MEMS传感器的制作方法

文档序号:16674432发布日期:2019-01-18 23:49阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种MEMS传感器,包括:衬底以及通过间隔部支撑在衬底上方的振膜,所述衬底、间隔部、振膜围成了真空腔;其中,振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与衬底之间的距离;检测结构,所述检测结构用于输出表征振膜变形的电信号;驱动装置,所述驱动装置被配置为:为振膜提供朝远离真空腔方向抵抗外界压力的力。

技术研发人员:邹泉波;冷群文
受保护的技术使用者:歌尔股份有限公司;北京航空航天大学青岛研究院
技术研发日:2018.10.09
技术公布日:2019.01.18
当前第2页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1