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MEMS传感器的制作方法
文档序号:16674432
发布日期:2019-01-18 23:49
阅读:
来源:国知局
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MEMS传感器的制作方法
技术特征:
技术总结
本发明公开了一种MEMS传感器,包括:衬底以及通过间隔部支撑在衬底上方的振膜,所述衬底、间隔部、振膜围成了真空腔;其中,振膜在大气压力下的静态偏转距离小于振膜与衬底之间的距离;检测结构,所述检测结构用于输出表征振膜变形的电信号;驱动装置,所述驱动装置被配置为:为振膜提供朝远离真空腔方向抵抗外界压力的力。
技术研发人员:
邹泉波;冷群文
受保护的技术使用者:
歌尔股份有限公司;北京航空航天大学青岛研究院
技术研发日:
2018.10.09
技术公布日:
2019.01.18
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