1.一种传感器元件，其包括：
比较单元，将预定的检测信号与预定的参考信号进行比较；
频带限制单元，其通过使根据所述比较单元的比较结果而变化的信号的频带变窄来执行频带限制；以及
放大单元，其放大并输出经由所述频带限制单元限制频带的信号。
2.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，
所述放大单元包括正反馈电路，所述正反馈电路将输出的一部分反馈并添加至输入。
3.根据权利要求1所述的传感器元件，还包括用于检测预定的物理量的物理量检测单元，其中，
指示所述物理量检测单元的检测量的检测信号被输入到所述比较单元的一个输入端子，并且
所述参考信号被输入至所述比较单元的另一个输入端子，所述参考信号是电平随时间单调递减的斜坡信号。
4.根据权利要求1所述的传感器元件，还包括
阵列单元，至少具有所述比较单元、所述频带限制单元和所述放大单元的比较器电路以二维阵列布置在所述阵列单元中。
5.根据权利要求3所述的传感器元件，其中，
所述物理量检测单元和至少具有所述比较单元、所述频带限制单元和所述放大单元的比较器电路一维地布置，并且所述物理量检测单元和所述比较器电路以线性的方式检测所述物理量。
6.根据权利要求3所述的传感器元件，其中，
所述物理量检测单元和至少具有所述比较单元、所述频带限制单元和所述放大单元的比较器电路二维地布置，并且所述物理量检测单元和所述比较器电路以平面的方式检测所述物理量。
7.根据权利要求1所述的传感器元件，还包括像素，所述像素设置有：
像素电路，其至少具有将光光电转换为电荷并累积所述电荷的光电转换单元和将在所述光电转换单元中产生的所述电荷转换为电压的电荷电压转换单元；以及
比较器电路，其至少具有所述比较单元、所述频带限制单元和所述放大单元，其中，
所述比较单元将从所述像素电路输出的像素信号与所述预定的参考信号进行比较。
8.根据权利要求7所述的传感器元件，还包括电荷传输单元，所述电荷传输单元在预定的时序将电荷从所述光电转换单元传输到所述电荷电压转换单元。
9.根据权利要求8所述的传感器元件，其中，
所述像素电路具有预定数量的所述光电转换单元和预定数量的所述电荷传输单元，并且
所述传感器元件具有共享结构，其中，所述电荷电压转换单元被预定数量的所述光电转换单元共享。
10.根据权利要求8所述的传感器元件，其中，
所述传感器元件具有共享结构，其中一个所述光电转换单元由多个所述像素共享。
11.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，
所述频带限制单元根据电路的容量限制频带。
12.根据权利要求1所述的传感器元件，其中，
所述频带限制单元通过晶体管的输出电阻限制频带。
13.一种包括传感器元件的电子器件，所述传感器元件具有：
比较单元，将预定的检测信号与预定的参考信号进行比较；
频带限制单元，其通过使根据所述比较单元的比较结果而变化的信号的频带变窄来执行频带限制；以及
放大单元，其放大并输出经由所述频带限制单元限制频带的信号。