发声装置的制造方法

文档序号:8668771阅读:151来源:国知局
发声装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电声领域,尤其是涉及一种声学性能好的发声装置。
【背景技术】
[0002]随着消费类电子市场的扩大,大量手机、笔记本电脑等消费类电子产品得到广泛推广,发声装置作为消费类电子产品中重要的声学部件得到广泛应用。随着消费类电子产品品质追求的提高,发声装置的声学性能越来越受到人们的关注。因此,如何提高发声装置声学性能成为业界研宄的重点。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种声学性能好的发声装置。
[0004]为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
[0005]发声装置,包括辅助系统,收容于所述辅助系统的磁路系统及振动系统,所述振动系统包括固定结合的音圈及振膜,所述磁路系统包括中心磁铁及导磁件,所述中心磁铁远离所述振动系统一侧固定于所述导磁件上,所述磁路系统设置有磁间隙,所述音圈设置于所述磁间隙内,并且:所述导磁件对应所述磁间隙位置设置有贯通所述导磁件的出声孔。
[0006]作为一种优选方案:所述出声孔为多个,所述多个出声孔关于所述中心磁铁对称。
[0007]作为一种优选方案:所述出声孔正对所述音圈设置。
[0008]作为以上方案的优选,所述出声孔宽度与所述磁间隙宽度对应。
[0009]作为以上方案的优选,所述导磁件远离所述中心磁铁的外侧对应所述出声孔设置有凹陷。
[0010]作为进一步的优选,所述凹陷内设置有阻尼,所述阻尼覆盖所述出声孔。作为更进一步的优选,所述阻尼通过胶层与所述导磁件粘接固定。作为进一步的优选方案,所述阻尼外侧与所述导磁件外侧平齐。
[0011]作为优选的技术方案,所述磁路系统还包括边磁铁,所述边磁铁设置于所述中心磁铁的边缘位置,所述边磁铁与所述中心磁铁之间缝隙为磁间隙。
[0012]作为优选的技术方案,所述辅助系统包括外壳,所述发声装置为方形结构,所述外壳对应为方形结构,所述导磁件四角对应所述外壳设置有避让,所述导磁件四角与外壳配合形成泄声孔。
[0013]本实用新型发声装置,在导磁件对应磁间隙位置开设出声孔,可以在扩大磁路系统体积的情况下保证出声效果,充分利用磁间隙位置空间,增大磁路系统体积,提高发声装置的声学性能。
[0014]为了保证出声孔的出声平衡,进一步提高发声装置声学性能,出声孔为多个,多个出声孔设置于磁间隙的位置关于中心磁铁对称。出声孔宽度与磁间隙宽度对应,可以最大化声孔。出声孔设置于磁间隙对应音圈的下方,可以有效降低THD低频及奇次谐波失真尖峰,大幅度改善主观听音性能,改善音质。为了防止发声装置安装时出声孔被其他部件遮挡,导磁件远离中心磁铁的外侧对应出声孔位置设置有凹陷。为了防止灰尘杂物进入产品内部,凹陷内设置有阻尼,阻尼覆盖出声孔。为了提高阻尼与导磁件结合牢固程度,阻尼通过胶层与导磁件粘接固定。为了不增加发声装置厚度,便于发声装置薄型化设计,阻尼外侧与导磁件外侧平齐。当发声装置为方形结构时,方形结构的四个角部导磁件和外壳配合形成泄声孔,该四个泄声孔与设置于磁间隙位置的出声孔搭配,可以有效改善谐波失真,提高发声装置的声学性能。
[0015]综上,本实用新型发声装置具有声学性能好的优点。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型具体实施例的立体图;
[0017]图2为图1所示发声装置的分解图;
[0018]图3为图1A-A部分剖视图;
[0019]图4为图3中I部分放大图;
[0020]图5为图1所示发声装置磁路系统示意图;
[0021]图6为图1所示导磁件的立体图;
[0022]图7为图1所示发声装置部分结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]下面结合附图,详细说明本【实用新型内容】:
[0024]如图1及图2所示,本实用新型发声装置,包括辅助系统,振动系统及磁路系统,辅助系统包括前盖11及外壳12,前盖11与外壳12配合形成收容固定振动系统及磁路系统的腔体。振动系统包括固定结合为一体的复合层21,振膜22及音圈23 ;磁路系统包括导磁件33,固定于导磁件33中心位置的中心磁铁31a以及围绕中心磁铁31a设置的边磁铁32a ;中心磁铁31a与边磁铁32a均设置于导磁件33上,如图3及图5所示,中心磁铁31a与边磁铁32a之间设置有磁间隙3’,如图2所示,中心磁铁31a及边磁铁32a靠近振动系统一侧分别设置有中心华司31b及边华司32b,中心华司31b及边华司32b可以修正磁力线,提高磁间隙3’内的磁通量;音圈23设置于磁间隙3’内,音圈23与电连接件4电连接,音圈23通过电连接件4与外部电路电结合。本实用新型发声装置工作时,音圈23内的电流变化,设置于磁间隙3’内的音圈23受到洛仑兹力的作用而上下振动,带动振膜22振动发声。
[0025]如图3、图5、图6及图7所示,本实用新型发声装置,导磁件33对应磁间隙3’位置设置有贯通导磁件33a的出声孔7a。设置于磁间隙3’位置的出声孔7a可以在保证出声的前提下尽量增大磁路系统体积,充分利用磁间隙位置的空间,提高发声装置的声学性能。如图5至图7所示,本实施例的发声装置,设置于磁间隙3’的出声孔7a为两个,两个出声孔7a关于中心磁铁31a对称设置,对称设置的出声孔7a可以使中心磁铁31a两侧出声效果相同,提高发声装置声学性能。在实际应用过程中,可以增加出声孔7a的数量,但应保证多个出声孔7a关于中心磁铁31a对称,以保证中心磁铁31a两侧出声效果相同,保证发声装置声学性能。如图3所示,作为一种优选方案,本实施例的发声装置,出声孔7a正对音圈23设置,为了最大化出声孔7a,如图5所示,出声孔7a的宽度d与磁间隙3’的宽度d相同。本实用新型发声装置,导磁件7正对音圈位置设置有出声孔7a,可以降低THD低频及奇次谐波失真尖峰,大幅度改善主观听音性能,改善音质。当然,本实施方式仅为本实用新型发声装置的优选,本实用新型发声装置的保护范围以权利要求1为准。
[0026]结合图3及图6,本实施例的发声装置,导磁件33远离中心磁铁31a的外侧对应出声孔7a位置设置有凹陷33a,如图6所示,凹陷33a为从导磁件33边缘延伸至出声孔7a位置,可以保证导磁件33外侧与其他部件接触时出声孔7a与外部空间连通,避免出声孔7a被堵塞。如图3及图4所示,为了避免灰尘等杂物进入发声装置内部,凹陷33a内设置有阻尼6,阻尼6覆盖出声孔7a ;阻尼6为网布带孔结构,可以保证声音穿出并有效防尘。如图4所示,阻尼6与导磁件33之间通过胶体5粘接固定,以提高阻尼6与导磁件33结合的牢固程度。为了提高发声装置的薄型化设计,如图1及图3所示,阻尼6外侧与导磁件33除凹陷位置外的其他部位外侧平齐。
[0027]如图2及图5所示,本实施例的发声装置,磁路系统包括有边磁铁32a,在实际应用中,边磁铁32a个数可以为4块或者仅由导磁件33与中心磁铁31a构成,均不影响本实用新型发声装置优点体现。如图1及图7所示,本实施例的发声装置为方形结构,如图7所示,外壳12对应为方形结构,导磁件33的四角对应外壳设置有避让,导磁件33四个角与外壳12配合形成四个泄声孔7b,四个泄声孔7b与出声孔7a配合,可以有效改善发声装置的谐波失真,提高发声装置的声学性能。
[0028]综上可知,本实用新型发声装置具有声学性能好的优点。
[0029]以上仅为本实用新型实施案例而已,并不用于限制本实用新型,但凡本领域普通技术人员根据本实用新型所揭示内容所作的等效修饰或变化,皆应纳入权利要求书中记载的保护范围内。
【主权项】
1.发声装置,包括辅助系统,收容于所述辅助系统的磁路系统及振动系统,所述振动系统包括固定结合的音圈及振膜,所述磁路系统包括中心磁铁及导磁件,所述中心磁铁远离所述振动系统一侧固定于所述导磁件上,所述磁路系统设置有磁间隙,所述音圈设置于所述磁间隙内,其特征在于:所述导磁件对应所述磁间隙位置设置有贯通所述导磁件的出声孔。
2.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于:所述出声孔为多个,所述多个出声孔关于所述中心磁铁对称。
3.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于:所述出声孔正对所述音圈设置。
4.根据权利要求1至3任一权利要求所述的发声装置,其特征在于:所述出声孔宽度与所述磁间隙宽度对应。
5.根据权利要求1至3任一权利要求所述的发声装置,其特征在于:所述导磁件远离所述中心磁铁的外侧对应所述出声孔设置有凹陷。
6.根据权利要求5所述的发声装置,其特征在于:所述凹陷内设置有阻尼,所述阻尼覆盖所述出声孔。
7.根据权利要求6所述的发声装置,其特征在于:所述阻尼通过胶层与所述导磁件粘接固定。
8.根据权利要求6或7所述的发声装置,其特征在于:所述阻尼外侧与所述导磁件外侧平齐。
9.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于:所述磁路系统还包括边磁铁,所述边磁铁设置于所述中心磁铁的边缘位置,所述边磁铁与所述中心磁铁之间缝隙为磁间隙。
10.根据权利要求1所述的发声装置,其特征在于:所述辅助系统包括外壳,所述发声装置为方形结构,所述外壳对应为方形结构,所述导磁件四角对应所述外壳设置有避让,所述导磁件四角与外壳配合形成泄声孔。
【专利摘要】本实用新型公开了一种发声装置,包括辅助系统,收容于所述辅助系统的磁路系统及振动系统,所述振动系统包括结合为一体的音圈及振膜,所述磁路系统包括中心磁铁及导磁件,所述中心磁铁远离所述振动系统一侧固定于所述导磁件上,所述磁路系统设置有磁间隙,所述音圈设置于所述磁间隙内,并且:所述导磁件对应所述磁间隙位置设置有贯通所述导磁件的出声孔。本实用新型发声装置具有声学性能好的优点。
【IPC分类】H04R9-06
【公开号】CN204377129
【申请号】CN201420865988
【发明人】李军, 朱婷, 葛连山
【申请人】歌尔声学股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年12月31日
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