各种实施方式总体上涉及微机电式麦克风。
背景技术：
微机电式麦克风在现代通信中已经变得非常重要。在微机电式麦克风的制造中，一个重大的挑战是要制造出具有明确定义形状的组件，并且该组件以明确定义的方式相对于彼此地进行布置。这种情况下的本质上的问题是机械应力或热应力，麦克风组件经受该机械应力或热应力并且该机械应力或热应力可能导致这些组件的变形，这又使得难以进行微机电式麦克风组件的明确定义的相对定位。
这样的应力可能具有固有原因，并且可能是由于制造过程中的热负荷以及机械负荷而导致。备选地或附加地，这样的应力可以仅通过不同组件的耦合而产生，例如通过多个具有相互不同的热膨胀系数的组件的耦合而产生。
技术实现要素：
为了生产具有可再现特性的微机电式麦克风，因此有必要补偿其组件所经受的机械应力。
根据各种实例，提供了一种微机电麦克风，其可以包括：参考电极，布置在所述参考电极的第一侧并且能够通过待检测的声音移动的第一膜，以及布置在与参考电极的第一侧相对的所述参考电极的第二侧上并且能够通过待检测的声音移动的第二膜。第一膜和第二膜中的一个的、通过声音相对于参考电极移动的区域，不取决于其相对于参考电极的位置而可以包括平坦部分以及邻近该平坦部分并且在膜的与第一膜和第二膜中另一个的重叠区域中布置的波纹部分。
根据各种实例，提供了一种制造微机电麦克风的方法。该方法可以包括制造第一膜，将参考电极制造到所述第一膜上，以及将第二膜制造到所述参考电极上，其中制造所述第一膜或/和所述第二膜包括：制造所述第一膜或/和所述第二膜的阴模，其中，所述阴模包括第一部分和第二部分，所述第一部分与第一膜或/和第二膜的能够通过声音移动的区域中的平坦部分互补，所述第二部分与第一膜或/和第二膜的能够通过声音移动的区域中的波纹部分互补，将膜材料沉积到所述阴模，并且从而形成第一膜或第二膜，以及移除所述阴模，从而暴露所述第一膜或所述第二膜。
附图说明
在下文通过参照附图更加详细地阐释不同的实例。在此：
图1a和图1b是示例性的微机电式麦克风的示意性横截面图，
图1c是用于操作微机电式麦克风的示例性的方法的流程图，
图2至图9是示例性的微机电式麦克风的示意性横截面图，
图10至图20是用于制造根据图8的微机电式麦克风的膜的方法，
图21至图40是用于制造根据图9的微机电式麦克风的膜的方法，
图41是用于制造微机电式麦克风的示例性的方法的流程图，以及
图42是用于制造微机电式麦克风的膜的示例性的方法的流程图。
具体实施方式
术语“示例性的”在这里被用于表示“作为实例、作为例子或用于说明”。每个在这里被说明为“示例性的”的实施方式或者构造方案不一定被解释为相对于其它实施方式或者构造方案是优选的或有利的。
本申请中的“平坦的”表示构件够构件部分的几何形状，其在第一方向和与第一方向正交的第二方向上具有比在与第一方向和第二方向正交的第三方向(厚度方向)上显著更大的延伸。
在附图中，相同的附图标记在不同的视图中指代相同的部分。附图主要用于说明本公开的原理，并且因此并不一定按比例。
在图1a中示出了示例性的微机电麦克风100，其可以包括参考电极102，布置在所述参考电极102的第一侧并且能够通过待检测的声音移动的第一膜104，以及布置在与参考电极102的第一侧相对的所述参考电极的第二侧上并且能够通过待检测的声音移动的第二膜106。
第一膜104的能够相对于参考电极102移动的区域103，不取决于其相对于参考电极102的位置可以具有平坦部分108和邻近平坦部分108的并且布置在第一膜104与第二膜106的重叠区域中波纹(例如棱纹状的)部分110。同样的，第二膜106的能够相对于参考电极102移动的区域105，不取决于其相对于参考电极102的位置也可以具有平坦部分112和邻近平坦部分112并且布置在第二膜106与第一膜104的重叠区域中的波纹(例如棱纹状的)部分112。这尤其意味着第一膜104和第二膜106在它们没有被偏转的相应的中性位置能够具有平坦部分108和112以及波纹部分110和114。第一膜和第二膜104，106的，能够通过声音相对于参考电极102移动的区域103，105可以是不与另一个组件永久物理接触的区域。
第一膜104和第二膜106可以例如通过相应的支撑元件107a-c的中间轴承而在相应的边缘区域104r或106r中被固定在保持件116处。第一膜104和第二膜106的能够通过声音移动的区域103，105可以尤其是第一膜104和第二膜106的不同于相应的边缘区域104r，106r的区域。
保持件116可以由例如半导体材料，例如晶体硅制成。支撑元件107a-c可以由电绝缘材料形成，例如siox或/和sixny。如图1a所示，保持件116和支撑元件107a-c可以分别具有环段或环形形状。
第一膜104，第二膜106和参考电极102可以具有小于1mm的直径，可选地小于750μm，进一步可选地小于500μm。
第一膜104，第二膜106和参考电极102可以至少部分或者甚至完全由导电材料制成，例如由多晶半导体材料，例如硅或者金属制成。
导电材料可以是具有大于10s/m，例如大于102s/m或大于104s/m或甚至大于106s/m的电导率的材料。电绝缘材料可以是具有小于10-2s/m的电导率的材料，小于10-5s/m或甚至小于10-7s/m。
例如当通过声音引起的参考电极102和第一膜104之间的第一电容的变化表示的第一电信号或/和例如当通过声音引起的参考电极102和第二膜106之间的第二电容的变化表示的第二电信号由控制单元c测定或读取时，麦克风100例如可以由控制单元c电容地读取。为了这个目的，例如能够由控制单元c将参考电压施加到参考电极102和相应的不同于参考电压的工作电压施加到第一膜和第二膜104，106和由第一电容和第二电容的变化所决定的电流可以由控制单元流c测量并且由此可以确定声压。第一或/和第二电容的变化是由第一膜或第二膜104，106相对于参考电极102的移动决定的。
第一膜和第二膜104和106可以可选地在它们相对于参考电极102的位置相互电绝缘。该配置提供这样的可能性，即将彼此不同的电工作电压施加到膜104，106上以及读取第一膜104和参考电极102的之间的第一电容的变化表征的第一电信号，其与第二膜106和参考电极102之间的第二电容的变化表征的第二电信号不同。在该配置中，施加到参考电极102的参考电压表示用于两个膜104，106的共用参考电压。参考电极102在此可以完全由导电材料形成。在示例性实例中，将被施加到膜104，106的工作电压可以具有与参考电压相同的大小，但符号相反。由此第一和第二电信号可以彼此组合，例如彼此相减或相加，以例如减少或消除共同的噪声贡献。这样，可以实现差分测量方案，由此能够精确测量诸如声压之类的待检测声音的属性。
在这种结构中，麦克风100的灵敏度可以通过寄生电容影响，该寄生电容例如能够通过将膜104，106的不能相对于参考电极移动的一部分引起，大约是第一膜和第二膜104，106的边缘部分104r，106r。第一膜和第二膜104，106的这一部分不提供任何有效信号输入，因为它们不能相对于参考电极102移动，但当第一膜和第二膜104，106完全的导电材料的形成，并且相应的边缘区域104r，106r因此也定义电容器，它们提供了对总电容的贡献。
为了减小由第一膜或/和第二膜104，106的这些部分决定的寄生电容，如图1a所示，第一膜104可以具有至少部分，可选地完全包含在其能够通过声音移动的区域103的动态部分104a，其与第一膜104的剩余区域104b通过绝缘部分111a或/和111b电绝缘。可替换地或附加地，第二膜106可以具有至少部分，可选地完全包含在其能够通过声音移动的区域105的动态部分106a，其与第二膜106的剩余区域106b通过绝缘部分113a或/和113b电绝缘。
如图1a所示，第一膜104的剩余区域104b可以具有作为与保持件116连接的固定部分的上文所述的边缘部分104r。可选地或另外地，如图1a所示，第二膜106的剩余区域106b可以具有作为与保持件116连接的固定部分的上文所述的边缘部分106r。
如图1a所示，第一膜104的绝缘部分111a可以至少部分地，可选地完全地布置在第一膜104的波纹部分110的背向第一膜104的固定部分104r的一侧上，可替换地或附加地，同样如图1a所示，第一膜104的绝缘部分111b可以提供在第一膜104的波纹部分110的朝向第一膜104的固定部分104r的一侧上。绝缘部分111a或/和111b可以被构造为环形的，使得第一膜104的动态部分104a在第一膜104的平面内被第一膜104的剩余部分104b完全包围。
如同样在图1a中可见的，第二膜106的绝缘部分113a可以至少部分地，可选地完全布置在第二膜106的波纹部分114的背向第二膜106的固定部分106r的一侧上。可替换地或附加地，同样如图1a所示，第二膜106的绝缘部分113b可以设置在第二膜106的波纹部分114的朝向固定部分106r的一侧上。绝缘部分113a或/和113b可以是环形的，从而第二膜106的动态部分106a在第二膜106的平面内被第二膜106的剩余部分106b完全包围。
通过将绝缘部分111a，113b提供在第一膜104的波纹部分110和第二膜106的波纹部分114的背向固定部分104r，106r的一侧上上，能够通过相应的波纹部分110，114减小第一膜104和第二膜106之间的电场的影响，例如在从能够通过声音移动的区域103，105的动态部分104a，106a仅读取电信号，以用于声音检测的情况下。
通过将绝缘部分111a，113b提供在第一膜104的波纹部分110和第二膜106的波纹部分114的朝向固定部分104r，106r一侧上，能够通过波纹部分110，114减小或防止由在绝缘部分113a，113b中的机械压力所导致的在第一膜104和第二膜106的动态部分104a，106a上的机械负载，由此又能够用于通过该第一膜和第二膜104，106之间的定义的电场。
绝缘部分111a，111b，113a，113b可以由电绝缘材料形成，例如，诸如siox的氧化物或诸如sixny的氮化物。
与在图1a中示出的麦克风100相对的，图1b示出麦克风100’。在图中1b麦克风100’与麦克风100的不同之处在于，第一膜和第二膜104’，106’彼此电连接，可选地在其相对于参考电极102’的任何位置中。此外，参考电极102’包括具有导电的第一参考电极层102a’和导电的第二参考电极层102b’的层结构，第一参考电极层102a’指向第一膜104’而第二参考电极层102b’指向第二膜106’。第一参考电极层102a’和第二参考电极层102b’通过电绝缘的第三参考电极层102c’彼此分开。第一参考电极层102a’和第二参考电极层102b’可以由诸如硅的金属或多晶半导体材料形成。第三参考电极层102c’可以由例如诸如siox的氧化物或诸如sixny的氮化物形成。
在图1b所示麦克风100’的情况中，能够从控制单元c’向第一膜和第二膜104’和106’施加统一的工作电压，而被施加到参考电极102’和施加到第一和第二参考电极层102a’，102b”的参考电压可以彼此不同，例如具有关于工作电压的相同量，但是相反符号的参考电压。因此，在图1b中示出的麦克风100’中也可以测定两个不同的电信号，这些信号可以分别通过相加和相减来组合，以消除或减少共同的噪声贡献。这意味着，差分测量方案也能够以图1b所示的结构来实现。
当然，虽然在图1b中没有示出，也可以通过相应的绝缘部分在第一膜或/和第二膜104’，106’中分别定义动态部分，绝缘部分与第一膜和第二膜104’，106’的剩余区域电绝缘。
在图1c中示出了是用于操作上文描述的麦克风100，100’的示例性方法10的流程图。方法10可以包括：
从麦克风100，100’中读取第一电信号，其表征第一膜104，104’的由声音引起的相对于参考电极102，102’的移动(12)，
从麦克风100，100’读取第二电信号，其表征第二膜106，106’由声音引起的相对于参考电极102，102’的移动(14)，以及
将第一和第二电信号相加或/和从第二电信号中减去第一电信号或从第一电信号中减去第二电信号，以确定能够移动第一膜104，104’和第二膜106，106’的声音的特性(16)。
第一和第二电信号的读取例如可以通过图1a和1b所示的控制单元c和c’来实现。控制单元c和c’也可以设置用于通过加法或减法来组合第一和第二电信号。控制单元c，c’可以例如被实现为专用集成电路(asic)。如图1a所示，如果膜104，106具有动态部分104a和106a，则该控制单元c可以与其电连接，以便仅从该部分读取第一和第二电信号，由此，如上文所述，可以减少寄生电容对于声音特性的测定的影响。
为了描述麦克风100和100’的共同特征，在下文中将仅仅参考麦克风100，而麦克风100’将仅被用来解释麦克风100和100’之间的差异。
对于声音特性的精确测量所需要的是第一膜或/和第二膜104，106相对于参考电极102的可再现的移动，由此存在第一膜或/和第二膜104，106相对于参考电极102的位置之间的明确的关系和一定的声压。这样的关系可能受到第一膜或/和第二膜104，106相对于参考电极102的变形的影响，这不是由于待检测的声音造成的。如上所述，其可以由在制造第一膜或/和第二膜104，106期间通过热负载或机械负载或者在麦克风100的操作期间通过热变形来引起。在麦克风100的操作期间，由热引起的第一膜或/和第二膜104，106的变形例如能够一方面由第一膜或/和第二膜104，106与保持件116或/和另一方面由第一膜或/和第二膜104，106与支撑构件107a-c彼此不同的热膨胀系数而引起。
由第一膜和第二膜104，106的波纹部分110，114可以补偿在第一膜和第二膜104，106的、由这样的机械应力引起的变形，因为相应的波纹部分110，114可以用作弹簧元件，由此它们可以补偿这些应力。由此存在第一膜或/和第二膜104，106相对于参考电极102的位置之间的明确的关系和一定的声压，由此可以精确测量声压。
由于在第一膜104的区域中提供了波纹部分110(与第二膜106重叠)以及在第二膜106的区域中提供了波纹部分114(与第一膜104重叠)，能够保证，膜104，106中的机械应力可以通过相应的波纹部分110，114独立于相应的另外的膜104，106的来补偿。这允许在膜104，106中的机械应力，例如与麦克风相比，可以被精确地补偿。在该麦克风中，膜通过共同的连接部分与保持件连接，其具有构造为波纹部分弹簧元件。
如图1a所示，第一和第二膜104，106的波纹部分110，114可以在所有侧上通过第一膜和第二膜104的能够通过声音移动的区域103，105来限定。由此可以确保通过波纹部分110，114接收来自第一膜和第二膜104，106的大部分区域的机械应力，由于这种构造，波纹部分110，114可以利用其邻近平坦部分108，112的每一侧接收相应膜104，106中的机械应力。
在图1a所示的示例性的麦克风100中，第一膜和第二膜104，106的波纹部分110，114可以具有环段或环形形状。由此机械应力可以不取决于其在第一膜104和第二膜106的平面中的方向而被补偿。如图1a所示，波纹部分110，114可以将第一膜104和第二膜106的通过声音移动的区域103，105的平坦部分108，112分成径向内部区域108-1或112-1和径向外部区域108-2和112-2。由此可以提供波纹部分110，114，其在整体简化的构造中在所有侧上由平坦部分108，112包围并且与它们邻近。在图1a中分别由附图标记r和a表示径向和轴向方向。
第一膜104的波纹部分110或/和第二膜106的波纹部分114具有各自的从平坦部分108和112中突出的至少一个中空突起110-1，110-2或114-1，114-2。在图1a所示的示例性的麦克风100中，第一膜104的波纹部分110例如可以包括从第二膜106的可通过声音移动的区域105的平坦部分108突出的两个中空突起110-1，110-2，其分别沿着远离参考电极102指向的方向突出。同样，第二膜的波纹部分114可以例如包括通过从平坦部分112突出的中空突起114-1，114-2，其分别从远离基准电极102指向的方向突出。第一膜104的中空突起110-1，110-2可以与第二膜106的中空突起114-1，114-2相对布置。中空突起110-1，110-2和114-1，114-2也可以如图1所示的那样，分别具有矩形的，例如正方形的横截面。中空突起110-1，110-2和114-1，114-2可以分别通过相应的中间连接区域108-3和112-3以及平坦部分108和112相互连接。当然，第一膜104的波纹部分110的中空突起110-1，110-2的数目和第二膜106的波纹部分114的中空突起114-1，114-2的数目不限于两个，而是可以根据微机电麦克风100的具体构造而被改变。
具有中空突起110-1，110-2，114-1，114-2的，尤其是具有矩形横截面的波纹部分110，114的构造表示一个整体简化的结构。在平坦部分108与112的平面中出现的机械应力因此被有效地吸收。通过相应的中空突起110-1，110-2和114-1，114-2的相对布置，第一膜和第二膜104，106中的电压可以以类似的方式补偿，从而可以提供相对于参考电极102的第一膜和第二膜104，106的对称布置。
如进一步在图1a所示的，第二膜106可以包括朝向参考电极102指向的多个膜抗粘突起118。由此能够防止在第二膜106朝向参考电极102偏转较大的情况下，第二膜106与参考电极102的附着，因为即使在参考电极102与第二膜106之间的物理接触的情况下，接触面积也非常小。至少一个膜抗粘突起118或者甚至全部膜抗粘突起118可以具有朝向参考电极102的逐渐变细的形状。由此，在物理接触的情况下，参考电极102和第二膜106之间的接触面积可以被最小化。
同样如图1a所示，参考电极102可以包括朝向第一膜104指向的多个电极抗粘突起120，其可以具有在第一膜104的方向上逐渐变细的形状。
在图1a所示的示例性的麦克风100中，可通过设置在参考电极102上的电极抗粘突起120来防止第一膜104粘附至参考电极102上。可以通过设置在第二膜106上的膜防粘突起118来防止第二膜106粘附至参考电极102上。当然，设置根据图1a的抗粘突起不是强制性的。因此，例如可以仅在参考电极102的朝向第一膜104或第二膜106指向的面上设置抗粘突起。在这种配置中，第一膜和第二膜104，106上的抗粘突起可以完全省去。
可替换地，可以仅在第一膜和第二膜104，106的朝向参考电极102指向的相应侧上设置抗粘突起。在这样的构造中，参考电极102上的抗粘突起可以被完全省去。
在图1a所示的示例性的麦克风100中，可以进一步包括设置在第一膜104和第二膜106之间的多个间隔件122，其被配置用于保持第一膜104和第二膜106之间的预定距离，参考电极102可以多个贯穿开口124，间隔件122分别穿过贯穿开口124延伸。通过提供穿过通孔延伸124的间隔件122基本上提供了这样的可能性，在不同于第一膜和第二膜104，106的边缘区域104r和106r中提供保持件122，即可以与不同区域，一个间隔壁122，以由此例如在第一膜或/和第二膜104，106的中间区域能够设定膜104，106之间的明确定义的距离。如果如图1a所设置有多个间隔件122，可以提供紧密啮合的间隔件布置，在该间隔件布置的帮助下，可以在第一膜和第二膜104，106的整个延伸上精确调节第一膜和第二膜104，106之间的距离。间隔件122因此可以与波纹部分110，114一起提供用于第一和第二膜104，106相对于参考电极102的定义的位置。相邻的间隔件122之间的间隔可以是大约10至100μm，例如25至75μm，例如40至60μm。
至少一个间隔件122，多个间隔件122或者甚至所有间隔件122可以至少部分地，可选地完全由诸如siox或sixny的电绝缘材料制成。例如，当第一膜104和第二膜106彼此电绝缘时，该实例是合适的。这里也可以设置，至少一个间隔件122，多个间隔件122，或甚至所有的间隔件122由导电材料与电绝缘材料的组合，如金属或多晶半导体材料形成，由此能够减少第一膜和第二膜104，106之间的电容性耦合，否则这可能是有问题的，因为第一膜和第二膜104，106可能处于不同的电势。
至少一个间隔件122，可选地多个间隔件122，进一步可选地所有间隔件122中可以与第一膜或/和第二膜104，106永久地处于物理接触中。由此第一膜和第二膜104，106之间的距离(不管是在第一膜或第二膜104，106中出现的应力导致拉伸负载还是压缩负载)保持恒定。
在示例性实施方式中，例如在图1b所示的麦克风100’中，至少一个间隔件122’，多个间隔件122’或者甚至每个间隔件122’可选地完全由导电材料形成，例如由金属或多晶半导体材料，例如硅形成。在第一膜104’和第二膜106’之间提供电接触。由此，使用间隔件122’能够一方面保证了膜104’，106’之间的限定的距离，并且另一方面用于提供膜104’，106’之间的电接触，这有助于整体紧凑的结构，这是由于间隔件122可以负责多个功能。如图1b所示，至少一个间隔件122’，可选地多个间隔件122’，进一步可选地每个间隔件122’可以与第一膜或/和第二膜104’，106’一体地形成。
如图1a所示，至少一个间隔件122可以连接到第一膜或/和第二膜104，106的能够通过声音移动的区域103，105的平坦部分108，112。这个结构由此可以使得至少一个间隔件122与平面部分108和112的相应的径向内部区域108-1，112-1连接或/和至少一个间隔件122与平面部分108和112的相应的径向外部区域108-2，112-2或/和至少一个间隔件与平坦部分108和112的相应的中间连接区域108-3，112-3连接。借助于该实例，可以产生参考点，在这些参考点之间布置相应的中空突起110-1，110-2，114-1，114-2，从而可以局部地提供对机械应力的补偿。
为了不损害膜104，106的可移动性，如图1a所示，可以设置至少一个绝缘件122，多个绝缘件122或者甚至所有绝缘件122无接触地延伸通过相应的贯穿开口124。在示例性实例中，第一膜104或/和第二膜106不以其任何位置接触间隔件122。由此能够提供麦克风对要检测的声波的高线性度。
间隔件122的直径可以是大约1至5μm。贯穿开口124的直径可以比延伸穿过相应的贯穿开口124的间隔件122的直径大10％至100％，可选地25％至75％，进一步可选地40％至60％。当然，上述关系可以适用于多个贯穿开口124或者甚至是所有贯穿开口124和延伸穿过贯穿开口的间隔件122。通过该直径，在膜104，106移动的情况下，通过贯穿开口124的气流受到限制，这又可以限制由气流引起的噪音贡献。
由通过贯穿开口124的气流引起的噪声贡献可以额外地通过以下方式减小，即将小于常压(约1013毫巴)的气体压力设置在第一膜104和第二膜106之间限定的空间s，在该空间中布置有参考电极102。空间s中的气体压力可小于100毫巴，可选地小于50毫巴，进一步可选地小于10毫巴。利用这样的气体压力，还可以减小与膜104，106的移动反作用的空间s内的空气等气体所引起的阻力。
在下文中，将参考图2至图8来描述其他示例性的微机电麦克风。在这种情况下，相同的附图标记用于与图1a中相同的和功能上相同的部件，但是增加了数量100或100的整数倍。下面的实施例将仅在与图1所示的实施例不同的情况下进行描述。在此通过引用明确地并入其描述。
在图2示例的麦克风200与图1a所示的麦克风100通过第一膜204的波纹部分210的构造以及通过第二膜206的波纹部分214的构造而区分开。与如图1a所示的麦克风100类似地，波纹部分210，214也各自具有多个中空突起，例如各两个中空突起210-1，210-2或214-1，214-2，然而，与麦克风100相反，其分别沿朝向参考电极202的方向突出。利用这样构造的中空突起210-1，210-2，214-1，214-2，可以实现与前述中空突起110-1，110-2，114-1，114-2相同的技术效果。此外，这可以提供具有比麦克风100更小的轴向范围的麦克风200。另外，在相应中空突起214-1和214-2的面向参考电极202指向的表面上也设置膜抗粘突起218。当然膜抗粘突起218也可以设置在第一膜204的中空突起210-1和210-2上。可替换地，如图2所示，在参考电极202上，在与中空突起210-1，210-2相对的区域中设置电极抗粘突起220。
在图3示例的麦克风300与图2所示的麦克风200通过第一膜和第二膜304，306的波纹部分310，314的构造而区分开。与图2中示出的麦克风200相反，波纹部分310，314各自具有比图2中示出的麦克风200更少数量的中空突起，例如分别仅具有单个中空突起部310-1或314-1。另外，麦克风300具有间隔件322，其将第一膜304的波纹部分310的中空突起310-1与第二膜306的波纹部分314的中空突起314-1连接。借助于这样的间隔件322，即使由于相应的膜304，306中的机械应力而使相应的中空突起310-1，314-1变形，也可以确保第一膜304和第二膜306之间的定义的距离
在图4示例的麦克风400与图1a所示的麦克风100通过第一膜404的波纹部分410的构造而区分开。尽管该波纹部分也具有多个中空突起，例如两个中空突起410-1，410-2，但是这些中空突起在朝向参考电极402指向的方向上突出。利用该配置，麦克风400可以被设置为具有比麦克风100更小的轴向范围。另外，第一膜404和第二膜406可以通过类似的制造方法制造，因为第一膜404和第二膜406的中空突起沿相同的方向突出。
在图5示例的麦克风500与图2所示的麦克风200在第一膜504的波纹部分510的构造方面不同。类似于麦克风200，第一膜504的波纹部分510也具有多个中空突起，例如两个中空突起210-1，210-2。然而，与麦克风200相反，这些中空突起在远离参考电极502指向的方向上突出。利用这种配置，麦克风500的第一和第二膜504，506可以容易地制造，因为第一和第二膜504，506的中空突起510-1，510-2和514-1，514-2分别在相同的方向突出，因此可以通过类似或相同的制造工艺形成。
在图6示例的麦克风600与图1a所示的麦克风100在第一膜604的构造方面不同。其与图1a所示麦克风100的膜104相反，不具有波纹部分，而是被构造为整体平坦的部件。如果由于生产而使得第一膜604例如能够以低的内应力制造，则该实施例是特别合适的。
在图7示例的麦克风700与图2所示的麦克风200在第一膜704的构造方面不同。与图2所示的麦克风200的膜204相反，不具有波纹部分，而是被构造为整体平坦的部件。如果由于生产而使得第一膜604例如能够以低的内应力制造，则该实施例是特别合适的。
在图8示例的麦克风800与上文的麦克风特别是通过第一膜和第二膜804，806的波纹部分810，814的构造而区分开。波纹部分810和814分别构造为中空突起810-1和814-1，并且每个分别具有基本正交于相应的平坦部分808和812延伸的第一部分810a和814a，以及邻接相应的正交部分810a，814a的第二部分810b和814b，其分别基本上平行于相应的平坦部分808和812延伸。由此实现具有成角的横截面的中空突起。通过这种构造，在波纹部分810，814中，更多的变形自由度能够被用于分别补偿第一和第二膜804，806中的机械应力，由此最终可以实现各个波纹部分810，814的高回弹性。
当然，中空突起810-1和814-1不需要指向相同的方向，而是可以类似于按照根据图1a至图7的构造在其方位方面而被改变。
对于中空突起的横截面的具体实例，几乎没有限制。中空突起可以通过各种其他横截面来实现，以满足特定的要求。图9中示出了另一个示例性麦克风900。其具有带波纹部分910的第一膜904和带波纹部分914的第二膜906。波纹部分910，914分别形成为具有彼此不同的横截面形状的中空突起910-1和914-1。
第一膜904的中空突起910-1可以包括基本上正交于第一膜904的能够通过声音移动的区域903的平坦部分908延伸的第一部分910a和基本上与第一部分910a相邻的第二部分910b，其具有基本上椭圆或圆形的横截面。
第二膜906的中空突起914-1可以包括基本上正交于第一膜906的能够通过声音移动的区域905的平坦部分912延伸的第一部分914a和基本上与第一部分914a相邻的第二部分914b，其具有基本上直角的横截面。如图9所示，第一部分914a和第二部分914b可以一起限定t形横截面。
虽然在图2至图9中未示出，但是各个参考电极可以具有根据图1b的层结构。类似地，至少一个间隔件，可选地多个间隔件，还可选地每个间隔件可以与相应的膜中的一个或两个一体地形成。此外与图1a所示的麦克风100相似，第一和/或第二膜可以通过隔离部分分段，以具有相应的动态部分。
在下文中，通过参照图10至图20，示出用于制造根据图8的微机电麦克风的膜的示例性方法。
该方法的可以可以由此出发，提供衬底1000，例如由半导体材料，如晶体硅制成的衬底。在此，如图10所示，首先能够在该衬底上沉积电绝缘层1002，例如氧化物层，siox，然后例如通过化学气相沉积(cvd)或通过溅射来沉积膜材料层1004。膜材料层1004可以由导电材料形成，例如金属或多晶半导体材料，例如多晶硅。
随后，如图11所示，贯穿开口1006可以例如通过蚀刻形成在膜材料层1004中。之后可以在膜材料层1004上以及在膜材料层1004中形成的贯穿开口1006中沉积另外的牺牲层(参见图12)。另外的牺牲层可以由与牺牲层1002相同的材料形成。这可以形成具有原始牺牲层并且在膜材料层1004上部分地延伸的整体牺牲层。由此形成的牺牲层在下面的描述中被称为牺牲层并且被提供有附图标记1002。
然后可以在牺牲层1002中形成开口1008，其暴露限定膜材料层1004(图13)中的贯穿开口或凹部1006膜材料层1004的边缘区域。然后可以将另一层膜材料沉积在牺牲层1002上和开口1008中(图14)。由此，如图14所示，形成具有原始膜材料层1004的基本上一体的膜材料层。这在下文被称为膜材料层并且被设置有附图标记1004。此后，膜材料层1004可以如图15所示是被结构化的。由此例如可以在牺牲层1002上形成膜材料的接片状部分1004’。
然后可以将另外的牺牲层沉积在接片状部分1004’上和牺牲层1002上(图16)。其可以由与现有的牺牲层1002相同的材料形成。由此利用现有的牺牲层1002，可以形成整体的牺牲层，其通常在下文中被称为牺牲层并且被提供有附图标记1002。
如图17所示，随后可以例如通过蚀刻在牺牲层1002中形成开口1010，其暴露接片状部分1004’和膜材料层1004的边缘区域。之后，如图18所示，另一膜材料层可以沉积在开口1010中以及牺牲层1002上。由此可以形成一体式膜材料层1004，如图19所示，其可以被结构化。由此可以形成膜1004。
之后，如图20所示，牺牲层1002的一部分和衬底1000的一部分可以例如通过蚀刻而被去除。由此膜1004被暴露，并形成用于膜1004的保持件1000’。如图所示。如图20所示，牺牲层1002’的一部分可以保留在保持件1000’与膜1004之间的边缘区域中，其可以用作与图1a相关联地讨论的支撑元件。
与先前参照图1a至图9描述的膜类似，图19和20中所示的膜1004具有能够通过声音移动的区域1019，其具有平坦部分1020和波纹部分1022。牺牲层1002在此用作用于制造膜1004的阴模。如图19所示，其具有与平面部分1020互补的第一部分1020-neg和与波纹部分1022互补的第二部分1022-neg。如图19所示，第二部分1022-neg具有突起或形成为突起。如前所述，在形成膜1004的一部分之后形成突起的一部分。这样，可以制造具有复杂结构的突起，从而可以制造具有如图8和19所示的具有成角的横截面的突起的复杂结构的波纹部分1022。这样，突起的电压补偿能力可以单独适应与生产有关的条件。
在下文中，通过参考图21至图40，描述用于制造微机电麦克风的示例性方法，该麦克风具有与图9示出了麦克风900类似的结构。
如图21所示，该方法可以由此出发，即在衬底2000上沉积第一牺牲层2002，随后可以在其上沉积第一保护层2004并且可以在其上沉积第二牺牲层2006。衬底2000可以例如由诸如硅的半导体材料组成，可选地由晶体硅组成。第一牺牲层2002或/和第二牺牲层2006可以由电绝缘材料，例如siox的氧化物形成。第一保护层2004可以由诸如sixny的氮化物形成。第一保护层2004可以用作进一步处理中的蚀刻停止层。
如图22所示，第一腔体2008可以随后例如通过蚀刻通过第一牺牲层2002，第一保护层2004和第二牺牲层2006形成到衬底2000中。之后，例如通过化学气相沉积(图23)，可以将第二保护层2010施加到第二牺牲层2006并且施加到衬底2000的限定第一腔体2008的部分，第一牺牲层2002，第一保护层2004和第二牺牲层2006。
随后，如图24所示，例如通过选择性蚀刻，从背离衬底2000的侧面到第一保护层2004的层堆叠被去除。第二保护层2010因此仅仅仍然存在于第一腔体2008中，并且能够如图24所示与第一保护层2004一体式连接。因此，在下面的描述中，第一保护层2004和第二保护层2010通常被称为保护层并且被提供有附图标记2004。
原则上，现在可以将膜材料层施加到保护层2004以便形成具有被构造为中空突起的波纹部分的膜，针对该部分第一腔体2008可以用作阴模。由此形成的中空起将具有大致矩形形状的横截面。
可替换地，如图24所示，可以在第一腔体2008内的保护层2004中形成开口2012，由此可以暴露衬底2000。借助形成在保护层2004中的开口2012，可以形成与第一腔体2008连接的第二腔体2009，其可以具有与第一腔体2008不同的横截面形状，例如椭圆形或圆形的横截面形状。第二腔体2009可以例如通过各向同性蚀刻来形成。这里，设置在第一腔体2008中的保护层2004的截面可以用作蚀刻停止层，以便不通过各向同性蚀刻来改变第一腔体2008的形状。
随后，如图25所示，可以去除保护层2004，从而暴露出第一牺牲层2002。第一牺牲层2002然后可以继续进入第一和第二腔体2008，2009，也就是说，第一腔体2008和第二腔体2009可以衬有牺牲层，该牺牲层可以与第一牺牲层2002集成在一起。因此，在以下描述中，通常将牺牲层标记为2002(图26)。
在图26所示的牺牲层2002上，随后，可以例如通过化学气相沉积或溅射来施加第一膜材料层2014(图27)。第一膜材料层2014可以由诸如金属或例如硅的多晶半导体材料的导电材料形成。第一膜材料层2014对应于第一膜2014和图26中所示的牺牲层2002对应于用于第一膜2014的阴模。在这种情况下，在第一腔体2008和第二腔体2009外侧的第一牺牲层2002的平面部分表示为第一部分2016-neg，其具有与第一膜2014的能够通过声音移动的区域2019的平坦部分2016互补的形状，第一腔体2008和第二腔体2009内部的牺牲层2002的部分表示为第二部分2018-neg，其具有与第一膜2014的能够通过声音移动的区域2019的波纹部分2018互补的形状。
通过去除牺牲层2002和衬底2000的一部分，第一膜2014可以被暴露。这将在稍后详细示出和描述。
如图28所示，膜牺牲层2020可以沉积到第一膜2014上。这可以覆盖第一膜2014的整个表面，从而有效地保护其免受后续过程中的进一步的外部影响。膜牺牲层2020可以例如由电绝缘材料(例如氧化物，诸如siox)组成。
膜牺牲层2020还可以用作形成参考电极2022的基座。这可以通过沉积诸如由金属或例如硅的多晶半导体材料形成的导电材料层来实现(图29)。可替换地，参考电极可以通过沉积由导电的参考电极层组成的层堆叠而形成(接着形成电绝缘的参考电极层和另外的导电的参考电极层)，以获得根据图1b参考电极。
如图30所示，随后可以将参考电极牺牲层2024(例如由电绝缘材料例如氧化物，例如siox制成)施加到参考电极2022并将第二膜材料层2026施加到参考电极牺牲层2024上。第二膜材料层2026可以由例如导电材料制成，例如金属或例如硅的多晶半导体材料形成。在图30中以及在下面的图31至38中，为了简单起见，仅在图29中示出参考电极2022，而为了简单起见没有示出其他层(虽然它们是存在的)。
如图31所示，在第二膜材料层2026中，可以例如通过蚀刻暴露参考电极牺牲层2024来形成通孔2028。之后，如图32所示，可以将另外的牺牲材料层施加到第二膜材料层2026并且通过通孔2028施加到参考电极牺牲层2024。这可以由与参考电极牺牲层2024相同的材料形成，由此形成一体式的牺牲层，其在下文中也将被称为参考电极层并且将被提供有参考标号2024。
然后可以在参考电极牺牲层2024中形成开口2030，其暴露限定贯穿开口2028的第二膜材料层2026的边缘区域(图33)。如图34所示，之后，可以将另外的膜材料层施加到参考电极牺牲层2024并且施加到开口2030中。这可以通过开口2030与第二膜材料层2026一体地形成。因此，由此形成的一体式膜材料层也被称为第二膜材料层并且被提供有附图标记2026。
如图35所示，随后可以结构化第二膜材料层2026，由此在参考电极牺牲层2024的表面上形成膜材料的薄片2026’。如图36所示，然后，参考电极牺牲层2024可以在厚度方向上通过沉积另外的牺牲材料继续前进，以覆盖薄片2026’。此后在厚度方向上继续前进的参考电极牺牲层2024可以例如通过蚀刻形成开口，其暴露盖薄片2026’的边缘区域(图37)。将由膜材料形成的另一层沉积在参考电极牺牲层2024上以及沉积在开口2032中，从而形成新的一体式膜材料层2026，通过随后的结构化可以从其形成第二膜2026。如图39所示，第二膜2026具有能够通过声移动的区域2029，其具有平坦部分2034和波纹部分2036。参考电极牺牲层2024因此用作形成第二膜2026的阴模。阴模具有第一部分2034-neg和第二部分2036-neg，第一部分2034-neg具有与第二膜2026的能够通过声移动的区域2029的平坦部分2034互补的形状，第二部分2036-neg具有与第二膜2026的能够通过声移动的区域2029的波纹部分2036互补的形状。如上所述，在形成第二膜2026的区域之后形成阴模的第二部分2036-neg的区域。这样可以形成具有第二部分的阴模，其具有复杂结构。因此，可以使用这样的阴模来形成具有波纹部分的膜，其形状可以单独适应相关膜中的应力条件。
如图40所示，随后可以去除牺牲层2002，膜牺牲层2020，参考电极牺牲层2024和衬底2000的一部分。由此第一膜2014，参考电极2022和第二膜2026可以被暴露。通过仅蚀刻基板2000的一部分，能够从基板2000形成保持器2000'。通过仅蚀刻膜牺牲层2020，参考电极牺牲层2020和牺牲层2002的一部分，可以形成保持件2000’与第一膜2014之间的支撑件2002’，第一膜2014与参考电极2022之间的支撑件2020’'以及参考电极2022与第二膜2026之间的支撑件2024’。
尽管未在附图中明确示出，但是该方法可以进一步包括在参考电极2022中形成至少一个贯穿开口以及延伸穿过参考电极2022中的贯穿开口的间隔件。间隔件可以与第一膜2014或/和第二膜2026连接。
图41中示出用于制造微机电麦克风的示例方法3000的流程图。其可以包括：
形成第一膜(3002)，
将膜牺牲层形成到第一膜上(3004)，
将参考电极形成到膜牺牲层上(3006)，
将参考电极牺牲层形成到参考电极上(3008)，
将第二膜形成到参考电极牺牲层上(3010)，以及
去除牺牲膜层的一部分和参考电极牺牲层的一部分(3012)。
在图42中示出用于制造第一和/或第二膜的示例性方法3002的流程图。方法3002可以包括：
形成用于第一和/或第二膜的阴模，其中阴模包括第一部分和第二部分，第一部分与第一膜或/和第二膜的能够通过声音移动的区域中的平坦部分互补，第二部分与第一膜或/和第二膜的能够通过声音移动的区域中的波纹部分互补(3002-2)，
将膜材料沉积到所述阴模，并且从而形成膜(3002-4)，以及
去除阴模，从而暴露膜(3002-6)。
以下将描述许多示例性的微机电麦克风。
实例1是一种微机电麦克风，其可以包括：参考电极，第一膜，被布置在所述参考电极的第一侧上并且能够通过待检测的声音移动，以及第二膜，被布置在所述参考电极的与所述参考电极的所述第一侧相对的第二侧上并且能够通过待检测的声音移动，其中所述第一膜和所述第二膜中的一个的、能够通过声音相对于所述参考电极移动的区域，不取决于其相对于所述参考电极的位置，包括平坦部分和波纹部分，所述波纹部分被布置为邻近所述平坦部分并且处在膜与所述第一膜和所述第二膜中的另一个的重叠区域中。
在实例2中，实例1的主题可选地还可以包括，所述第一膜的能够通过声音相对于所述参考电极移动的区域包括平坦部分和波纹部分，所述波纹部分被布置为邻近所述平坦部分并且处在与所述第二膜的重叠区域中并且所述第二膜的能够通过声音相对于所述参考电极移动的区域包括平坦部分和波纹部分，所述波纹部分被布置为邻近所述平坦部分并且处在与所述第一膜的重叠区域中。
在实例3中，实例1或2的主题可选地还可以包括，所述第一膜和所述第二膜中仅一个的能够通过声音相对于所述参考电极移动的区域具有波纹部分，所述第一膜和所述第二膜中的另一个的能够通过声音相对于所述参考电极移动的区域实质上完全被构造为平坦的。
在实例4中，实例1至3中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述波纹部分在所有侧面上由所述平面部分限定。
在实例5中，实例1至4中的一个实例的主题可选地还可以包括，波纹部分具有环段或环形形状。
在实例6中，实例1至5中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述波纹状部分包括从所述平面部分的突出的中空突起，所述中空突起沿朝向所述参考电极指向的方向或沿背向所述参考电极指向的方向从所述平面部分突出，其中所述波纹部分可选地包括从所述平面部分的突出的多个中空突起，所述多个中空突起沿朝向所述参考电极指向的方向或/和沿背向所述参考电极指向的方向突出。
在实例7中，实例6的主题可选地还可以包括，中空突起或多个中空突起至少部分地包括矩形，可选正方形的横截面或/和椭圆形，可选圆形的横截面或/和成角度的横截面。
在实例8中，实例1至7中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述第一膜包括朝向参考电极指向的至少一个膜抗粘突起，可选地包括朝向参考电极指向的多个膜抗粘突起或/和所述第二膜包括朝向参考电极指向的至少一个膜抗粘突起，可选地包括朝向参考电极指向的多个膜抗粘突起。
在实例9中，实例6或7和实例8中的一个实例的主题可选地还可以包括，至少一个膜抗粘突起被设置在朝向参考电极的方向突出的中空突起处。
在实例10中，实例1至9中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述参考电极包括朝向所述第一膜突出的至少一个电极抗粘突起或/和朝向所述第二膜突出的至少一个电极抗粘突起。
在实例11中，实例1至10中的一个实例的主题可选地还可以包括，包括布置在所述第一膜和所述第二膜之间的至少一个间隔件，所述间隔件被设置用于保持所述第一膜和所述第二膜之间的预定距离，其中所述参考电极具有至少一个贯通开口，所述至少一个间隔件通过所述贯通开口延伸。
在实例12中，实例11的主题可选地还可以包括，至少一个间隔件永久地、可选地一体式地与所述第一膜或/和所述第二膜连接。
在实例13中，实例2和12的主题可选地还可以包括，至少一个间隔件与第一膜的能够通过声音移动的区域的平坦部分以及第二膜的能够通过声音移动的区域的平坦部分连接。
在实例14中，实例6和13的主题可选地还可以包括，第一膜的能够通过声音移动的区域的波纹部分包括多个中空突起，其中至少一个间隔件与两个中空突起之间的、第一膜的能够通过声音移动的区域的平坦部分的一部分连接或/和第二膜的能够通过声音移动的区域的波纹部分包括多个中空突起，其中至少一个间隔件与两个中空突起之间的、第二膜的能够通过声音移动的区域的平坦部分的一部分连接。
在实例15中，实例2和12的主题可选地还可以包括，至少一个间隔件与第一膜的能够通过声音移动的区域的波纹部分连接或/和至少一个间隔件与第二膜的能够通过声音移动的区域的波纹部分连接。
在实例16中，实例11至15中的一个实例的主题可选地还可以包括，至少一个间隔件无接触地延伸通过在所述第一膜或/和第二膜的至少一个位置中的，可选地在第一膜或/和第二膜的所有位置中的贯穿开口。
在实例17中，实例11至16中的一个实例的主题可选地可以包括在第一膜和第二膜之间的多个间隔件。
在实例18中，实例11至17中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述至少一个间隔件，可选地所述多个间隔件，还可选地每个间隔件至少部分地，可选地完全地由电绝缘材料形成。
在实例19中，实例11至18中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述至少一个间隔件，可选地所述多个间隔件，还可选地每个间隔件至少部分地，可选地完全地由导电材料形成。
在实例20中，实例17至19中的一个实例的主题可选地还可以包括，具有多个贯穿开口的参考电极，各一个间隔件延伸通过该贯穿开口。
在实例21中，实例1至20中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述第一膜和所述第二膜彼此电绝缘，可选地在所述第一膜和所述第二膜相对于所述参考电极的每个位置中彼此电绝缘。
在实例22中，实例1至20中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述第一膜和所述第二膜彼此处于电连接状态，可选地在所述第一膜和所述第二膜相对于所述参考电极的每个位置中彼此处于电连接状态。
在实例23中，实例19至22中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述第一膜和所述第二膜彼此通过所述至少一个间隔件，可选地通过所述多个间隔件，还可选地通过所有间隔件而彼此处于电连接状态。
在实例24中，实例1至23中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述参考电极完全地由导电材料形成。
在实例25中，实例1至23中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述参考电极包括朝向所述第一膜指向的导电的第一参考电极层，朝向所述第二膜指向的导电的第二参考电极层，以及电绝缘的第三参考电极层，被布置在所述第一参考电极层和所述第二参考电极层之间并且被配置用于使所述第一参考电极层与所述第二参考电极层电绝缘。
在实例26中，实例1至25中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述第一膜包括至少部分地，可选地完全地包含在所述第一膜的能够通过声音移动的区域中的动态部分，所述动态部分通过绝缘部分与所述第一膜的剩余部分电绝缘，和/或包含所述第二膜包括至少部分地，可选地完全地包含在所述第二膜的能够通过声音移动的区域中的动态部分，所述动态部分通过绝缘部分与所述第二膜的剩余部分电绝缘。
在实例27中，实例1至26中的一个实例的主题可选地还可以包括保持件，所述第一膜和/或所述第二膜和/或所述参考电极被固定到所述保持件。
在实例28中，实例26和27的主题可选地还可以包括，所述第一膜的所述剩余部分具有与所述保持件连接的固定部分，和/或其中所述第二膜的所述剩余部分具有与所述保持件连接的固定部分。
在实例29中，实例28的主题可选地还可以包括，所述第一膜的所述绝缘部分至少部分地，可选地完全地被布置在所述第一膜的所述波纹部分的面向所述第一膜的所述固定部分的一侧上和/或背向所述第一膜的所述固定部分的一侧上，和/或所述第二膜的所述绝缘部分至少部分地，可选地完全地被布置在所述第二膜的所述波纹部分的面向所述第二膜的所述固定部分的一侧上和/或背向所述第二膜的所述固定部分的一侧上。
在实例30中，实例1至29中的一个实例的主题可选地还可以包括，在第一膜和第二膜之间定义的空间，在该空间中布置有参考电极设置，在该空间中设置小于常压的气体压力。
实例31是用于操作根据实例1至30中任一项所述的微机电麦克风的方法，包括：读取来自所述麦克风的第一电信号，所述第一电信号表征所述第一膜的通过声音引起的相对于所述参考电极的移动，读取来自所述麦克风的第二电信号，所述第二电信号表征所述第二膜的通过声音引起的相对于所述参考电极的移动，组合所述第一电信号和所述第二电信号，以确定能够移动所述第一膜和所述第二膜的声音的特性。
在实例32中，实例31的主题可选地还可以包括，第一电信号是电压或电流，或/和第二电信号是电压或电流。
在实例33中，实例31或32的主题可选地还可以包括，组合所述第一电信号和所述第二电信号包括：将所述第一电信号和所述第二电信号相加，和/或从所述第二电信号中减去所述第一电信号或从所述第一电信号中减去所述第二电信号。
实例34是用于制造根据实例1至30中任一项所述的微机电麦克风的方法，包括：制造第一膜，将参考电极制造到所述第一膜上，以及将第二膜制造到所述参考电极上，其中制造所述第一膜或/和所述第二膜包括：制造所述第一膜或/和所述第二膜的阴模，其中，所述阴模包括第一部分和第二部分，所述第一部分与第一膜或/和第二膜的能够通过声音移动的区域中的平坦部分互补，所述第二部分与第一膜或/和第二膜的能够通过声音移动的区域中的波纹部分互补，将膜材料沉积到所述阴模，并且从而形成第一膜或第二膜，以及移除所述阴模，从而暴露所述第一膜或所述第二膜。
在实例35中，实例34的主题可选地还可以包括，所述阴模的所述第二部分包括突起和/或凹部。
在实例36中，实例35的主题可选地还可以包括，其中所述阴模的所述第二部分具有凹部或被构造为凹部，其中制造所述凹部包括：在衬底中形成第一腔体，将保护层沉积到所述第一腔体的壁上，在所述保护层中形成开口，并且从而暴露所述衬底，
通过所述保护层中的所述开口，在所述衬底中形成与所述第一腔体处于连接状态的第二腔体以及移除所述保护层。
在实例37中，实例36的主题可选地还可以包括，将所述膜材料沉积在所述凹部作为覆盖所述凹部的内壁的层，所述层限定从所述衬底的外部可进入的空腔。
在实例38中，实例35至37中的一个实例的主题可选地还可以包括，所述第二部分包括突起或被构造为突起，其中所述突起的区域在制造所述第一膜和所述第二膜的部分之后被形成。
在实例39中，实例38的主题可选地还可以包括，在第一牺牲层上沉积第一膜材料层，在所述第一膜材料层中形成贯穿开口，将所述第二牺牲层沉积到所述第一膜材料层上以及沉积到形成在所述膜材料层中的所述贯穿开口中，在所述第二牺牲层中形成开口，所述开口暴露限定第一膜材料层中的所述贯穿开口的第一膜材料层的边缘区域，以及将第二膜材料层沉积到第二牺牲层上以及沉积到形成在第二牺牲层中的开口中。
在实例40，实例39的主题可选地还可以包括，结构化所述第二膜材料层，从而形成经由形成在第二牺牲层中的开口与第一膜材料层连接的由膜材料制成的接片状的部分；将第三牺牲层沉积到该接片上和沉积到第二牺牲层上；在第三牺牲层或第二和第三牺牲层中形成暴露接片的边缘区域的开口，以及将第三膜材料层沉积到第三牺牲层上以及沉积到形成在第二和第三牺牲层中的开口中。
在实例41中，实例40的主题可选地还可以包括，去除阴模包括去除第一至第三牺牲层。
在实例42，实例34至41中的一个实例的主题可选地还可以包括，在第一膜上形成膜牺牲层，其中参考电极形成在膜牺牲层上。
在实例43中，实例34至42中的一个实例的主题可选地还可以包括，在参考电极上形成参考电极牺牲层，其中第二膜形成在参考电极牺牲层上。
在实例44，实例34至43中的一个实例的主题可选地还可以包括，在参考电极中形成至少一个贯穿开口并形成延伸穿过贯穿开口的第一膜和第二膜之间的间隔件，可选地将间隔件与第一和/或第二膜连接。