专利名称：发声装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电声领域，具体涉及一种发声装置。
背景技术：
现有技术中发声装直包括振动系统，磁路系统，以及收各固定振动系统和磁路系统的壳体。振动系统包括振膜和结合于振膜下侧的音圈，振膜通常包括位于中心的球顶部和位于边缘的折环部，折环部的边缘设有用于与壳体固定结合的结合部。·[0003]传统结构的发声装置，振膜工作过程中容易与壳体碰撞产生杂音，影响产品的声学性能。因此，有必要对这种传统结构的振膜进行改进，以提高其声学性能。
实用新型内容为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种发声装置，可以避免振膜与壳体发生碰撞，提高产品的声学性能。为了实现上述目的，本实用新型提供一种发声装置，包括振动系统，磁路系统，以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的壳体；所述振动系统包括振膜和结合于所述振膜下侧的音圈；所述振膜包括位于中间的球顶部，位于边缘的折环部，以及位于所述折环部边缘的结合部，所述结合部与所述壳体结合，其中，所述壳体上侧面设有与所述振膜结合的结合面，所述结合面靠近折环部的角部设有去料形成的避让部，所述避让部为倒斜角的结构。此外，优选的方案是，所述壳体为矩形，所述壳体长轴内侧边缘上设有加强筋。此外，优选的方案是，所述加强筋与所述结合面形成台阶状结构。采用上述技术方案后，与传统结构相比，本实用新型在壳体与振膜结合的结合面的角部设置倒斜角结构的避让部的结构，可以防止振膜向下振动时与壳体发生碰撞而产生杂音，提高了产品的声学性能。
通过
以下结合附图对本实施例进行描述，本实用新型的上述特征和技术优点将会变得更加清楚和容易理解。图I是本实用新型发声装置的立体分解图。图2是本实用新型发声装置的剖视图。图3是图2所示A部分的放大结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细的描述。如图I至图3所示，发声装置包括振动系统，磁路系统，以及收容固定振动系统和磁路系统的壳体I。如图3所不振动系统包括振膜21和结合于振膜21下侧的音圈22,为了提升振膜21的高频特性，在振膜21的上侧设置刚性的球顶部；磁路系统包括依次结合的华司31、磁铁32和下导磁板33。振膜包括位于中心的球顶部，位于边缘的折环部211，以及位于折环部211边缘的结合部212，结合部212结合于壳体I的上侧的结合面上。壳体I上位于结合面角部且靠近折环部211的一侧设有去料形成的避让部11，避让部11为倒斜角的结构。这种在壳体I与振膜21结合的结合面的角部设置倒斜角结构的避让部11的设计，可以防止振膜21向下振动时与壳体21发生碰撞而产生杂音，提高了产品的声学性能。此外，本实施例壳体I为矩形结构，在矩形壳体I两长轴的内侧边缘上设有加料形成的加强筋12，加强筋12位于结合面的下侧，与结合面形成台阶状结构。设置加强筋12可以提闻壳体I的强度，提闻广品的稳定性。在本实用新型的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进和变形，而这些改进和变形，都落在本实用新型的保护范围内，本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本实用新型的目的，本实用新型的保护范围由权利要求及其等同物限定。
权利要求1.一种发声装置，包括振动系统，磁路系统，以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的壳体；所述振动系统包括振膜和结合于所述振膜下侧的音圈；所述振膜包括位于中间的球顶部，位于边缘的折环部，以及位于所述折环部边缘的结合部，所述结合部与所述壳体结合，其特征在于，所述壳体上侧面设有与所述振膜结合的结合面，所述结合面靠近折环部的角部设有去料形成的避让部，所述避让部为倒斜角的结构。
2.根据权利要求I所述的发声装置，其特征在于，所述壳体为矩形，所述壳体长轴内侧边缘上设有加强筋。
3.根据权利要求2所述的发声装置，其特征在于，所述加强筋与所述结合面形成台阶状结构。
专利摘要本实用新型公开了一种发声装置，包括振动系统，磁路系统，以及收容固定所述振动系统和所述磁路系统的壳体；所述振动系统包括振膜和结合于所述振膜下侧的音圈；所述振膜包括位于中间的球顶部，位于边缘的折环部，以及位于所述折环部边缘的结合部，所述结合部与所述壳体结合，其中，所述壳体上侧面设有与所述振膜结合的结合面，所述结合面靠近折环部的角部设有去料形成的避让部，所述避让部为倒斜角的结构。这种结构可以防止振膜向下振动时与壳体发生碰撞而产生杂音，提高了产品的声学性能。
文档编号H04R7/16GK202799102SQ201220424229
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月25日 优先权日2012年8月25日
发明者张志兵, 王建建, 范双双, 许超, 陈钢 申请人:歌尔声学股份有限公司