具有局部透气散热结构的音膜的制作方法

[0001]
本实用新型涉及一种音膜，尤其涉及一种具有局部透气散热结构的音膜。


背景技术：

[0002]
常规的音膜在磁场内持续振动过程当中，由于磁场空间内部热量会持续上升，且热量却无法有效的分散出。当局部温度积累到一定程度时，音膜因受高温的影响，从而导致音膜的钢性或弹性有所变化，使音膜无法支撑加速度上的运动，进而产生偏振现象。


技术实现要素：

[0003]
为此，本实用新型的目的在于提供一种具有局部透气散热结构的音膜，以解决传统音膜热量难以有效分散，从而产生偏振现象的问题。
[0004]
一种具有局部透气散热结构的音膜，其包括音膜本体及防水透气膜，所述音膜本体包括自内向外依次设置的球顶、折环及悬边，所述球顶与折环之间形成有一环形凹槽，该环形凹槽的底面上设置有镂空孔，所述防水透气膜贴合并遮挡于镂空孔上。
[0005]
进一步地，还包括中贴，所述中贴设置于球顶的顶面上。
[0006]
进一步地，所述防水透气膜贴合于音膜本体的顶面上，该防水透气膜的外侧端延伸于折环顶面上，防水透气膜的内侧端延伸于球顶顶面上。
[0007]
进一步地，所述防水透气膜贴合于音膜本体的底面上，该防水透气膜尺寸大于镂空孔。
[0008]
进一步地，所述环形凹槽底面上设置有多个镂空孔，所述防水透气膜为片状设置，每一防水透气膜对应贴合于一镂空孔。
[0009]
进一步地，所述环形凹槽的底面上设置有多个镂空孔；所述防水透气膜呈环形设置，该防水透气膜盖合于所有镂空孔上。
[0010]
进一步地，所述球顶与折环呈间隔设置，所述镂空孔及防水透气膜均呈环形设置，所述防水透气膜连接于球顶及折环并盖合于该环形镂空孔上。
[0011]
综上所述，本实用新型通过在音膜上局部使用镂空孔及防水透气膜，防水透气膜不仅可巩固局部镂空的强度，且可提高音膜的散热能力，同时还能兼顾到防尘作用；实用性强，具有较强的推广意义。
附图说明
[0012]
图1为本实用新型具有局部透气散热结构的音膜第一实施例的结构示意图；
[0013]
图2为图1中音膜的背面结构示意图；
[0014]
图3为图2中音膜的剖面示意图；
[0015]
图4为图3中的a的放大结构示意图；
[0016]
图5为本实用新型具有局部透气散热结构的音膜第二实施例的结构示意图；
[0017]
图6为图5中音膜的剖面示意图；
[0018]
图7为图6中b的放大结构示意图。
具体实施方式
[0019]
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。
[0020]
如图1至图4所示，本实用新型提供一种具有局部透气散热结构的音膜，所述具有局部透气散热结构的音膜包括音膜本体、中贴20及防水透气膜30，所述音膜本体包括自内向外依次设置的球顶11、折环12及悬边13，所述中贴20设置于球顶11上，防水透气膜30设置于球顶11与折环12之间。
[0021]
所述球顶11与折环12之间形成有一环形凹槽14，该环形凹槽14的槽底上设置有多个镂空孔15。所述防水透气膜30呈环形设置，该防水透气膜30贴合于环形凹槽14背面的音膜本体上，且该防水透气膜30盖合于镂空孔15上。此外，所述防水透气膜30的宽度要大于镂空孔15的宽度，从而可确保其能将镂空孔15完全覆盖住。可以理解地，所述防水透气膜30也可以设置为独立的片状，每一防水透气膜30对应贴合于一镂空孔15。
[0022]
如图5至图7所示，其为本实用新型提供的第二实施例，本实施例与第一实施例的结构基本相同，也包括有球顶11a、折环12a、悬边13a及防水透气膜30a。其不同之处在于：所述球顶11a与折环12a为间隔设置，球顶11a与折环12a之间形成一环形镂空孔15a。所述防水透气膜30a呈环形设置，该防水透气膜30a盖合于镂空孔15a上，且防水透气膜30a在其横截面方向的两侧分别贴合于球顶11a、折环12a的顶面上；从而可确保防水透气膜30a能完全将环形镂空孔15a遮挡住。
[0023]
可以理解地，所述球顶11a与折环12a也可为设置有一环形凹槽14a，所述环形凹槽14a的槽底设有多个镂空孔15a，所述防水透气膜30a贴合于环形凹槽14a的顶面上，且防水透气膜30a在其横截面的两侧分别延伸贴合于球顶11a及折环12a的顶面上。在本实施例中，所述防水透气膜30a也可以为片状设置，每一镂空孔15a上对应贴合一防水透气膜30a。
[0024]
综上所述，本实用新型通过在音膜上局部使用镂空孔15及防水透气膜30，防水透气膜30不仅可巩固局部镂空的强度，且可提高音膜的散热能力，同时还能兼顾到防尘作用；实用性强，具有较强的推广意义。
[0025]
以上所述实施例仅表达了本实用新型的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围，因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。