接受滤波器2和腔体0，所述的发射滤波器1和接收滤 波器2相连，并一同封闭在腔体0中，且所述的发射滤波器1和接收滤波器2连接有一个公 共天线端口 3。 进一步，发射滤波器1和接收滤波器2内分别设置有多个谐振腔，谐振腔之间通过 耦合槽或耦合环连接，其内部设置有同轴型谐振器，同轴型谐振器的下端接地，其外部连接 有端口引出线，所述的端口引出线分别与发射滤波器和接收滤波器各自独立的发射端口 5 和接收端口 4连接。 而上述的谐振腔的内外壁面及通孔内壁都涂敷有银层，这些导电涂层构成信号 地。 上述腔体0上设置有多个调谐螺钉6，所述的调谐螺钉6与谐振腔中的同轴型谐振 器相对应，形成LC谐振电路。 本实用新型将发射滤波器1和接收滤波器2的各一个端口合成为公共的天线端口 3，调整调谐螺钉6与谐振腔中的同轴谐振器之间的距离，就可以将谐振腔中的谐振频率调 到工作频率。 本实施方式采用的是收发共用一个天线端口，使得双工器的体积减小、重量变轻， 同时还降低了成本，另外，本实用新型由于其谐振回路的电磁场全部封闭在同轴腔内，几乎 没有辐射损耗，另外用空气作为介质且内外表面镀银，其介质损耗、欧姆损耗都很小，因此 品质因数Q可以达到几千，并且稳定性高。 以上已以较佳实施例公开了本实用新型，然其并非用以限制本实用新型，凡采用 等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
权利要求一种双工器，包括发射滤波器(1)、接受滤波器(2)和腔体(0)，所述的发射滤波器(1)和接收滤波器(2)相连，并一同封闭在腔体(0)中，其特征在于所述的发射滤波器(1)和接收滤波器(2)连接有一个公共天线端口(3)。
2. 根据权利要求1所述的双工器，其特征在于所述的发射滤波器(1)和接收滤波器(2) 内分别设置有多个谐振腔，谐振腔之间通过耦合槽或耦合环连接，其内部设置有同轴型 谐振器，同轴型谐振器的下端接地，其外部连接有端口引出线，所述的端口引出线分别与发 射滤波器和接收滤波器各自独立的发射端口 (5)和接收端口 (4)连接。
3. 根据权利要求2所述的双工器，其特征在于所述的谐振腔的内外壁面及通孔内壁 都涂敷有银层。
4. 根据权利要求1所述的双工器，其特征在于所述的腔体(0)上设置有多个调谐螺钉(6)，所述的调谐螺钉(6)与谐振腔中的同轴型谐振器相对应，形成LC谐振电路。
专利摘要本实用新型公开了一种双工器，包括发射滤波器、接受滤波器和腔体，所述的发射滤波器和接收滤波器相连，并一同封闭在腔体中，其特征在于所述的发射滤波器和接收滤波器连接有一个公共天线端口。本实用新型所述的同轴腔体双工器由于其谐振回路的电磁场全部封闭在同轴腔内，几乎没有辐射损耗，而用空气为介质且内外表面镀银，其介质损耗、欧姆损耗都很小，因此品质因数Q可以达到几千，本实用新型稳定性高、屏蔽性好、介质和欧姆损耗，且具有体积小、小插损、大功率容量的特点。
文档编号H04B1/40GK201514993SQ20092023187
公开日2010年6月23日 申请日期2009年9月14日 优先权日2009年9月14日
发明者郭金林 申请人:昆山市双桥铜业有限公司镭赢科技研究所