一种可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构的制作方法

技术特征：

1.一种可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构，包括高阻P型衬底和在高阻P型衬底正面形成的像元控制栅和光敏区电荷转移控制栅，像元控制栅加电压时在栅下形成耗尽区，其特征是，在高阻P型衬底中设置一P型埋层；在光敏区电荷转移控制栅下设置N+注入区。

2.根据权利要求1所述的可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构，其特征是，所述P型埋层为透明层。

3.根据权利要求1或2所述的可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构，其特征是，当将像元控制栅电压降低到12V以下，将光敏区电荷转移控制栅加压到25V以上时，耗尽区扩大，朝像元中心和像元下方的入射窗口扩展，受P型埋层的阻拦，耗尽区不断向中心区域挤压，阻断光生电荷向像元下耗尽区的移动，实现快门关闭功能。

4.根据权利要求1或2所述的可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构，其特征是，当像元控制栅电压在15V～20V，光敏区电荷转移控制栅电压为2V～4V时， P型埋层不阻挡光子从P型衬底背面入射。