1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
衬底，具有空腔；
压电复合振动层，形成在所述空腔的正上方，其中，在所述压电复合振动层的整个表面上分布有贯穿所述压电复合振动层的多个通孔。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述压电复合振动层包括：
振动支撑层，形成在所述衬底上方；
第一电极层，形成在所述振动支撑层上方；
第一压电层，形成在所述第一电极层上方；
第二电极层，形成在所述第一压电层上方。
3.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，连接所述多个通孔所构成的分割直线经过所述压电复合振动层的中心点，并且将所述压电复合振动层分割成多个区域。
4.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，至少一条所述分割直线上的所述多个通孔设置为等间距。
5.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个通孔的形状包括圆形、椭圆形、多边形、花瓣形。
6.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个通孔连续贯穿所述第二电极层、所述第一压电层、所述第一电极层和所述振动支撑层。
7.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，第二凹槽从所述第二电极层的上表面延伸至所述第一电极层的下表面，并且所述多个通孔形成在所述第二凹槽内，使得所述多个通孔仅贯穿所述振动支撑层。
8.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层具有至少两个相互隔离的分区，相互对应的所述第一电极层和所述第二电极层的分区构成电极层对，多个所述电极层对依次串联。
9.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述振动支撑层包括氮化硅、氧化硅、单晶硅、多晶硅构成的单层或者多层复合膜结构。
10.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述振动支撑层包括压电材料层及位于所述压电材料层的上下方的电极材料层，其中，所述压电材料层包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅或钙钛矿型压电膜中的一层或多层。
11.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，所述衬底还具有邻近所述空腔设置的第一凹槽，所述第一凹槽在所述空腔的外围，并且所述压电复合振动层位于所述第一凹槽中间，其中，位于所述第一凹槽与所述空腔之间的部分的所述衬底支撑所述压电复合振动层。