技术特征：
1.一种新型mems芯片结构，其特征在于，所述新型mems芯片结构包括：基体，所述基体设有安装面；麦克风组件，所述麦克风组件设于所述安装面；及惯性传感器，所述惯性传感器设于所述安装面，并与所述麦克风组件间隔设置。2.如权利要求1所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述基体设有贯通所述安装面的贯通孔；所述麦克风组件包括：振膜，所述振膜设于所述安装面，并与所述贯通孔对应；第一支撑部，所述第一支撑部设于所述振膜背向所述安装面的一侧；及背极，所述背极设于所述第一支撑部背向所述振膜的一侧，并与所述振膜相对设置，所述背极、所述第一支撑部及所述振膜围合形成连通所述贯通孔的背腔。3.如权利要求2所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述振膜开设有导通孔，所述导通孔连通所述背腔和所述贯通孔；且/或，所述背极开设有连通所述背腔的多个气孔，多个所述气孔呈间隔设置。4.如权利要求3所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述振膜设有两个导通孔；两个所述导通孔呈间隔设置；或，两个所述导通孔呈对称设置。5.如权利要求2所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述惯性传感器包括：第一电极，所述第一电极设于所述安装面，并与所述振膜间隔设置；第二支撑部，所述第二支撑部设于所述第一电极背向所述安装面的一侧；及第二电极，所述第二电极位于所述第二支撑部背向所述第一电极的一侧，并与所述第一电极相对设置，所述第二电极、所述第二支撑部及所述第一电极围合形成空腔，所述第二电极设有连通所述空腔的通孔。6.如权利要求5所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述第二电极包括多个惯性电极和多个固定电极，多个所述惯性电极和多个所述固定电极呈交替且间隔排布，相邻的所述惯性电极和所述固定电极之间形成所述通孔。7.如权利要求6所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述第二支撑部与所述第一支撑部连接；且/或，所述惯性电极呈梳齿结构；且/或，所述固定电极呈梳齿结构。8.如权利要求6所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述基体包括呈层叠设置的衬底和绝缘层，所述绝缘层背向所述衬底的一侧形成所述安装面，所述衬底的材质为单晶硅材料，所述绝缘层的材质为二氧化硅材料；且/或，所述背极、所述振膜、所述惯性电极和所述固定电极的材质为多晶硅材料；且/或，所述第一支撑部和所述第二支撑部的材质为二氧化硅材料。9.如权利要求1至8中任一项所述的新型mems芯片结构，其特征在于，所述麦克风组件与所述惯性传感器之间形成有间隙；所述新型mems芯片结构还包括隔离柱，所述隔离柱设于所述间隙内；或，所述新型mems芯片结构还包括隔离罩，所述隔离罩罩设于所述惯性传感器，并部分位于所述间隙内。10.一种电子设备，其特征在于，包括：设备壳体，所述设备壳体设有容腔；和
如权利要求1至9中任一项所述的新型mems芯片结构，所述新型mems芯片结构设于所述容腔内。