MEMS麦克风的制作方法

本实用新型涉及麦克风技术领域，特别涉及一种mems麦克风。

背景技术：

mems(微型机电系统)麦克风是基于mems技术制造的麦克风，能够应用到电子设备中作为声电转换装置。mems麦克风的壳体包括基板和封盖，该封盖的下周缘和基板之间连接的位置形成有焊接部，在对该焊接部进行焊接的过程中，高温熔融的焊料容易迸溅到封装在壳体内的芯片装置上(如mems麦克风或者asic芯片)，芯片装置极容易被这些熔融韩料烧坏而发生失效，进而导致mems麦克风的产品优良率降低。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的是提出一种mems麦克风，旨在减少制造过程中焊料迸溅到mems麦克风的芯片装置的情况出现，以避免芯片装置受到损坏。

为实现上述目的，本实用新型提出一种mems麦克风，所述mems麦克风包括壳体、芯片装置及阻挡件；其中，所述壳体包括具有声孔的基板及设置在所述基板上的封盖，所述封盖的下周缘与所述基板连接的位置形成有焊接部；所述芯片装置设置在所述基板的与所述声孔对应的位置上；所述阻挡件设置在所述基板的内表面，且所述阻挡件位于所述芯片装置和所述封盖的焊接部之间。

可选地，所述阻挡件呈环形设置，并环绕在所述芯片装置的外周，以使所述阻挡件包围所述芯片装置。

可选地，所述阻挡件具有面向所述封盖侧壁的外环面，所述阻挡件的外环面与所述封盖的侧壁之间呈间隔设置。

可选地，所述阻挡件的外环面与所述封盖的侧壁之间间隔形成有第一间距，所述第一间距的范围为0.1mm～0.5mm。

可选地，所述阻挡件具有面向所述芯片装置的内环面，所述阻挡件的内环面与所述芯片装置之间呈间隔设置。

可选地，所述阻挡件的内环面与所述芯片装置之间间隔形成有第二间距，所述第二间距的范围为0.2mm～1.0mm。

可选地，所述阻挡件自所述基板的内表面凸设的高度，大于所述芯片装置所处在的高度。

可选地，所述阻挡件自所述基板的内表面凸设的高度，小于或等于所述基板的内表面和所述封盖的顶壁之间的高度。

可选地，所述芯片装置包括mems麦克风芯片，所述mems麦克风芯片设置在所述基板的与所述声孔对应的位置。

可选地，所述芯片装置还包括asic芯片，所述asic芯片位于所述mems麦克风芯片的一侧，并与所述mems麦克风芯片电性连接。

本实用新型的技术方案，通过在基板的内表面设置阻挡件，该阻挡件位于芯片装置和封盖的焊接部之间，以利用该阻挡件将芯片装置和封盖的焊接部间隔分开，从而当对封盖和基本进行焊接连接的过程中，在焊接部电焊迸溅出的高温熔融焊料，将受到阻挡件的阻挡而难以越过阻挡件，进而不易落在芯片装置上，有效减少了焊料迸溅到芯片装置上的情况出现，以避免芯片装置受到损坏。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型mems麦克风一实施例的结构示意图；

图2为本实用新型mems麦克风再一实施例的结构示意图。

附图标号说明：

本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

请参阅图1，本实用新型提供一种mems麦克风的实施例，所述mems麦克风可以应用在手机、平板、笔记本电脑、传感器等电子设备中。在所述mems麦克风的一实施例中，所述mems麦克风包括壳体100、芯片装置200及阻挡件300。其中，壳体100包括具有声孔111的基板110及设置在基板110上的封盖120，封盖120的下周缘与基板110连接的位置形成有焊接部121；芯片装置200设置在基板110的与声孔111对应的位置上；阻挡件300设置在基板110的内表面，且阻挡件300位于芯片装置200和封盖120的焊接部121之间。

具体说来，壳体100的基板110为pcb板；壳体100的封盖120罩盖在基板110上，且封盖120的下周缘与基板110焊接连接，以与基板110围合形成一封装空腔。芯片装置200封装在该封装空腔内。该芯片装置200包括mems麦克风芯片210和asic芯片220；其中，mems麦克风芯片210设置在基板110的与声孔111对应的位置，mems麦克风芯片210用于感应声压并将声压转变呈电信号；asic芯片220位于mems麦克风芯片210的一侧，并与mems麦克风芯片210电性连接，用于处理电信号。

在制造mems麦克风的过程中，先将芯片装置200安装到基板110上，然后再将封盖120罩盖到基板110上，并对封盖120的下周缘和基板110进行焊接连接，以将芯片装置200封装于其中。在焊接过程中，高温熔融的焊料可能会向内迸溅到芯片装置200上。对于mems麦克风芯片210而言，mems麦克风芯片210具有振膜，该振膜较为敏感，若该振膜被溅到高温熔融的焊料，容易损坏振膜而影响振膜震动。再者，mems麦克风芯片210和asic芯片220及基板110之间，通过金丝导线电性连接，若该金丝导线被溅到高温熔融的焊料，极容易发生断裂，从而导致芯片装置200失效。

鉴于此，通过在基板110的内表面设置阻挡件300，该阻挡件300位于芯片装置200和封盖120的焊接部121之间，以将芯片装置200和封盖120的焊接部121间隔分开，从而当对封盖120和基本进行焊接连接的过程中，在焊接部121电焊迸溅出的高温熔融焊料，将受到阻挡件300的阻挡而难以越过阻挡件300，进而不易落在芯片装置200上，保护芯片装置200不受到破坏。

对于阻挡件300具体结构，阻挡件300可以是环形挡板或者环形凸台。对于阻挡件300的形成方式，阻挡件300可以与基板110一体成型。或者，在其他实施例中，阻挡件300单独成型，并在安装芯片装置200之前，预先粘接或焊接固定到基板110上，这样阻挡件300的粘接或焊接材料也不会影响到芯片装置200。

本实用新型的技术方案，通过在基板110的内表面设置阻挡件300，该阻挡件300位于芯片装置200和封盖120的焊接部121之间，以利用该阻挡件300将芯片装置200和封盖120的焊接部121间隔分开，从而当对封盖120和基本进行焊接连接的过程中，在焊接部121电焊迸溅出的高温熔融焊料，将受到阻挡件300的阻挡而难以越过阻挡件300，进而不易落在芯片装置200上，有效减少了焊料迸溅到芯片装置200上的情况出现，以避免芯片装置200受到损坏。

请参阅图1，在一实施例中，阻挡件300呈环形设置，并环绕在芯片装置200的外周，以使阻挡件300包围芯片装置200。具体说来，阻挡件300为呈环形设置的挡板，阻挡件300沿芯片装置200的外周环绕一整圈，从而有效将芯片装置200围护于其中，有效将芯片装置200与封盖120周缘的焊接部121分隔开，大大减少焊料迸溅到芯片装置200上的情况出现。

请参阅图2，h1表示为阻挡件300自基板110的内表面凸设的高度；h2表示芯片装置200所处在的高度。在此可选地，阻挡件300自基板110的内表面凸设的高度，大于或等于芯片装置200所处在的高度，也就是说，h1≥h2。这样设计，可以确保阻挡件300可以拦截更多的向芯片装置200迸溅的焊料，这些迸溅的焊料难以向上越过阻挡件300，进而不易迸溅到芯片装置200上，大大增强阻挡件300阻挡迸溅焊料的效果。

当然，阻挡件300自基板110的内表面凸设的高度也不是越大越好，如果阻挡件300的高度过大，则容易抵顶到封盖120的顶壁，从而干涉到封盖120的安装。故可选地，阻挡件300自基板110的内表面凸设的高度，小于或等于基板110的内表面和封盖120的顶壁之间的高度。在图2中，h3表示为基板110的内表面和封盖120的顶壁之间的高度，则应当有h1≤h3。

请参阅图2，在一实施例中，在此考虑到，由于阻挡件300沿芯片装置200的外周环绕一整圈，那么在安装封盖120的过程中，阻挡件300可能会干涉到封盖120的周缘，使得封盖120不易罩盖到基板110上。因此，在此为了解决该问题，可选地，阻挡件300具有面向封盖120的内壁面的外环面，阻挡件300的外环面与封盖120的侧壁之间呈间隔设置。也就是说，阻挡件300的外直径小于封盖120的内直径，从而在安装封盖120的过程中，封盖120罩盖在阻挡件300的外侧，并与阻挡件300的外环面间隔分开，两者不易发生干涉，有助于提高装配效率。

由于阻挡件300的外环面与封盖120的侧壁之间呈间隔设置，故在阻挡件300的外环面与封盖120的侧壁之间间隔形成有第一间距。如图2所示，图2中d1表示为第一间距。所述第一间距的大小可以根据mems麦克风的尺寸大小进行合理设计。

在此可选地，所述第一间距的范围为0.1mm～0.5mm，具体可以是但不局限于：0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm等。如果所述第一间距小于0.1mm，则第一间距过小，阻挡件300容易干涉到封盖120的安装；如果所述第一间距大于0.5mm，则第一间距过大，该第一间距占用较大的空间，进而增大mems麦克风的整体体积，不利于mems麦克风微型设计。因此，第一间距的范围宜保持在0.1mm～0.5mm。

请参阅图2，在一实施例中，又考虑到，制造mems麦克风时，通常是先在基板110上构造形成阻挡件300，然后再将芯片装置200安装到基本的对应阻挡件300的内侧的位置。因此，阻挡件300的大小容易影响到芯片装置200安装的难易程度。鉴于此，为降低芯片装置200安装于阻挡件300内侧的难度，可选地，阻挡件300具有面向芯片装置200的内环面，阻挡件300的内环面与芯片装置200之间呈间隔设置。

也就是说，阻挡件300的内直径小于芯片装置200整体环周的最大直径，从而在阻挡件300的内侧形成充足的供芯片装置200安装的空间，将芯片装置200安装于阻挡件300内侧的过程中，芯片装置200不易与阻挡件300发生干涉，有效降低安装难度。

由于阻挡件300的内环面与芯片装置200之间呈间隔设置，故在阻挡件300的内环面与芯片装置200之间间隔形成有第二间距。如图2所示，图2中d2表示为第二间距。所述第二间距的大小也可以根据mems麦克风的尺寸大小进行合理设计。

可选地，所述第二间距的范围为0.2mm～1.0mm，具体可以是但不局限于：0.2mm、0.4mm、0.5mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm等。如果所述第二间距小于0.1mm，则第二间距过小，阻挡件300容易干涉到芯片装置200的安装；如果所述第二间距大于1.0mm，则第二间距过大，该第二间距占用较大的空间，进而增大mems麦克风的整体体积，不利于mems麦克风微型设计。因此，第二间距的范围宜保持在0.2mm～1.0mm。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。