电子键控电话系统用的晶体管式开关装置的制作方法

文档序号:7563465阅读:175来源:国知局
专利名称:电子键控电话系统用的晶体管式开关装置的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种电子键控电话系统(EKTS)用的晶体管式开关装置。
长久以来,键控电话系统(KTS)为办公室和家庭通信提供不少方便。可惜的是KTS虽然电子化,但EKTS中仍沿用继电器、磁簧器件等机械开关。继电器阻值一般不大于1000Ω,消耗电流量大,增加电源电路的复杂性,成本高,而且容易造成传输信号失真,直接影响EKTS的可靠性。此外,继电器的成本不低,体积又大,不利于电路的集成化。
本实用新型的目的是提供一替代上述继电器的晶体管开关装置,以提高可靠性,减小电耗,降低成本,便于做成集成电路,促进EKTS批量生产。
本实用新型是这样实现的。
本实用新型由极电保护电路、开关电路、充电电路、启动/保持电路及通话等效电路组成。开关电路两只耐高压晶体管通过极性保护电路接于外线的两端可承受线路瞬间电涌和铃流电压的冲击;极性保护电路用来确保二极管D1的负端为正电压;充电电路由电阻、电容构成,电阻值大于10MΩ,平时48V的外线电压通过电阻向电容充电,为启动/保持电路提供电源;受中央处理单元(CPU)控制的启动/保持电路,其光耦合器和晶体管分别作为启动和保持之用。众所周知,EKTS系由带交换功能的电话机组成的内部通信系统,并包括话路单元和中央处理单元两大部分。本实用新型仅涉及话路部分的开关装置,而且采用公知的信号总线与中央处理单元连接。
本实用新型优点是采用晶体管作为开关装置,其耗电流是继电器的1%,信号失真小,成本低,便于集成化。
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。


图1是本实用新型方框图。
图2是本实用新型电路图。
附图编号为1-极性保护电路 D1、D2-二极管2-充电电路 R1、R2-电阻 C1-电容3-启动/保持电路 Q3-晶体管 PH-光耦合器 R4、R5-电阻4-通话等效电路 L1-电感 C2-电容5-开关电路 Q1、Q2-晶体管 R3-电阻实施例本实用新型由极性保护电路1、充电电路2、启动/保持电路3、通话等效电路4及开关电路5组成。极性保护电路是4只二极管构成的桥路,跨接于局线LA、LB上,而且二极管D1负端为正电位;开关电路5由晶体管Q1、Q2及电阻R3构成,Q1、Q2跨接在上述桥路的输出端,当Q1基极取用正偏压时,Q1、Q2导通,形成直流回路(LA→二极管→D1→Q1发射极、基极→Q2集电极、发射极→电阻R3→地→二极管D2→LB)也同时形成本系统的交流回路(LA→D1→Q1发射极、集电极→电感L1→电容C2→地→D2→LB),提供主要由L1和C2组成的通话等效电路;充电电路2由电阻R1、R2和电容C1构成,R1电阻值大于10MΩ。
启动/保持电路3由晶体管Q3、光耦合器PH、电阻R4、R5构成,作为启动用的光耦合器,其二极管端(PH-D)通过公知的信号总线接收公知EKTS中央处理单元的控制信号,当EKTS需要形成直流(或交流)回路时,就使(PH-D)导通,从而使触发PH中的晶体管(PH-Q)也导通,使电容C1平时由外线充存的正电压经R2→R4→PH-Q集电极→PH-Q发射极→晶体管Q2基极,进行放电,启动晶体管Q2、Q1,因为R1大于10MΩ,C1所充电压不大,上述放电电流很小,所以Q1、Q2并未完全导通,只是被启动,但Q1一启动,二极管D1负端的正电压就经由Q1发射极、集电极→L1→R5,加到晶体管Q3的发射极,Q3导通,而R5小于10MΩ,所以此时流经Q1电流很大,Q1、Q2完全导通,Q1、Q2具有耐150V以上高压的特性,因为局线会出现电涌和铃流。
权利要求1.一种应用于电子键控电话系统的晶体管式开关装置,由极性保护电路(1)、充电电路(2)、启动/保持电路(3)、通话等效电路(4)及开关电路(5)组成,其特征在于(a)极性保护电路(1)是4只二极管构成桥路,跨接于局线LA、LB上,而且二极管D1负端为正电位;(b)开关电路(5)由晶体管Q1、Q2及电阻R3构成,Q1、Q2跨接于上述桥路的输出端,当Q1基极取用正偏压时,Q1、Q2导通,形成直流回路(LA→二极管D1→Q1发射极、基极→Q2集电极、发射极→电阻R3→地→二极管D2→LB),也同时形成本系统的交流回路(LA→D1→Q1发射极、集电极→电感L1→电容C1→地→D2→LB);(c)充电电路(2)由电阻R1、R2和电容C1构成,R1电阻值大于10MΩ;(d)启动/保持电路(3)由晶体管Q3、光耦合器PH、电阻R4、R5构成,作为启动用的光耦合器,其二极管端(PH-D)通过公知的信号总线接收公知EKTS中央处理单元的控制信号,当EKTS需要形成直流(或交流)回路时,就使(PH-D)导通,从而触发PH中的晶体管(PH-D)也导通,使电容C1平时由外线充存的正电压经R2→R4→(PH-D)集电极→(PH-D)发射极→晶体管Q2基极,进行放电,启动晶体管Q2、Q1,此时Q1、Q2只是被启动,Q1一启动,二极管D1负端的正电压就经由Q1发射极、集电极→L1→R5,加到晶体管Q3的发射极,Q3导通,选R5小于10MΩ,此时Q1电流很大,Q1、Q2完全导通,Q1、Q2具有耐150V以上高压的特性。
专利摘要一种应用于电子键控电话系统的晶体管式开关装置,与继电器开关相比,具有耗电小、失真小,便于电路集成化等优点,本实用新型装置由极性保持电路1、充电电路2、启动/保持电路3、通话等效电路4及开关电路5组成,其特征在于用光耦合器作为启动开关电路5中耐高压晶体管,再通过另一晶体管组成的保持电路使耐压晶体管饱和,开关完全接通。
文档编号H04M1/00GK2160174SQ93225218
公开日1994年3月30日 申请日期1993年2月24日 优先权日1993年2月24日
发明者谢国河 申请人:谢国河
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