具有双后声腔的耳机的制作方法

本实用新型涉及耳机技术领域，更为具体地，涉及一种具有双后声腔的耳机。

背景技术：

目前耳机常用于MP3随身听、行动电话、个人数字助理(PDA)或笔记型电脑等等，以作为个人独立聆听之用，使得耳机已成为时下电子产品不可缺少的重要配件之一。随着人们对音质要求的不断提高，耳机的音质效果越来越被人重视。现有技术中的耳机一般只是在壳体内安装一个喇叭，不能兼顾高低频的频宽及音质。

针对上述问题，市面上出现了包括高频喇叭和低频喇叭的双喇叭耳机，由于双喇叭耳机能同时产生高频音效以及低频音效，从而备受使用者喜爱。但现有的双喇叭耳机无法独立的调节后声腔的高频音效和低频音效。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种具有双后声腔的耳机，以解决现有的双喇叭耳机无法独立调节后声腔的高频音效和低频音效的问题。

本实用新型提供的具有双后声腔的耳机，包括：外壳、后盖、低频发声单元和直径大于低频发声单元的高频发声单元，外壳与后盖相扣合形成具有出声口的腔体，低频发声单元与高频发声单元安装在腔体内，高频发声单元与低频发声单元相结合，且低频发声单元的边缘与外壳的内壁固定连接，高频发声单元与低频发声单元共同将腔体分隔成前声腔和后声腔，在低频发声单元与后盖之间连接有中空的后声腔分隔柱体，后声腔分隔柱体、后盖与低频发声单元围成的空间为第一后声子腔，在后声腔内除第一后声子腔之外的空间为第二后声子腔。

另外，优选的结构是，在外壳的内壁上设置有第一限位台阶，低频发声单元的边缘与第一限位台阶相卡合；以及，在外壳的内壁上连接有外形与高频发声单元相适配的固定板，高频发声单元的边缘与固定板固定连接。

此外，优选的结构是，低频发声单元包括低频磁路系统，低频磁路系统包括第一导磁轭、位于第一导磁轭边缘位置的第一磁铁和固定连接于第一磁铁远离第一导磁轭一侧的第一华司；其中，在第一导磁轭的水平固定部面向后盖的一侧固定连接有第一线路板；第一磁铁固定连接在第一导磁轭的水平固定部的另一侧；第一华司的边缘与第一限位台阶相卡合。

再者，优选的结构是，在第一线路板上设置有第一焊盘，在外壳上对应于第二后声子腔的位置开设有进线孔。

另外，优选的结构是，低频发声单元还包括低频振动系统，低频振动系统包括第一振膜和第一音圈，所述第一振膜固定连接在第一华司与第一导磁轭的纵向固定部之间，第一音圈固定连接在第一振膜面向水平固定部的一侧。

此外，优选的结构是，高频发声单元包括高频磁路系统，高频磁路系统包括第二导磁轭、固定连接在第二导磁轭中心位置一侧的第二磁铁和固定连接在第二磁铁远离第二导磁轭一侧的第二华司，在第二导磁轭中心位置的另一侧固定连接有第二线路板，在第二线路板上设置有第二焊盘。

另外，优选的结构是，高频发声单元还包括高频振动系统，高频振动系统包括第二振膜和固定于第二振膜一侧的第二音圈；其中，第二振膜的边缘与第二导磁轭固定连接，第二音圈位于第二导磁轭与第二磁铁之间的磁间隙内。

此外，优选的结构是，在后盖上对应于第一后声子腔和第二后声子腔的位置分别开设有至少一个泄声孔。

再者，优选的结构是，在出声口上设置有入耳胶套。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于，将后声腔分隔成两个独立的第一后声子腔和第二后声子腔，第一后声子腔和第二后声子腔均可以独立的调整自身的泄声孔，从而独立的调节第一后声子腔的高频音质和第二后声子腔的低频音质，而互不影响。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1为根据本实用新型实施例的具有双后声腔的耳机的立体结构剖视图；

图2为图1的主视图。

其中的附图标记包括：外壳1、第一限位台阶11、固定板12、进线孔13、后盖2、泄声孔21、低频发声单元3、第一导磁轭31、第一磁铁32、第一华司33、第一振膜34、第一音圈35、第一线路板36、第一焊盘37、高频发声单元4、第二导磁轭41、第二磁铁42、第二华司43、第二振膜44、第二音圈45、第二线路板46、第二焊盘47、出声口5、后声腔6、第一后声子腔61、第二后声子腔62、前声腔7、后声腔分隔柱体8、入耳胶套9。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

在下面的描述中，出于说明的目的，为了提供对一个或多个实施例的全面理解，阐述了许多具体细节。然而，很明显，也可以在没有这些具体细节的情况下实现这些实施例。在其它例子中，为了便于描述一个或多个实施例，公知的结构和设备以方框图的形式示出。

图1和图2分别示出了根据本实用新型实施例的具有双后声腔的耳机的立体剖视结构和平面剖视结构。

如图1和图2共同所示，本实用新型实施例提供的具有双后声腔的耳机，包括：外壳1、后盖2、低频发声单元3和高频发声单元4；后盖2盖合外壳1的一个端部上，与外壳1围成腔体，外壳1的另一端部为出声口5，在出声口5上套设有入耳胶套9，出声口5为耳机的主声音输出通道；低频发声单元3与高频发声单元4分别安装在腔体内，且低频发声单元3的直径大于高频发声单元4的直径，低频发声单元3与高频发声单元4在腔体内沿着外壳1的直径方向镜像结合，从而使低频发声单元3与高频发声单元4共同将腔体分隔后声腔6和前声腔7，在图1和图2中，具有出声口5的是前声腔7。

本实用新型中的外壳1对应于后声腔6的部分可以为圆柱体、正方体或长方体，低频发声单元3的形状与外壳1相适配，在图1中外壳1示出的是圆柱体，低频发声单元3为圆环形。

在后声腔6内设置有一个中空的后声腔分隔柱体8，后声腔分隔柱体8的一端与后盖2固定连接，另一端与低频发声单元3固定连接，在后声腔6内，后声腔分隔柱体8与低频发声单元3、后盖2围成的空间为第一后声子腔61，在后声腔6内除第一后声子腔61的空间为第二后声子腔62，第一后声子腔61与第二后声子腔62为相互独立的声腔，且第二后声子腔62位于第一后声子腔61的外侧。在后盖2上对应于第一后声子腔61与第二后声子腔62的位置分别开设有至少一个泄声孔21，通过调节泄声孔21的大小和数量来调节第一后声子腔61与第二后声子腔62的音质。由于第一后声子腔61与第二后声子腔62为独立的声腔，因此，在调节第一后声子腔61与第二后声子腔62的音质时互不影响。

本实用新型通过在后声腔6设置的中空的后声腔分隔柱体8将后声腔6分隔成独立的第一后声子腔61与第二后声子腔62，第一后声子腔61与第二后声子腔62可以各自独立的调节自身的泄声孔21，实现第一后声子腔61与第二后声子腔62音质的独立调节。后声腔分隔柱体8可以为圆柱体或棱柱体，根据耳机的实际情况而定。

在本实用新型的一个优选实施方式中，后声腔分隔柱体8与后盖2为一体成型结构。

在外壳1的内壁上设置有第一限位台阶11，低频发声单元3的边缘与第一限位台阶11相卡合，从而可以得出，低频发声单元3沿振动方向的一端与第一限位台阶11固定，低频发声单元3沿振动方向的另一端与后声腔分隔柱体8固定，能够保持低频发声单元3在振动过程中的稳定性。

在外壳1的内壁上对应于高频发声单元4的位置还设置有固定板12，固定板12的外形与高频发声单元4的外形相适配，具体为圆环形，高频发声单元4的边缘固定在固定板12内圆的边缘，固定板12外圆的边缘与外壳1的内壁固定连接，在固定板12上开设有泄声孔21。

在本实用新型的另一个优选实施方式中，固定板12与外壳1为一体成型结构。

由于低频发声单元3为圆环形，高频发声单元4安装在低频发声单元3中间的圆孔上，因此，第一后声子腔61相当于高频发声单元4的后声腔，侧重于高频音质的调节；第二后声子腔62相当于低频发声单元3的后声腔，侧重于低频音质的调节。

本实用新型中的低频发声单元3，包括低频磁路系统和低频振动系统，其中的低频磁路系统包括：第一导磁轭31、位于第一导磁轭31边缘位置的第一磁铁32和固定连接于第一磁铁32远离第一导磁轭31一侧的第一华司33；其中，第一导磁轭31包括水平固定部(图未示出)和纵向固定部(图未示出)，前声腔分隔柱体9与第一导磁轭31的纵向固定部固定连接；在水平固定部面向后盖2的一侧设置有第一线路板36，后声腔分隔柱体8支撑在第一线路板36上，且在第一线路板36上设置有第一焊盘37，在外壳1上对应于第二后声子腔62的位置开设有进线孔13，从进线孔13将导线引至第一线路板36上；在水平固定部面向后盖2的另一侧的边缘与第一磁铁32的一侧固定连接，第一磁铁32的另一侧与第一华司33的一侧固定连接，第一华司33的另一侧与第一限位台阶11相卡合。

需要说明的是，第一磁铁32与第一华司33分别为圆环形，结合后的第一磁铁32和第一华司33与第一导磁轭31的纵向固定部形成低频磁路系统的磁间隙。

低频振动系统包括第一振膜34、固定在第一振膜34一侧的第一音圈35，其中，第一振膜34为圆环形结构，且第一振膜34的内圆边缘与第一导磁轭31的纵向固定部固定连接，第一振膜34的外圆边缘与第一华司33固定连接，而第一音圈35固定连接在第一振膜34面向第一导磁轭31的水平固定部的一侧，即第一音圈35处于低频磁路系统的磁间隙内，第一音圈35随着第一振膜34的振动在磁间隙内切割磁感线。

本实用新型中的高频发声单元4包括高频磁路系统和高频振动系统，其中的高频磁路系统包括：第二导磁轭41、固定连接在第二导磁轭41中心位置一侧的第二磁铁42和固定连接在第二磁铁42远离第二导磁轭41一侧的第二华司43，第二磁铁42和第二华司43收容在第二导磁轭41内，第二导磁轭41的边缘与固定板12固定连接，在第二导磁轭41中心位置的另一侧固定连接有第二线路板46，在第二线路板46上设置有第二焊盘47，第二导磁轭41与结合后的第二磁铁42和第二华司43之间形成高频磁路系统的磁间隙。

高频振动系统包括第二振膜44、固定在第二振膜44一侧的第二音圈45和位于第二振膜44中心位置的补强部；其中，第二振膜44包括固定部(位于第二振膜44的最外围)、与固定部一体设置的凹/凸结构的折环部以及设置在折环部内部的平面部(位于第二振膜44的最内部)，补强部设置在第二振膜44的平面部，主要用于调节低频发声单元3的声学性能，为降低振动系统的总体质量，通常在第二振膜44的平面部对应补强部的位置设置去料，补强部则覆盖在该取料位置；第二振膜44的固定部与第二导磁轭41固定连接；第二音圈45结合在第二振膜44面向第二磁铁42的一侧，且第二音圈45位于高频磁路系统的磁间隙内，第二音圈45随着第二振膜44的振动在磁间隙内切割磁感线。

在本实用新型的一个具体实施方式中，可以在第二导磁轭41的中心位置、第二磁铁42和第二华司43上分别开设有通孔，从而使高频发声单元4与第一后声子腔61连通，开设的通孔充当泄声孔。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。