声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的射频电路及终端的制作方法

本申请涉及电路结构技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的射频电路及终端。

背景技术

物联网通过智能感知、识别技术与普适计算等通信感知技术广泛应用于网络的融合中，也因此被称为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮。物联网技术的飞速发展与应用，意味着对通信技术的要求越来越高，通讯信号的传输面临着越来越大的挑战。

现有的物联网终端发射出和传输信号的过程中，只能进行短距离传输，而且在传输过程中，易受到干扰。而且，在遇到干扰时，噪声较多，导致接收机灵敏度降低及adc的增益较低，不利于调制解调器处理接收信号。

技术实现要素：

本申请实施例提供了一种声表面波滤波器结合抗混迭滤波器的物联网射频电路及终端，以期提高信号质量，改善接收信号质量。

第一方面，本申请实施例提供一种信号处理电路，所述信号处理电路包括：天线电路、第一滤波电路、开关电路、低噪声放大电路、混频电路、第二滤波电路、功率放大电路和a/d转换电路；

所述天线电路的输出端与所述第一滤波电路的输入端连接，所述第一滤波电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述混频电路的输入端连接，所述混频电路的输出端与所述第二滤波电路的输入端连接，所述第二滤波电路的输出端与所述功率放大电路的输入端连接。

可选的，所述第一滤波电路包括：第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件和第四滤波器件；

所述第一滤波器件与所述第二滤波器件并联组成第一并联电路，所述第三滤波器件与所述第四滤波器件并联组成第二并联电路，所述第一并联电路的第一端与所述第一滤波电路输入信号的第一端连接，所述第一并联电路的第二端与所述第二并联电路的第一端连接，所述第二并联电路的第二端与所述第一滤波电路输入信号的第二端连接；

所述第二并联电路的第一端与第二端作为所述第一滤波电路输出信号的两个端口。

可选的，所述开关电路为多路选择开关，所述开关电路包括4路发射信号处理电路和8路接收信号处理电路，其中，所述4路发射信号处理电路用于发射两个频段的射频信号，所述8路接收信号处理电路用于接收两个频段的射频信号。

可选的，所述低噪声放大电路包括第一电源、第二电源、第三电源、第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻；

所述低噪声放大电路的信号输入端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述第一电源连接以及与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第二电源与所述第二电容的第一端以及所述第二场效应晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地，所述第二场效应晶体管的源极与所述第一场效应晶体管的漏极连接，所述第二场效应晶体管的漏极与所述第三电阻的第一端以及所述第三电感的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第三电容的第一端以及所述第四电容的第一端连接，所述第三电容的第二端以及所述第四电容的第二端与所述低噪声放大电路的信号输出端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源连接。

可选的，所述混频电路包括第四电源、第五电源、第四电感、第五电感、第六电感、第七电感、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、第八场效应晶体管、第九场效应晶体管、第十场效应晶体管、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容、第四电阻和第五电阻；

所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管的栅极均连接所述混频电路本振信号的输入端，所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管的源极均接地，所述第三场效应晶体管的漏极与所述第五场效应晶体管和第六场效应晶体管的源极连接，所述第四场效应晶体管的漏极与所述第七场效应晶体管和第八场效应晶体管的源极连接，所述第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管和第八场效应晶体管的栅极均与所述混频电路输入信号连接；

所述第五场效应晶体管和第七场效应晶体管的漏极与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第五电容、第七电容、第九电容、第四电阻、第五电感的第一端连接以及所述第九场效应晶体管的漏极连接，所述第九场效应晶体管的源极、所述第五电容的第二端以及所述第四电阻的第二端与所述第四电源连接，所述第七电容和所述第五电感的第二端接地，所述第九电容的第二端为所述混频电路的信号输出端；

所述第六场效应晶体管和第八场效应晶体管的漏极与所述第七电感的第一端连接，所述第七电感的第二端与所述第六电容、第八电容、第十电容、第五电阻、第六电感的第一端连接以及所述第十场效应晶体管的漏极连接，所述第十场效应晶体管的源极、所述第六电容的第二端以及所述第五电阻的第二端与所述第五电源连接，所述第八电容和所述第六电感的第二端接地，所述第十电容的第二端为所述混频电路的信号输出端。

可选的，所述第二滤波电路包括第八电感、第九电感、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十一电容、第十二电容、第十三电容、第十四电容、第十五电容和第十六电容；

所述第二滤波电路输入信号的第一端、所述第二滤波电路输出信号的第一端、所述第十一电容、第八电感、所述第六电阻和所述第七电阻之间串联，所述第二滤波电路输入信号的第二端、所述第二滤波电路输出信号的第二端、所述第十二电容、所述第九电感、所述第十电阻和所述第十一电阻之间串联，所述第八电阻的第一端接在所述第八电感和所述第六电阻之间，所述第八电阻的第二端与所述第九电阻的第一端连接，所述第九电阻的第二端接在所述第九电感和所述第十电阻之间，所述第十三电容的第一端接在所述第六电阻和所述第七电阻之间，所述第十三电容的第二端与所述第十五电容的第一端连接，所述第十五电容的第二端接在所述第十电阻和所述第十一电阻之间，所述第十四电容的第一端与所述第七电阻的第二端连接，所述第十四电容的第二端与所述第十六电容的第一端连接，所述第十六电容的第二端与所述第十一电容的第二端连接，所述第八电阻和第九电阻之间、所述第十三电容和十五电容之间、所述第十四电容和第十六电容之间均接地。

可选的，所述信号处理电路还包括保护电路，所述保护电路用于在所述天线遭受预设电压时保护述信号处理电路。

第二方面，本申请实施例提供了一种芯片，该芯片包括处理器、电源电路和上述任第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所提供的信号处理电路。

第三方面，本申请实施例提供了一种电路板，该电路板包括调制解调器、信号处理器和上述第二方面提供的芯片。

第四方面，本申请实施例提供了一种终端，该终端包括壳体和上述第三方面提供的电路板。

实施本申请实施例，具有如下有益效果：

可以看出，本申请中在混频电路的输出端并联了电容和电感的级联网络，通过并联电容和电感的级联网络，提高了混频电路输出信号的信噪比，优化了混频电路的性能，提高了接收信号的信号质量。同时，本申请信号处理电路中设置了第二滤波电路，提高了adc的处理增益，提高了射频接收机的灵敏度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供了一种信号处理电路的示意图；

图2为本申请实施例提供了一种梯形结构的声表面滤波电路的示意图；

图3为本申请实施例提供了一种格形结构的声表面滤波电路的示意图；

图4为本申请实施例提供了一种低噪声放大电路的示意图；

图5为本申请实施例提供了一种混频电路的示意图；

图6为本申请实施例提供了一种抗混叠滤波电路的示意图；

图7为本申请实施例提供了一种可能的保护电路的示意图；

图8为本申请实施例提供了芯片的一种可能的结构示意图；

图9为本申请实施例提供了电路板的一种可能的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结果或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

首先参见图1，图1为本申请实施例提供的一种信号处理电路，所述信号处理电路用于从天线接收的射频信号。如图1所示，所述信号处理电路包括：天线电路100、第一滤波电路200、开关电路300、低噪声放大电路400、混频电路500、第二滤波电路600、功率放大电路700和a/d转换电路800；

所述天线电路100的输出端与所述第一滤波电路200的输入端连接，所述第一滤波电路200的输出端与所述开关电路300的输入端连接，所述开关电路300的输出端与所述低噪声放大电路400的输入端连接，所述低噪声放大电路400的输出端与所述混频电路500的输入端连接，所述混频电路500的输出端与所述第二滤波电路600的输入端连接，所述第二滤波电路600的输出端与所述功率放大电路700的输入端连接，所述功率放大电路700的输出端与所述a/d转换电路800的输入端连接。

可选的，第一滤波电路200可以是低通滤波电路，所述低通滤波电路包括电容输入式低通滤波电路，或电感输入式低通滤波电路，滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分，使输出的直流更平滑，滤波电感对直流的阻抗小，对交流的阻抗大，因此能够得到较好的滤波效果而直流损失小，使输出的电流波形较为平滑。低通滤波的类型根据需要进行选择。

可选的，第一滤波电路200为声表面波滤波器(英文：surfaceacousticwave，简称：saw)，该saw在电路结构上具体有梯形结构、t型结构和π型结构。通常来讲，在具体的电路中，将多个saw进行级联以达到滤波的目的。

可选的，所述开关电路300可以为多路选择开关，所述开关电路300具有收发射频信号的功能，即该开关电路300可以同时收发多个射频信号，这里我们只讨论接收单路天线电路的射频信号。

可见，采用本申请的信号处理电路，在混频电路和功率放大电路之间串联第二滤波电路，该第二滤波电路为低截止频率滤波电路，滤除混频电路输出的射频信号的低频噪声，提高了功率放大电路的输入信号的信噪比，提高了接收信号的信号质量。而且，设置第二滤波电路提高了adc的处理增益，提高了接收机的灵敏度。

参阅图2，图2为本申请实施例提供的一种梯形结构的声表面滤波电路200。如图2所示，该声表面滤波电路包括：第一滤波器件201、第二滤波器件202、第三滤波器件203和第四滤波器件204。其中，所述第一滤波器件201包括电容c21和第一电感l21，该电容c21和第一电感l21串联，所述第二滤波器件202为电容c22，所述第一滤波器件201与所述第二滤波器件202并联组成第一并联电路，所述第三滤波器件203包括电容c23和第一电感l22，该电容c23和第一电感l22串联，所述第四滤波器件为电容c24，所述第三滤波器件203和第四滤波器件204组成第二并联电路；所述第一并联电路的第一端x1与所述滤波电路200输入信号的第一端连接，所述第一并联电路的第二端x2与所述第二并联电路的第一端x3连接，所述第二并联电路的第二端x4与所述滤波电路20输入信号的第二端连接。

参阅图3，图3是本申请实施例提供的一种格形结构的声表面滤波电路20。其中，所述声表面滤波电路20由两个格型电路级联构成，所述表面滤波电路20包括：第一谐振器f1、第二谐振器f2、第三谐振器f3、第四谐振器f4、第五谐振器f5、第六谐振器f6、第七谐振器f7、第八谐振器f8、第九谐振器f9和第十谐振器f10；所述第一谐振器f1的第一端和第二谐振器f2的第一端均连接至y1点，且y1点为所述声表面滤波电路20的第一输入端，所述第三谐振器f3和第四谐振器f4的第一端均连接至y2点，且y2点为所述声表面滤波电路20的第二输入端，所述第一谐振器f1和第三谐振器f3的第二端均连接至y3点，所述第二谐振器f2和第四谐振器f4的第二端均连接至y4点，所述第五谐振器f5、第六谐振器f6和第七谐振器f7的第一端均与所述y3点连接，所述第五谐振器f5第二端、所述第八谐振器f8和所述第九谐振器f9的第一u端均与所述y4点连接，所述第六谐振器f6、第八谐振器f8和第十谐振器f10的一端均与y5点连接，所述第七谐振器f7、第九谐振器f9和第十谐振器f10的一端均与y6点连接，所述y5点和所述y6点之间的电压为输出电压vout。

可见，本申请实施例中的声表面波滤波电路为格型或者梯形结构，当射频信号传输至输入该滤波电路后，通过压电晶体的谐振产生了与输入信号相同频率的声表面波，声表面波沿压电基片表面进行传播，最后在输出端将该声表面波转换成电信号输出，在转换过程中，将输入信号中的有用成分保留，衰减和滤除无用的噪声信号，完整的保留射频信号的有效成分。而且声表面波的输入输出阻抗小、传输损耗小和抗电磁干扰性能好，能够在滤波的同时完整的保存射频信号，而且，该声表面滤波电路的可靠性高、体积小、重量轻。

可选的，所述开关电路300为多路选择开关，所述开关电路300包括4路发射信号处理电路和8路接收信号处理电路，其中，所述4路发射信号处理电路用于发射两个频段的射频信号，所述8路接收信号处理电路用于接收两个频段的射频信号。

可见，通过本申请中的开关电路，将多个开关电路集成到一个开关电路，提高电路的集成度，而且有效的减少了场效应管的数量，节约了制作成本。

参阅图4，图4是本申请实施例提供的一种低噪声放大电路400。如图4所示，所述低噪声放大电路400包括：第一电源vcc1、第二电源vcc2、第三电源vcc3、第一电感l1、第二电感l2、第三电感l3、第一场效应晶体管t1、第二场效应晶体管t1、第一电容c1、第二电容c2、第三电容c3、第四电容c4、第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3；

其中，所述低噪声放大电路300的信号输入端vin与所述第一电感l1的第一端连接，所述第一电感l1的第二端与所述第一电容c1的第一端连接，所述第一电容c1的第二端与所述第一电源vcc1连接以及与所述第一电阻r1的第一端连接，所述第一电阻r1的第二端与所述第一场效应晶体管t1的栅极连接，所述第一场效应晶体管t1的源极与所述第二电感l2的第一端连接，所述第二电感l2的第二端接地，所述第二电源vcc2与所述第二电容c2的第一端以及所述第二场效应晶体管t2的栅极连接，所述第二电容c2的第二端与所述第二电阻r2的第一端连接，所述第二电阻r2的第二端接地，所述第二场效应晶体管t2的源极与所述第一场效应晶体管t1的漏极连接，所述第二场效应晶体管t2的漏极与所述第三电阻r3的第一端以及所述第三电感l3的第一端连接，所述第三电阻r3的第二端与所述第三电容c3的第一端以及所述第四电容c4的第一端连接，所述第三电容c3的第二端以及所述第四电容c4的第二端与所述低噪声放大电路300的信号输出端vout连接，所述第三电感l3的第二端与所述第三电源vcc3连接。

可见，本申请的实施例中采用了双极工艺的低噪声放大电路，在放大接收的射频信号同时，减少噪声；与单极的低噪声放大电路相比，在相同的偏置电流的情况下，该低噪声放大电路有高增益带宽，可使adc在较小的功耗下获得较大的增益。而且，该低噪声放大电路中采用了电流采样电压求和式的负反馈，当外界温度变化引起静态工作电流变化时，负反馈方式可以抑制电流的增加，使该低噪声放大电路的静态工作点稳定。

参阅图5，图5是本申请实施例提供的一种混频电路400。所述混频电路包括：第四电源vcc4、第五电源vcc5、第四电感l4、第五电感l5、第六电感l6、第七电感l7、第三场效应晶体管t3、第四场效应晶体管t4、第五场效应晶体管t5、第六场效应晶体管t6、第七场效应晶体管t7、第八场效应晶体管t8、第九场效应晶体管t9、第十场效应晶体管t10、第五电容c5、第六电容c6、第七电容c7、第八电容c8、第九电容c9、第十电容c10、第四电阻r4和第五电阻r5；

所述第三场效应晶体管t3和所述第四场效应晶体管t4的栅极g均连接所述混频电路本振信号rfin的输入端，所述第三场效应晶体管t3和所述第四场效应晶体管t4的源极s均接地，所述第三场效应晶体管t3的漏极s与所述第五场效应晶体管t5和第六场效应晶体管t6的源极s连接，所述第四场效应晶体管t4的漏极d与所述第七场效应晶体管t7和第八场效应晶体管t8的源极s连接，所述第五场效应晶体管t5、第六场效应晶体管t6、第七场效应晶体管t7和第八场效应晶体管t8的栅极g均与所述混频电路500输入信号连接；

所述第五场效应晶体管t5和第七场效应晶体管t7的漏极d与所述第四电感l4的第一端连接，所述第四电感l4的第二端与所述第五电容c5、第七电容c7、第九电容c9、第四电阻r4、第五电感l5的第一端连接以及所述第九场效应晶体管t9的漏极d连接，所述第九场效应晶体管t9的源极s、所述第五电容c5的第二端以及所述第四电阻r4的第二端与所述第四电源vcc4连接，所述第七电容c7和所述第五电感l5的第二端接地，所述第九电容c9的第二端为所述混频电路500的信号输出端vout；

所述第六场效应晶体管t6和第八场效应晶体管t8的漏极s与所述第七电感l7的第一端连接，所述第七电感l7的第二端与所述第六电容c6、第八电容c8、第十电容c10、第五电阻r5、第六电感l6的第一端连接以及所述第十场效应晶体管t10的漏极d连接，所述第十场效应晶体管t10的源极s、所述第六电容c6的第二端以及所述第五电阻r5的第二端与所述第五电源vcc5连接，所述第八电容t8和所述第六电感l6的第二端接地，所述第十电容t10的第二端为所述混频电路500的信号输出端。

可以看出，在该混频电路的输出端并联电容与电感的级联网络，有效的提高了射频信号的信号质量，减少了噪声，提高了接收信号的质量。

参阅图6，图6为本申请实施例提供的一种第二滤波电路600。如图6所示，所述第二滤波电路600为抗混叠滤波电路，所述抗混叠滤波电路由多个rc低通滤波电路进行级联构成。所述第二滤波电路600包括：第八电感l8、第九电感l9、第六电阻r6、第七电阻r7、第八电阻r8、第九电阻r9、第十电阻r10、第十一电阻r11、第十一电容c11、第十二电容c12、第十三电容c13、第十四电容c14、第十五电容c15和第十六电容c16；

其中，所述第二滤波电路600输入信号vin的第一端、所述第二滤波电路600输出信号vin的第一端、所述第十一电容c11、第八电感l8、所述第六电阻r6和所述第七电阻r7之间串联，所述第二滤波电路600输入信号vin的第二端、所述第二滤波电路600输出信号vin的第二端、所述第十二电容c12、所述第九电感l9、所述第十电阻l10和所述第十一电阻l11之间串联，所述第二滤波电路600输入信号vin的第一端和所述输入信号vin的第二端之间的第八电阻r8和第九电阻r9串联，所述第六电阻r6和所述第十电阻r10输出端之间的十三电容c13和第十五电容c15串联，所述第七电阻r7和所述第十一电阻r11之间的第十四电容c14和第十六电容c16串联，所述第八电阻r8和第九电阻89之间、所述第十三电容c13和十五电容c15之间、所述第十四电容c14和第十六电容c16之间均接地。

可见，本申请实施例中的抗混叠滤波电路并联了多个电阻和电容，通过多层次滤波处理，滤除了射频信号频率之外的噪声，而且，通过多级并联电容电阻的方式提高抗混叠滤波的截止频率的精度，保留的射频信号的采样频率大于或等于两倍信号谱的最高频率，保证了采样时不会重叠采样，能够精准还原射频信号的原始信息，为adc提供精准的采样信号，提高了adc的增益，提高射频接收机的灵敏度。

参阅图7，图7是本申请实施例提供的一种保护电路700。如图7所示，所述保护电路700用于在天线遭受预设电压时为该信号处理电路提供保护，该保护电路700包括：电阻r81、电阻r82、电阻r83、电阻r84、电阻r85、电阻r86、第一稳压管d1、第二稳压管d2、第三稳压管d3、第四稳压管d4、第五稳压管d5、可控硅d6、电容c81、电容c82、电容c83、电感l81、电感l82、电感l83、电感l84、电感l85、电感l86、带阻滤波器709、静电检测单元712、泄放单元711、晶体管t81和第六电源vcc6；

所述第五电阻r81的第一端通过所述带阻滤波器709与所述天线电路701的输出端相连接，所述电阻r81的第二端与所述第一稳压管的阳极d1、电阻r82的第一端相连接，所述第一稳压管d1的阴极接地，所述电阻r82的第二端与所述第二稳压管d2的阳极连接，所述第二稳压管d2的阴极接地，所述电阻r83的第一端通过所述带阻滤波器709与所述天线电路701的输出端相连接，所述电阻r83的第二端与所述电阻r84的第一端、第四稳压管d4的阳极相连接，所述第四稳压管d4的阴极接地，所述电阻r84的第二端与所述第三稳压管d3的阳极相连接，所述第三稳压管d3的阴极接地，所述电感l81的第一端与所述天线电路701的输出端相连接，所述电感l81的第二端与所述第五稳压管d5的阳极相连接，所述第五稳压管d5的阴极与所述电阻r85的第一端，所述电阻r85的第二端与所述电感l82的第一端以及所述电阻r86的一端连接，所述电阻r86的第二端接地，所述电感l82的第二端与电所述容c81的第一端、电容c82的第一端、电感l83的第一端、晶体管t81的栅极连接，所述电容c81的第二端接地，所述电容c82的第二端和所述电感l83的第二端与所述mcu连接，晶体管t81的漏极与电感l84的第二端连接，电感l82的第一端与电源vcc6连接，所述晶体管t81的源极与所述可控硅d6的控制极连接，所述可控硅d6的阳极与所述电感l85的第二端相连接，所述电感l85的第一端与开关电路703连接，所述可控硅d6的阴极接地，所述mcu通过所述带阻滤波器709和所述静电检测单元712与所述第一滤波电路802的输出端相连接，所述mcu通过电容c83和所述电感l86组成的滤波电路与所述开关电路703相连接，所述mcu通过所述静电检测单元712、带阻滤波器709与开关电路703的输出端、低噪声放大电路704的输出端、混频电路705的输出端、第二滤波电路的输出端706、功率放大电路的输出端707和d/a转换电路连接，所述泄放单元711的第一端与所述信号处理电路相连接，所述泄放单元711的第二端接地，所述mcu与泄放单元711相连接。

上述保护电路700的工作原理为，在信号处理电路遇到高于预设电压时，所述预设电压为该信号处理电路能承受的最大电压，该预设电压由信号处理电路本身所决定，所述保护电路700中的d1的截止电压低于该预设电压，所述带阻滤波器709的带阻为信号处理电路所能处理的信号的频段，设置此带阻滤波器709用于防止信号处理电路的发射或接收信号从该支路流失，从而降低信号处理电路的性能，在信号处理电路中天线电路输出端的电压高于所述预设电压时，该所述预设电压使得d1、d2、d3、d4和d5导通，从而对该预设电压进行泄放，如对信号处理电路做出保护，通过将d1、d2和d3、d4并联设置，在信号处理电路遭受到强电流时能够提升信号处理电路对该电流的泄放效果，提供第一级防护，避免所述电阻r81、电阻r82、电阻r83、电阻r84、电阻r85、电阻r86上的功率过大，而出现高放能现象，从而损坏保护电路；

进一步地，可能前述泄放电路对电压未能完全泄放，有部分电流击穿第一滤波电路702，到达所述开关电路703，此处设置第二级防护，在所述d5导通后，mcu检测到晶体管t81的栅极处存在电压时，直接控制所述开关电路703完全断开(与所有的发射通路和接收通路均断开)，同时电压通过所述l82和c83构成的滤波网络后，为所述晶体管t81提供偏置电压，使得所述晶体管t81的导通，从而晶体管t81的源极为所述可控硅d6提供控制电压使得可控硅d6导通，对电流进行泄放，从而实现第二级防护；

mcu还可控制静电检测单元对信号处理电路中的静电进行检测，在该静电达到预设电压时，该预设电压为静电可放电电压，控制泄放单元对信号处理电路中的静电进行泄放，从而达到对信号处理电路的保护；

mcu还可通过电荷检测传感器对物联网终端所处的环境中的电荷进行检测，当检测到密集电荷时，可判断出该区域可能具有强电场或者将会出现雷击现象，则直接控制开关电路完全断开，能够一定程度避免在强电压进入电路后对开关电路后的元器件的存在损坏的可能性，从而达到对物联网终端进行保护的目的。

本申请的另一实施例中提供了一种芯片，该芯片包含如图1所描述的信号处理电路，还包含电源和处理器。请参阅图8，图8为本申请实施例提供了芯片的一种可能的结构示意图。如图8所示，芯片包括：电源电路801、处理器802和射频信号接收电路803。上述电源电路801其主要功能为给该芯片提供电源，上述处理器802例如可以是例如可以是中央处理器(centralprocessingunit，cpu)，通用处理器，数字信号处理器(digitalsignalprocessor，dsp)，专用集成电路(application-specificintegratedcircuit，asic)，现场可编程门阵列(fieldprogrammablegatearray，fpga)或者其他可编程逻辑器件、硬件部件或者其任意组合，射频信号接收电路803为上述实施例中所描述的任一电路。

本申请实施例的另一实施例提供了一种电路板，该电路板包括调制解调器、基带信号处理器和上述实施例中提供的芯片。请参阅图9，图9为本申请实施例提供了电路板的一种可能的结构示意图。如图9所示，该电路板包括：调制解调器110、信号处理器120、芯片130和总线140。调制解调器110、信号处理器120、芯片130通过总线140连接。调制解调器110主要用于处理无线信号经过芯片130处理后的基带信号，信号处理器120主要用于处理经过调制解调器110解调后的信号，芯片130主要用于对无线射频信号进行处理得到基带信号。

本申请的另一实施例中提供了一种物联网终端，该物联网终端包含上述电路板和壳体。

以上的具体实施方式，对本申请实施例的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本申请实施例的具体实施方式而已，并不用于限定本申请实施例的保护范围，凡在本申请实施例的技术方案的基础之上，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本申请实施例的保护范围之内。