发光装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施方式设及发光装置。
【背景技术】
[0002] 使用了发光二极管化ED)的发光装置被广泛利用于室内用、室外用、定置用、移动 用等的显示装置、显示用灯、各种开关类、信号装置、一般照明等光学装置。作为使用了 LED 的发光装置中的适合于显示各种文字列、几何学的图形、花样等的显示装置、显示用灯等的 装置，已公知有在两张透明衬底间配置有多个L邸的透明发光装置。通过使用透明树脂制的 晓性衬底等作为透明衬底，对作为显示装置、显示用灯的发光装置的安装面的制约被减轻， 因此提高透明发光装置的便利性、可利用性。
[0003] 透明发光装置具有在例如具有第1导电电路层的第1透明绝缘衬底和具有第2导电 电路层的第2透明绝缘衬底之间配置多个L抓忍片而成的结构。L抓忍片具有在例如半导体 衬底的一个面上依次层叠第1半导体层、发光层W及第2半导体层而成的结构。在第2半导体 层上设置有第1电极，而且在半导体衬底的另一个面上设置有第2电极。第1电极W不妨碍来 自发光层的光的放射的方式且W面积比发光层的面积足够小的方式设置于第2半导体层 上。L邸忍片的第1电极与第1导电电路层电连接并且L邸忍片的第2电极与第2导电电路层电 连接。在第1透明绝缘衬底和第2透明绝缘衬底之间的空间中填充有具有电绝缘性、弯曲性 的透明绝缘树脂等。
[0004] L抓忍片的电极和导电电路层之间的电连接通过将例如第1透明绝缘衬底、L抓忍 片和第2透明绝缘衬底的层叠体热压接来进行。关于L邸忍片的电极和导电电路层之间的电 连接，提出了如下做法:通过使用导电性粘接剂、热烙粘接剂、或者通过使填充到衬底间的 透明绝缘树脂的厚度薄于Lm)忍片的厚度，从而将导电电路层按压于L邸忍片的电极。然而， W往的透明发光装置具有在弯曲时容易产生由Lm)忍片的光度降低、短路所导致的不点亮 等运样的难点。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1:日本特开平11-177147号公报 [000引专利文献2:日本特表2007-531321号公报
[0009] 专利文献3:日本特表2009-512977号公报
[0010] 专利文献4:日本特开2012-084855号公报
【发明内容】
[0011] 本发明所要解决的问题在于，提供一种通过抑制例如由弯曲时的Lm)忍片的光度 降低、短路所导致的不点亮等不良情况的产生从而提高了 Lm)忍片的点亮可靠性的发光装 置。
[0012] 实施方式的发光装置包含:第1透光性支承基体，其具有第1透光性绝缘体和设置 于第I透光性绝缘体的表面的第I导电电路层;第2透光性支承基体，其具有第2透光性绝缘 体和设置于第2透光性绝缘体的表面的第2导电电路层，第2导电电路层W与第1导电电路层 相对置的方式配置;发光二极管，其配置于第1透光性支承基体与第2透光性支承基体之间， 并且包含:衬底，其具有第1面和第2面;第1导电型的第1半导体层，其设置于衬底的第1面 上;第2导电型的第2半导体层，其设置于第1半导体层上;发光层，其设置于第1半导体层与 第2半导体层之间；第1电极，其W面积小于发光层的面积的方式设置于第2半导体层上，并 且与第1导电电路层电连接;第2电极，其设置于衬底的第2面上，并且与第2导电电路层电连 接；W及第3透光性绝缘体，其埋入第1透光性支承基体和第2透光性支承基体之间的空间。 在将衬底的第1面的面积设为Si、将发光层的面积设为S2、将从衬底的第1面到第1电极的表 面的距离设为邸寸，发光二极管具有满足1含Si/S2含-(3.46/H)+2.73的关系的形状。
【附图说明】
[0013] 图1是表示实施方式的发光装置的剖视图。
[0014] 图2是放大地表示图1所示的发光装置的一部分的剖视图。
[0015] 图3是放大地表示图1所示的发光装置中的发光二极管的配置部分的SEM像。
[0016] 图4是表示图1所示的发光装置中所使用的发光二极管的第1构成例的剖视图。
[0017] 图5是表示图1所示的发光装置中所使用的发光二极管的第2构成例的剖视图。
[0018] 图6A是表示图1所示的发光装置中所使用的发光二极管的制造工序中的发光部W 及电极的形成工序的剖视图。
[0019] 图6B是表示图1所示的发光装置中所使用的发光二极管的制造工序中的在发光部 形成元件分离槽的形成工序的剖视图。
[0020] 图6C是表示图1所示的发光装置中所使用的发光二极管的制造工序中的分割工序 的剖视图。
[0021] 图7是用于说明图1所示的发光装置中的第1导电电路层和发光二极管的衬底的露 出部分接触的不良情况的图。
[0022] 图8是表示从衬底的第1面到第1电极的表面的距离H的倒数（1/H)和衬底的第1面 的面积Sl与发光层的面积S2之比(S2/S1)之间的关系的图。
[0023] 图9A是表示实施方式的发光装置的制造工序中的第2透光性支承基体W及第2透 光性绝缘树脂片的准备工序的剖视图。
[0024] 图9B是表示实施方式的发光装置的制造工序中的发光二极管向第2透光性支承基 体上配置的配置工序的剖视图。
[0025] 图9C是表示实施方式的发光装置的制造工序中的第1透光性绝缘树脂片的配置工 序的剖视图。
[0026] 图9D是表示实施方式的发光装置的制造工序中的第1透光性支承基体的配置工序 的剖视图。
[0027] 图9E是表示实施方式的发光装置的制造工序中的热压接工序的剖视图。
[0028] 图10是表示实施方式的发光装置的应用例的图。
【具体实施方式】
[0029] 参照附图对实施方式的发光装置进行说明。图I是表示实施方式的发光装置的构 成的剖视图，图2是放大地表示图1所示的发光装置的一部分的剖视图。运些图所示的发光 装置1具备W预定的间隙相对置地配置的第1透光性支承基体2和第2透光性支承基体3。第1 透光性支承基体2包含第1透光性绝缘体4和形成于第1透光性绝缘体4的表面的第1导电电 路层5。第2透光性支承基体3具有第2透光性绝缘体6和形成于第2透光性绝缘体6的表面的 第2导电电路层7。第1透光性支承基体2和第2透光性支承基体3W与第1导电电路层5和第2 导电电路层7相对置的方式配置。在第1透光性支承基体2和第2透光性支承基体3之间的间 隙中配置有多个发光二极管8。
[0030] 透光性绝缘体4、6可使用例如具有绝缘性、透光性W及弯曲性的树脂材料。作为运 样的树脂材料，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋(PEN)、聚碳酸 醋(PC)、聚下二酸下二醇醋（PES)、环状締控树脂（例如JSR Corporation制的ARTON(商品 名））、丙締酸树脂等。优选透光性绝缘体4、6的总光透过率〇15 1(7105)为90%^上，而且， 更优选为95% W上。优选透光性绝缘体4、6的厚度在50~300WI1的范围内。若透光性绝缘体 4、 6的厚度过厚，则难W对透光性支承基体2、3赋予良好的弯曲性，另外，透光性也有可能降 低。若透光性绝缘体4、6的厚度过薄，则有可能无法充分地获得作为导电电路层5、7的形成 基材的特性等。
[0031] 在第1透光性绝缘体4的表面形成有第1导电电路层5。同样地，在第2透光性绝缘体 6的表面上形成有第2导电电路层7。导电电路层5、7可使用例如氧化铜锡(IT0)、氣渗杂氧化 锡(FT0)、氧化锋、氧化铜锋(IZO)等透明导电材料。作为由透明导电材料形成的导电电路层 5、 7,可列举出例如应用瓣射法、电子射束蒸锻法等形成薄膜、将所制得的薄膜通过激光加 工、蚀刻处理等进行布图来形成电路而成的导电电路层。导电电路层5、7也可W是通过丝网 印刷等将透明导电材料的微粒(例如平均粒径在10~IOOnm的范围内的微粒)和透明树脂粘 合剂的混合物涂敷成电路形状而成的导电电路层、将上述混合物的涂敷膜通过激光加工、 光刻法实施布图处理来形成电路而成的导电电路层。
[0032] 导电电路层5、7并不限于由透明导电材料形成的导电电路层，也可W是将金、银等 不透明导电材料的微粒形成为网孔状而成的导电电路层。例如，在涂敷了面化银那样的不 透明导电材料的感光性化合物之后，实施曝光、显影处理而形成网孔状的导电电路层5、7。 也可W通过丝网印刷等将含有不透明导电材料微粒的浆料涂敷成网孔状而形成导电电路 层5、7。导电电路层5、7只要是在形成于透光性绝缘体4、6的表面时呈现透光性、可获得透光 性支承基体2、3的导电电路层即可。优选导电电路层5、7具有下述运样的透光性:透光性支 承基体2、3的总光透过率(JIS K7105)为10%^上、而且作为发光装置1整体的总光透过率 为1% W上。若作为发光装置1整体的总光透过率小于1%，难W将发光点识别为亮点。导电 电路层5、7自身的透光性由于其构成的不同而不同，但优选总光透过率在10~85%的范围 内。
[0033] 在第1透光性支承基体2的具有第1导电电路层5的表面和第2透光性支承基体3的 具有第2导电电路层6的表面之间配置有多个发光二极管8。作为发光二极管，可使用通常具 有PN结的二极管忍片（W下记作Lm)忍片8)。发光二极管并不限于Lm)忍片8,也可W是激光 二极管(LD)忍片等。L邸忍片8包含例如半导体衬底9、设置于半导体衬底9的第1面(表面)上 的发光部10、设置于发光部10上的第1电极11W及设置于半导体衬底9的第2面(背面)的第2 电极12。构成Lm)忍片8的衬底并不限于半导体衬底9,只要是能够将电极11、12之间导通的 衬底即可。对于L邸忍片8的具体结构，随后进行详述。
[0034] 第1电极11通过与第1导电电路层5直接接触而被电连接。即，通过如后述那样将第 1导电电路层5按压于第1电极11，从而将第1导电电路层5与第1电极11电连接。同样地，第2 电极12通过与第2导电电路层7直接接触而被电连接。即，通过将第2导电电路层7按压于第2 电极12,从而将第2导电电路层7与第2电极12电连接。LED忍片8由于经由第1电极im及第2 电极12施加的直流电压而点亮。
[0035] 设置于Lm)忍片8的发光面(发