专利名称：具有对电磁干扰的屏蔽的封装式声学换能器装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有对电磁干扰的屏蔽(shielding)的封装式声学换能器(packaged acoustic transducer)
背景技术：
包括声学换能器在内的小型声学装置在多种应用中得到采用，这些应用包括用于建筑物、桥梁、压力管道的气流检测器和结构缺陷检测器。在一些应用中声学换能器仅发送声学信号。在其他应用中声学换能器仅接收声学信号。在其他应用中声学换能器发送声学信号并接收声学信号。一般而言，声学换能器当在发送模式中工作时将接收到的电信号转换成声学信号，并且/或者当在接收模式中工作时将接收到的声学信号转换为电信号。特别地，在许多装置和应用中所发送和/或接收的声学信号是超声信号。声学换能器是利用各种不同技术制造的，包括压电超声换能器和微机电系统 (MEMS)换能器。过去，声学换能器是利用以下处理制造的在这些处理中，声学换能器元件被置于金属、陶瓷或塑料封装中并且盖子被接合到该封装。在一典型配置中，由声学换能器产生的电信号通过引线或导线从封装提供到设在外部电路板上的外部放大器，封装式声学换能器被附接或连接到该外部电路板。然而，存在对声学装置的改进封装的持续需求，以满足采用了这些声学装置的各种环境的具体要求。因此，需要一种具有如下封装的声学装置该封装可以为部署了封装式声学装置的各种环境提供有益特性。
发明内容
在一个示例性实施例中，一种装置包括具有穿过其的孔洞的导电引线框架，该导电引线框架包括多条引线，这多条引线包括被配置成与电气地相连的至少一条接地引线； 半导体管芯，该半导体管芯包括布置在导电引线框架中的孔洞之上的至少一个声学换能器，这至少一个声学换能器被配置成在声能和电信号之间进行转换；与引线框架整体相连的声学号角(acoustic horn)，该号角从引线框架延伸，并且包括与声学换能器相邻的喉部和在声学号角的与喉部相反一端上开口的嘴部；布置在声学号角的嘴部上的导电传声筛网；以及导电盖子，该导电盖子被配置成与壳体的基部一起限定了腔，其中声学换能器位于该腔内，并且导电盖子与接地引线直接相连。在另一示例性实施例中，一种装置包括壳体结构，该壳体结构具有与包括至少一条接地引线的多条导电引线形成整体的基部，该壳体结构包括延伸通过其第一侧的孔洞； 导电盖子，该导电盖子被配置成与壳体结构一起在其中限定了腔；以及布置在腔内并且布置在壳体结构中的孔洞之上的至少一个声学换能器，其中，导电盖子与接地引线直接相连。在另一示例性实施例中，一种装置包括壳体结构；盖子，该盖子被配置成与壳体结构一起在其中限定了腔；以及布置在腔内的至少一个声学换能器，其中，盖子屏蔽所述至少一个声学换能器，使其不暴露于源自装置外部的电子辐射的电磁干扰。
当与附图中的各图一起阅读时，从下面的详细描述能最好地理解这些示例性实施例。要强调的是，各种特征不一定是按比例绘制的。实际上，为了讨论的清楚，图中所示的尺寸可能被有意增大或减小。在任何适用和实用的情况下，相似的标号指代相似的要素。图1示出了包括一个声学装置的半导体管芯的一个实施例。图2示出了包括多个声学装置的半导体管芯的一个实施例。图3示出了包括多个声学装置的半导体管芯的另一实施例。图4示出了封装式声学装置的一个实施例顶部剖视图。图5示出了封装式声学装置的一个实施例的一部分的侧视图。图6A示出了封装式声学装置的另一实施例的侧面剖视图。图6B示出了图6A的封装式声学装置的第一侧视图。图6C示出了图6A-图6B的封装式声学装置的顶视图。图6D示出了图6A-图6C的封装式声学装置的第二侧视图。图7示出了封装式声学装置的一个实施例的立体图。图8A-图8F示出了制造封装式声学装置的一个实施例的过程的一个实施例中的各个阶段。
具体实施例方式在下面的详细描述中，为了说明和不予限制的目的，给出了公开具体细节的示例性实施例以提供对根据本发明教导的实施例的透彻理解。然而，得益于本公开的本领域技术人员将会清楚，根据本发明的教导的、偏离这里公开的具体细节的其他实施例仍在所附权利要求的范围内。此外，对公知的设备和方法的描述可被省略，以便不使得对示例性实施例的描述变得模糊。这样的方法和设备清楚地在本发明的教导的范围内。除非另外表明，否则当称第一装置与第二装置相连时，这包括可以采用一个或多个中间装置来将这两个装置彼此相连的情况。然而，当称第一装置与第二装置直接相连时， 这只包括在没有任何中间或干预装置的情况下将这两个装置彼此相连的情况。类似地，当称信号与装置耦合时，这包括可以采用一个或多个中间装置来将信号与装置相耦合的情况。然而，当称信号与装置直接耦合时，这只包括在没有任何中间或干预装置的情况下将信号与装置直接耦合的情况。这里使用的“大约”指的是在相差10%以内，并且“基本上”指的是至少75%。如这里所使用的，当称第一结构、材料或层覆盖第二结构、材料或层时，这包括第一结构、材料或层基本上或者完全包住或者围绕第二结构、材料或层的情况。发明人认识到，存在许多可能在不同应用中影响封装式声学装置的性能的因素。发明人已认识到其重要性的一个因素是封装的声学损失。Timothy LeClair等人的于 2009年11月17日提交的美国专利申请12/619，963公开了一种可以提供低声学损失的封装式声学装置。美国专利申请12/619，963通过引用结合于此，用于所有目的，就如同在这里完全记载一样。在一些应用中可能出现的另一因素是封装式声学换能器装置与该装置所连接的电气装置(例如放大器)之间的引线或导体的电信号损失，尤其是当声学换能器装置在接收模式中工作并且在将其接收到的信号发送给接收器放大器时这两者之间的引线或导体的电信号损失。Timothy LeClair等人的于2010年2月23日提交的美国专利申请 12/710，636公开了一种将电子装置(例如放大器)与声学换能器包括在同一封装中的封装式声学装置。美国专利申请12/710，636通过引用结合于此，用于所有目的，就如同在这里完全记载一样。发明人还认识到在一些应用中，封装式声学换能器可能被暴露于外部生成的电磁辐射，该电磁辐射可能干扰声学换能器的正常工作。这种电磁干扰(EMI)可能对封装式声学装置引起信号完整性问题。例如，考虑这样的系统第一封装式声学换能器装置以第一封装式声学换能器装置检测到的谐振频率发送声学信号，以测量或者控制系统的某种工作特性。特别地，在一些情形下，EMI可能扰乱一个或者这两个声学谐振器的谐振频率，从而使得第一(发送)声学谐振器以不同于第二(接收)声学谐振器的谐振频率工作，从而降低了整体性能。在认识到这些因素的情况下，发明人提供了一种声学换能器，在各个实施例中，该声学换能器可以在各种工作环境中并且尤其在存在EMI的情况下实现所希望的性能。 图1示出了包括声学装置110的半导体管芯100的一个实施例。半导体管芯还包括与声学装置110的第一电极相连的第一电极焊盘130以及与声学装置110的第二电极相连的第二电极焊盘135。在一个有益实施例中，声学装置110是具有膜片(diaphragm)或隔膜(membrane)结构的微机电系统(MEMS)声学换能器。过孔112设在声学装置110的膜片之下。仅仅为了说明的目的，在一个实施例中，半导体管芯100在每一侧上具有大约2mm 的尺寸，声学装置Iio的膜片具有540-743 μ m的直径，并且过孔112具有410-613 μ m的直径。在工作时，在一些实施例中，声学装置110可以作为发送声学换能器来工作，用于接收电信号并且从电信号产生要发送的相应声学信号或声波。在其他实施例中，声学装置 110可以作为接收声学换能器来工作，用于接收声学信号或声波并且从声学信号或声波产生要接收相应电信号。在其他实施例中，声学装置可以作为发送声学换能器和接收声学换能器这两者来工作。图2示出了包括多个声学装置210的半导体管芯200的一个实施例。半导体管芯还包括与声学装置210的第一电极相连的第一电极焊盘230以及与声学装置210的第二电极相连的第二电极焊盘235。在一个有益实施例中，声学装置210是各自具有膜片或隔膜结构的MEMS声学换能器。过孔212设在声学装置210的膜片之下。仅仅为了说明的目的，在一个实施例中，半导体管芯200在每一侧上具有大约2mm 的尺寸，声学装置210的膜片各自具有525-779 μ m的直径，并且过孔212具有395-649 μ m
的直径。图3示出了包括多个声学装置310的半导体管芯300的另一实施例。半导体管芯还包括与声学装置310的第一电极相连的第一电极焊盘330以及与声学装置310的第二电极相连的第二电极焊盘335。在一个有益实施例中，声学装置310是各自具有膜片或隔膜结构的MEMS声学换能器。过孔312设在声学装置310的膜片之下。
仅仅为了说明的目的，在一个实施例中，半导体管芯300在每一侧上具有大约2mm 的尺寸，声学装置310的膜片各自具有525-779 μ m的直径，并且过孔312具有395-649 μ m
的直径。图4示出了封装式声学装置400的一个实施例的顶部剖视图，图5示出了该实施例的一部分的侧视图。封装式声学装置400包括壳体410、整体与引线框架510相连的多条端子引线430以及具有一个或多个(例如三个)声学换能器的半导体管芯200。当然在其他实施例中可以采用其他半导体管芯而不是半导体管芯200，例如具有不同数目和/或配置的声学换能器的半导体管芯100或300。封装式声学装置400还包括基板420，基板420包括一个或多个用于与半导体管芯 200的(一个或多个)声学换能器一起工作的电子装置(例如放大器)。然而应当了解，在一些实施例中，基板和电子装置可从封装式声学装置中省略。因此，封装式声学装置400可被看作是代表一般的实施例，该实施例包括可能包括在或者可能不包括在其他实施例中的各种特征。引线框架510和端子引线430是由导电材料形成的，例如各种金属和金属合金，例如包括紫铜、镍、铝、黄铜、铜/锌合金等或者其组合。材料可被刻蚀以形成分离的导体和端子引线430以及其他特征，例如孔洞520和焊盘435。引线框架510还可被例如利用优化的镀覆材料(例如镍和/或金)进行镀覆以用于引线键合，从而允许金或铝引线键合附接。如图5所示，引线框架510包括位于引线框架510的中心区域并穿过引线框架510 的孔洞520。半导体管芯200布置在孔洞520之上，以便辅助声波或声学信号在半导体管芯 200的(一个或多个)声学换能器与封装式声学装置400的外部之间的传送。壳体410还包括基部415。壳体410的基部415具有与孔洞520对准的孔洞417。在一些实施例中，半导体管芯200例如通过诸如环氧树脂之类的粘合剂530安装在引线框架510上。在其他实施例中，特别是在孔洞417与孔洞520是相同大小或者几乎相同大小的情况下，半导体管芯200安装或者附接到壳体410的围绕孔洞417的部分。其他布置也是可能的。在一些实施例中，壳体410是由非导电材料形成的，例如各种塑料或聚合物，例如包括液晶聚合物(LCP)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚丙烯(PP)、聚酞酸酯(PPA)等。在一个优选实施例中，壳体410在引线框架510的与半导体管芯200相反一侧上包括声学号 角(图4和图5中并未使出)，用于在周围气氛与半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器之间耦合声波。基板420例如通过诸如环氧树脂之类的粘合剂540安装在壳体410的基部415上。 在所图示的实施例中，基板420是印刷电路板。优选地，基板420可以是陶瓷或者氧化铝陶瓷基板，其上例如通过厚膜印刷金属化工艺形成有导电焊盘和迹线。基板420上安装了放大器，该放大器可以是运算放大器。在所图示的实施例中，放大器包括具有有源元件的集成电路装置422以及一个或多个外部组件424(例如(一个或多个)电阻器、(一个或多个)电容器等等)，外部组件424用于设定放大器的至少一个工作参数(例如增益、带宽等等)并且/或者用于对提供给放大器的一个或多个供电电压进行滤波。在所图示的实施例中，集成电路装置422是具有与基板420上的金属迹线相连的引线的封装式半导体管芯。然而在其他实施例中，集成电路装置422可以包括未封装的半导体管芯。在一些实施例中，用于参数设定的(一个或多个)电阻器/(一个或多个)电容器可被并入在半导体管芯内。键合线440在操作上直接地和/或经由与引线框架510的焊盘435的中间连接将放大器与半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器电连接。此外，键合线440将基板 420的放大器与经由端子引线430提供的一个或多个供电电压(包括电气地)相连。这样的连接可以是经由一个或多个焊盘435进行的。同样，如上所述，应当认识到，一些实施例在封装式声学装置中不包括基板420或其相关电子器件。 如图5所示，封装式声学装置400还包括盖子或帽550。盖子550附接到组合后的引线框架510和壳体410。如图5所示，盖子550安置在引线框架510和壳体410之上， 并且与壳体410的基部415 —起限定了腔560。包括其(一个或多个)声学换能器的半导体管芯200和包括集成电路装置422的放大器(在包括这些组件的实施例中)都布置在腔560内。端子引线430从由引线框架510、盖子550和壳体410的基部415形成的箱体 (encasement)延伸，以实现外部电路与封装式声学装置400的放大器和/或(一个或多个) 声学换能器之间的电接触。在一个实施例中，盖子550例如通过压配以机械方式附接到壳体410的基部415。作为替代或者另外，盖子550可被利用例如环氧树脂粘合剂附接到壳体 410的基部415，从而创建气密密封的环境。当然，诸如焊接、箝位等其他附接手段也可被并入，而不脱离本发明的教导的范围。在一个有益实施例中，盖子550提供对半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器装置的屏蔽，使其不暴露于外部生成的可能干扰声学换能器的正常工作的电磁辐射， 即提供对电磁辐射干扰(EMI)的屏蔽。在一些实施例中，一条端子引线430是被配置成与封装式声学装置400的电气地相连的接地引线，并且盖子550由诸如金属之类的导电材料形成并例如通过图5所示的导电环氧树脂570与接地引线430直接相连。将盖子550与接地引线430相连的其他手段也是可能的，例如焊接。图6A示出了封装式声学装置600的另一实施例的侧面剖视图，其说明了声学换能器的EMI屏蔽。图6B示出了图6A的封装式声学装置的第一侧视图，图6C示出了图6A-6B 的封装式声学装置的顶视图，并且图6D示出了图6A-6C的封装式声学装置的第二侧视图。封装式声学装置600包括壳体610、多条端子引线630、具有一个或多个(例如三个)声学换能器的半导体管芯200以及导电盖子650。当然在其他实施例中可以采用具有不同数目和/或配置的声学换能器的其他半导体管芯(例如半导体管芯100或300)，而不是半导体管芯200。端子引线630和端子引线630所附接到的引线框架是由导电材料形成的，例如各种金属和金属合金，例如包括紫铜、镍、铝、黄铜、铜/锌合金等或者其组合。材料可被刻蚀以形成分离的导体和端子引线630以及其他特征，例如孔洞620。引线框架还可被例如利用优化的镀覆材料(例如镍和/或金)进行镀覆以用于引线键合，从而允许金或铝引线键合附接。如图6A所示，引线框架包括位于引线框架的中心区域并穿过引线框架的孔洞 620。半导体管芯200布置在孔洞620之上，以便辅助声波或声学信号在半导体管芯200的 (一个或多个)声学换能器与封装式声学装置600的外部之间的传送。
壳体610还包括基部，基部具有与引线框架中的孔洞620对准的孔洞617。在一些实施例中，半导体管芯200例如通过诸如环氧树脂之类的粘合剂安装在引线框架上。在其他实施例中，特别是在孔洞617与孔洞620是相同大小或者几乎相同大小的情况下，半导体管芯200安装或者附接到壳体610的围绕孔洞617的部分。其他布置也是可能的。在一些实施例中，壳体610是由非导电材料形成的，例如各种塑料或聚合物，例如包括液晶聚合物(LCP)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚丙烯(PP)、聚酞酸酯(PPA)等。如图6A所示，封装式声学装置600还包括盖子或帽650。盖子650附接到组合后的引线框架和壳体610。盖子650安置在壳体610之上，并且与壳体610 —起限定了腔，包括其(一个或多个)声学换能器的半导体管芯200布置在该腔中。端子引线630从由引线框架、盖子650和壳体610的组合形成的箱体延伸，以实现外部电路与封装式声学装置600 的(一个或多个)声学换能器之间的电接触。在装置600中，通过使各个突出构件690与图6D所示的盖子650中的特征692 (例如插槽或沟槽)相啮合，盖子650以机械方式附接到壳体610。当然，可以采用将盖子附接到壳体的其他手段，而不脱离本发明的教导的范围。在一个有益实施例中，盖子650提供对半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器装置的屏蔽，使其不暴露于外部生成的可能干扰声学换能器的正常工作的电磁辐射，即提供对电磁辐射干扰(EMI)的屏蔽。在一些实施例中，一条端子引线630是被配置成与封装式声学装置600的电气地相连的接地引线。盖子650由诸如金属之类的导电材料形成， 并且如图6所示，包括例如通过导电环氧树脂670与接地引线630直接相连的延伸部。将盖子650与接地引线630相连的其他手段也是可能的，例如焊接。在一个有益实施例中，壳体610包括设在引线框架的与半导体管芯200相反一侧上的声学号角611，用于在周围气氛与半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器之间耦合声波。一般而言，号角可用于放大声学信号，从而使得它们更响亮，这例如与在各种乐器和早期助听器中包括号角所表明的一样。号角还可用于操纵声学发射器的辐射式样 (pattern)(—般称为波束形成或者波束成形)，从而影响声学信号的分散。另外，号角可以提供阻抗匹配，使得声学换能器更加兼容传播声学信号的介质。在所述实施例中，声学号角611与壳体610是一个整体并且包括突出部，该突出部在与引线框架基本垂直的方向上沿着中心轴从壳体610的基部延伸。在一个代表性实施例中，包括声学号角611的壳体610是由传递模制(transfer mold)到引线框架的塑料形成的，如下面所讨论的。在一个实施例中，声学号角611具有张开的截面形状(例如双曲线的或者指数的)，以使得 声学号角611的内部尺寸从内孔或喉部612向张开的外孔或嘴部614向外延伸。例如，喉部612可以是直径约为2mm的圆形，同样，嘴部614可以是直径约为8mm的圆形。然而，声学号角611及相应的喉部612和嘴部614的大小和形状以及壳体610的基部和突出部的各自配置可以变化，从而为任何特定情形提供独特的益处或者满足各种实现方式的依应用而定的设计要求。例如，声学号角611的突出部的截面形状可以是基本为圆锥形、管状、举行或者梯形，而不脱离本发明的教导的范围。可以利用传递模制或者其他模塑技术按例如图6所示的形状来模塑声学号角 611，以支持不同的环境和工作条件。
装置600还包括覆盖声学号角611的嘴部614的保护性网筛或栏筛616。有益地， 筛网616可以包括用于在半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器之间与封装式声学装置600之间传送声学信号的孔洞图案。例如，筛网616的各个孔洞可以远小于引线框架中的孔洞620的大小。筛网616可以包括透声固体材料，以允许声学信号退出和/或进入孔洞620，但限制可能进入孔洞620的碎屑、杂质或者湿气。在一个实施例中，筛网616直接位于声学号角611的突出部的嘴部612中。可以在组装封装式声学装置600 (包括盖子 650的附接)之后应用筛网616。 在一些实施例中，筛网616为半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器提供 EMI屏蔽。特别地，筛网616可以包括导电材料，例如金属。在该情况下，在一些实施例中， 筛网616可以例如通过盖子650或者某种其他连接与装置600的接地引线630电连接。图7示出了封装式声学装置700的一个实施例的立体图。装置700包括壳体710、 筛网716、导电盖子750和导电引线730。导电引线730包括接地引线730，接地引线730与导电盖子750相连，从而为布置在由壳体710和导电盖子750限定的腔内的一个或多个声学换能器提供EMI屏蔽。在一些实施例中，筛网716也为这(一个或多个)声学换能器提供另外的EMI屏蔽。图8A-8F示出了制造封装式声学装置的一个实施例的过程的一个实施例中的各个阶段。图8A示出了引线框架510，引线框架510包括电引线430和设在其中心区域的孔洞520。如上面所讨论的，引线框架510可被例如利用优化的镀覆材料(例如镍和/或金) 进行镀覆以用于引线键合，从而允许金或铝引线键合附接。图8B示出了壳体410已被附接到引线框架510的下一中间产品。在一个示例性实施例中，在引线框架510上执行模塑操作。模塑操作包括将引线框架510放置于先前形成的传递模制模具中以限定壳体410的形状，例如包括基部415和声学号角611。聚合物(例如LCP、PBT、PP或者PPA)然后被进行传递模制，以例如包封引线框架510并且同时形成壳体410，例如包括在图8A-8F的视图中位于装置400底部的声学号角。聚合物在室温下通常是固体，并且在转移到模具中之前被熔化。声学号角的形状由机器加工的传递模制模具的形状来限定。冷却的(熔化之后)模具塑料将呈现传递模制模具内的号角形状。因此，壳体410 (例如包括塑料声学号角)在模塑操作期间被整体形成以围绕引线框架510。图8C示出了包括(一个或多个)声学换能器的半导体管芯200例如通过粘合剂的粘合安装在引线框架510的孔洞520之上的下一中间产品。图8D示出了包括放大器(例如运算放大器)的基板420例如通过粘合剂的粘合安装在壳体410的基部415上的下一中间产品。在如上所述的一些实施例中，基板420及其相关电路可被省略。 图8E示出了应用一条或多条键合线440以在半导体管芯200的放大器和/或(一个或多个)声学换能器和/或引线框架510的焊盘之间提供连接的下一中间产品。
图8F示出了盖子550已被应用到壳体410和引线框架510的下一中间产品。如上所述，盖子550与作为装置400的接地引线430的一条引线430直接相连(例如经由导电环氧树脂)，以提供对半导体管芯200的(一个或多个)声学换能器的EMI屏蔽。
虽然图8A-8F中为具体示出，但是在制造过程的某一步骤中，引线框架510和端子引线430与支撑用的引线框架结构断开连接。虽然这里公开了示例性实施例，但是本领域普通技术人员认识到，根据本 发明的教导的许多变体是可能的，它们在所附权利要求的范围内。因此，除了落在所附权利要求的范围内以外，不应对实施例施加其他限制。
权利要求
1.一种装置，包括导电引线框架，具有穿过其的孔洞，该导电引线框架包括多条引线，所述多条引线包括被配置成与电接地相连的至少一条接地引线；半导体管芯，该半导体管芯包括布置在所述导电引线框架中的孔洞之上的至少一个声学换能器，所述至少一个声学换能器被配置成在声能和电信号之间进行转换；与所述引线框架一体相连的声学号角，该号角从所述引线框架延伸，并且包括与所述声学换能器相邻的喉部和在所述声学号角的与所述喉部相反那端开口的嘴部； 布置在所述声学号角的嘴部上的导电传声筛网；以及导电盖子，该导电盖子被配置成与所述壳体的基部一起限定了腔，所述声学换能器位于该腔内，所述导电盖子与所述接地引线直接相连。
2.如权利要求1所述的装置，其中，所述半导体管芯包括与所述引线框架中的孔洞对准的过孔，所述声学换能器包括布置在所述半导体管芯中的过孔之上的膜片。
3.如权利要求1所述的装置，还包括连接在所述半导体管芯上的焊盘与所述引线框架的至少一条引线之间的至少一条键合线。
4.如权利要求1所述的装置，其中，所述声学换能器包括微机电系统(MEMS)换能器。
5.如权利要求1所述的装置，其中，所述腔是气密密封的。
6.如权利要求1所述的装置，其中，所述声学号角包括穿过所述引线框架的一部分而传递模制并且从所述引线框架向所述号角的嘴部延伸的塑料。
7.如权利要求1所述的装置，还包括安装在所述声学号角的基部上的基板；以及安装在所述基板上并且与所述声学换能器电连接的放大器。
8.如权利要求1所述的装置，其中，所述导电盖子与所述接地引线相连。
9.一种装置，包括壳体结构，该壳体结构具有与多条导电引线形成一体的基部，该壳体结构包括延伸通过其第一侧的孔洞，所述多条导电引线包括至少一条接地引线；导电盖子，该导电盖子被配置成与所述壳体结构一起在其中限定了腔；以及布置在所述腔内并且布置在所述壳体结构中的孔洞之上的至少一个声学换能器， 其中，所述导电盖子与所述接地弓I线直接相连。
10.如权利要求9所述的装置，还包括布置在所述腔内并且与所述声学换能器电连接的放大器。
11.如权利要求9所述的装置，其中，所述壳体结构包括声学号角，该声学号角在所述基部与所述导电引线相连的那端具有第一开口，该第一开口围绕所述壳体结构中的孔洞， 该声学号角在所述声学号角的与所述第一开口相反那端具有第二开口，其中所述第二开口的直径大于所述第一开口的直径。
12.如权利要求11所述的装置，还包括布置在所述声学号角上的导电传声筛网。
13.如权利要求9所述的装置，其中，所述声学装置包括布置在半导体基板中的过孔之上的膜片，所述过孔与所述壳体结构中的孔洞对准。
14.如权利要求13所述的装置，还包括连接在所述半导体管芯上的焊盘与所述引线框架的至少一条引线之间的至少一条键合线。
15.如权利要求9所述的装置，其中，所述声学换能器包括微机电系统(MEMS)换能器。
16.如权利要求9所述的装置，其中，所述腔是气密密封的。
17.一种装置，包括 壳体结构；盖子，该盖子被配置成与所述壳体结构一起在其中限定了腔；以及布置在所述腔内的至少一个声学换能器，其中，所述盖子屏蔽所述至少一个声学换能器，使其不暴露于源自所述装置外部的电磁辐射的电磁干扰。
18.如权利要求17所述的装置，其中，所述壳体结构包括与所述盖子相连的接地引线。
19.如权利要求17所述的装置，还包括声学号角，该声学号角在所述声学换能器与所述装置的外部之间传送声能；以及布置在所述声学换能器的嘴部上的导电传声筛网。
20.如权利要求17所述的装置，还包括布置在所述腔内并且与所述声学换能器电连接的放大器。
全文摘要
本申请涉及具有对电磁干扰的屏蔽的封装式声学换能器装置。一种装置包括壳体结构、被配置成与壳体结构一起在其中限定了腔的盖子、以及布置在腔内的至少一个声学换能器，其中，盖子屏蔽所述至少一个声学换能器，使其不暴露于源自装置外部的电磁辐射的电磁干扰。在一些实施例中，壳体结构包括一些导电引线，这些导电引线包括接地引线，盖子直接连接到接地引线。
文档编号H04R23/00GK102223593SQ201110102930
公开日2011年10月19日 申请日期2011年4月19日 优先权日2010年4月19日
发明者史蒂文·马丁, 蒂莫西·勒克莱尔 申请人:安华高科技无线Ip(新加坡)私人有限公司