一种反射式立体拍摄装置的制作方法

文档序号:17413536发布日期:2019-04-16 22:54阅读:125来源:国知局
一种反射式立体拍摄装置的制作方法

本实用新型涉及手机立体拍摄技术领域,尤其涉及一种反射式立体拍摄装置。



背景技术:

立体摄影是指表现景物三维空间的一种摄影方法。通过摄制两幅不同视点的影像,各由相应眼睛观看,以模拟三维效果。

随着智能手机的不断普及,人们对手机拍摄的效果要求越来越高,而智能手机因空间、硬件条件等的限制,无法实现立体摄影。

为了能实现手机的立体摄影,出现了反射式立体照片拍摄镜,但现有的立体拍摄镜存在相机与镜头间接口复杂、不灵活的问题,例如专利号为CN87207514U的专利,随着科学技术的进步越来越多的改进方案逐渐出现,但现有的改进方案仍然存在着镜头定位难度大、画面中间模糊条太宽等问题,无法为广大用户所认可。



技术实现要素:

本实用新型的目的:为了减小画面中间模糊条宽度、镜头定位难度大、使用很不方便等问题,本实用新型提出一种反射式立体拍摄装置。

为了达到上述目的,本实用新型的技术方案如下:

一种反射式立体拍摄装置,包括安装架、光路反射模组、光路调节装置、手机壳,所述光路反射模组、光路调节装置均设在安装架上,其特征在于:

所述安装架的前侧面上安装有若干个禁锢磁铁;

所述光路反射模组包括左外侧反光镜、右外侧反光镜以及一V字形的内侧镜,所述内侧镜是由前表面反射镜制成的镜片;

所述光路调节装置用于调节左、右外侧反光镜的角度,该光路调节装置包括设在安装架两侧的调节旋钮、对称固定在安装架内部的转动轴,所述转动轴上套接有转动体,该转动体连接反光镜,所述转动轴上安装有弹簧,所述弹簧与调节旋钮共同作用于转动体,形成一对反向的力矩,使得左、右反光镜绕轴转动,进而实现光路调节。

作为一种改进:所述手机壳内设有吸附片,所述手机壳可通过吸附片与禁锢磁铁相吸。

作为一种改进:所述吸附片为磁片或铁片。

本实用新型的有益效果:

1.减小了画面中间模糊条宽度;

2.手机安装方便,镜头定位容易;

3.左右反光镜角度可调节,能实现对不同距离物体的拍摄。

附图说明

图1为反射式立体拍摄装置部分剖面示意图;

图2为反射式立体拍摄装置整体剖面示意图;

图3为反射式立体拍摄装置后视图;

其中:1、安装架;2、禁锢磁铁;3、手机壳;4、光路反射模组;41、五边形立柱;42、右外侧反光镜43、左外侧反光镜;44、V字形内侧镜;5、光路调节装置;51、调节旋钮;52、转动轴;53、转动体;54、弹簧;6、圆孔;7、环形凸起。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

如图1所示,一种反射式立体拍摄装置,包括安装架1、光路反射模组4、光路调节装置5、手机壳3,光路反射模组4、光路调节装置5均设在安装架1上,

安装架1的前侧面上安装有若干个禁锢磁铁2;

安装架1的前侧面上开设有一圆孔6,手机壳3内设有铁片,手机壳3上对应手机镜头的位置加装有一环形凸起7,环形凸起7的直径小于圆孔6直径。

如图2所示,在手机壳3上安装吸附片可与安装架1侧面上的禁锢磁铁2相吸,吸附片为磁片或铁片,保证了拍摄过程中的稳定性,环形凸起7可与圆孔6相配合,进而确定了本立体拍摄装置与手机摄像头之间的位置关系,使得手机安装方便,镜头定位容易。

光路反射模组4包括左外侧反光镜43、右外侧反光镜42以及一V字形的内侧镜44,内侧镜是由前表面反射镜制成的镜片,光路反射模组4还包括固定在安装架1中心的五边形立柱41,左外侧反光镜43、右外侧反光镜42设于五边形立柱41两侧,五边形立柱41的一棱与圆孔6的位置相对应,与该棱相邻的两个侧面上安装有一V字形的内侧镜44,内侧镜是由前表面反射镜制成的镜片,例如不锈钢镜面或亚克力镜面,左、右外侧反光镜分别与V形反光镜片44相对应设置。

V字形的内侧镜44选用前表面反射镜制成,便于“V”尖处打磨衔接,从而大大减小了画面中间模糊条宽度。

光路调节装置5用于调节左、右外侧反光镜42的角度,该光路调节装置5包括设在安装架1两侧的调节旋钮51、对称固定在安装架1内部的转动轴52,转动轴52上套接有转动体53,该转动体53连接反光镜,转动轴52上安装有弹簧54,弹簧54的一端抵触在转动体53上,另外一端抵触安装架1,在本实施例中,调节旋钮51为一螺柱,弹簧54与调节旋钮51共同作用于转动体53,形成一对反向的力矩,使得左、右反光镜绕轴转动,进而实现光路调节,以满足不同距离物体的拍摄。

最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解;依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本实用新型技术方案的精神,其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。

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