专利名称:一种节能双银low-e玻璃的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种节能双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于：在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有七个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层，第二层为AZO层，第三层为Ag层，第四层为AZO层，第五层为Ag层，第六层为AZO层，最外层为Si3N4层。本实用新型目的是克服了现有技术的不足，提供一种生产清洁周期长，生产过程中节约靶材的节能双银LOW-E玻璃。
【专利说明】一种节能双银LOW-E玻璃
【【技术领域】】
[0001]本实用新型涉及一种新型LOW-E玻璃。
【【背景技术】】
[0002]随着可钢化双银LOW-E玻璃的高速发展，普通的可钢化双银膜系Glass-Si3N4-ZnO-Ag-NiCr-ZnSnOx-ZnO-Ag-NiCrOx-Si3N4越来越多的不足暴露在生产中，由于中间层折射层是Zn与Sn的合金ZnSnOx，由于Zn、Sn不同的热膨胀系数，对挡板和真空室壁附着力比较弱，机构疏松，容易掉靶，生产周期较短，一般一个星期就要进行真空腔室内清洁处理。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型目的是克服了现有技术的不足，提供一种生产清洁周期长，生产过程中节约靶材的节能双银LOW-E玻璃。
[0004]本实用新型是通过以下技术方案实现的:
[0005]一种节能双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有七个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层21，第二层为AZO层22，第三层为Ag层23，第四层为AZO层24，第五层为Ag层25，第六层为AZO层26，最外层为Si3N4层27。
[0006]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Si3N4层21的厚度为 40 ?45nm。
[0007]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第二层AZO层22的厚度为12?17nm0
[0008]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层23的厚度为5?1nm0
[0009]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层AZO层24的厚度为80?10nm0
[0010]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层Ag层25的厚度为12?17nm0
[0011]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第六层AZO层26的厚度为12?17nm0
[0012]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述最外层Si3N4层27的厚度为40 ?45nm0
[0013]如上所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层AZO层24的厚度为90nmo
[0014]与现有技术相比，本实用新型有如下优点:
[0015]1、本实用新型提供一种新型膜系，采用新型陶瓷靶AZO替代了原膜系中的阻挡层以及中间折射层，不仅节约了靶位，而且克服了容易掉靶的缺点，生产清洁周期可以延长至三个星期。
[0016]2、本实用新型膜系共有3层AZO，全部用中频交流电源溅射的陶瓷靶。前后2层既作介质层又作阻挡层，不仅节约了靶位，还提高了玻璃的可见光透过率。采用上述膜系设计的可钢化双银LOW-E玻璃可以比现有阻挡层用NiCr中间层用ZnSnOx节约至少4个靶位，大大的降低了生产可钢化双银LOW-E的平台；中间的AZO不仅提高玻璃的可见光透过率，由于陶瓷靶比较干净，还大大的延长了每一轮的使用时间。
【【附图说明】
】
[0017]图1是本实用新型结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0018]下面结合附图对本实用新型进行详细阐述。
[0019]一种节能双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片I，其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有七个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层21，第二层为AZO层22，第三层为Ag层23，第四层为AZO层24，第五层为Ag层25，第六层为AZO层26，最外层为Si3N4层27。
[0020]所述第一膜层的Si3N4层21，即氮化硅层，为介质层。Si 3N4是一种非常坚硬的材料，提高膜层的物理性能和抗氧化性能，它确保了整个镀层具有良好的机械耐久性，设置在最内层作为保护玻璃的最后一道屏障。用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiiAl = 90:10，密度96%，提高膜层的物理性能和抗氧化性能。Si3N4层的厚度为40?45nm，优选 42nm，nm 是纳米，Im = 109nm。
[0021]所述第二层AZO层22，即铝掺杂的氧化锌层，AZO为介质层和阻挡层，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率。AZO层的厚度为12?17nm。优选15nm。
[0022]所述第三层Ag层23，即金属银层，金属银层提供了较低的辐射率，起环保节能的作用。Ag层的厚度为5?10nm，优选8nm。
[0023]所述第四层AZO层24，即铝掺杂的氧化锌层，AZO层24为中间折射层，用中频交流电源溅射陶瓷靶，提高玻璃的可见光透过率。AZO层的厚度为80?lOOnm。优选90nm。超厚的AZO层不仅提高玻璃的可见光透过率，由于陶瓷靶比较干净，还大大的延长了每一轮的使用时间。
[0024]所述第五层Ag层25，即金属银层，金属银层提供了较低的辐射率，起环保节能的作用。Ag层的厚度为12?17nm，优选15nm。
[0025]所述第六层AZO层26，即铝掺杂的氧化锌层，AZO为介质层和阻挡层，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率。AZO层的厚度为12?17nm，选优15nm。
[0026]所述最外层Si3N4层29，即氮化硅层；Si 3N4是一种非常坚硬的材料，提高膜层的物理性能和抗氧化性能，它确保了整个镀层具有良好的机械耐久性，设置在最外层作为保护整个膜层的第一道壁皇。用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料S1:Al =90:10，密度96%，提高膜层的物理性能和抗氧化性能。Si3N4层的厚度为40?45nm，优选42nm0
[0027]上述节能双银LOW-E玻璃的制备方法，包括如下步骤:
[0028](I)磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度96%。提高膜层的物理性能和抗氧化性能；
[0029](2)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率；
[0030](3)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射，降低辐射率；
[0031](4)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率；
[0032](5)磁控溅射Ag层，用交流电源溅射，降低辐射率；
[0033](6)磁控溅射AZO层，用交流中频电源溅射陶瓷钛靶，阻挡玻璃表面的Na+对功能层的破坏。平复银层，钢化过程中防止银层塌方，提高玻璃的折射率；
[0034](7)磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度96% ;提高膜层的物理性能和抗氧化性能。
[0035]磁控溅射Si3N4层，用交流中频电源、氮气作反应气体溅射半导体材料重量比S1:A1 = 85?98:2?15 ;此处得到的是Si3N4，而金属Al是用于增加原材料在磁控派射过程中的导电性能，金属Al并不参与反应，由于非金属半导体Si的导电性能极差，如不采用金属Al混合增加导电性能将无法顺利进行磁控溅射Si3N4层。
[0036]Low-E玻璃也称为低辐射镀膜玻璃。
[0037]本实用新型提供一种新型膜系，采用新型陶瓷靶AZO替代了原膜系中的阻挡层以及中间折射层，不仅节约了靶位，而且克服了容易掉靶的缺点，生产清洁周期可以延长至三个星期。
[0038]本实用新型膜系共有3层ΑΖ0，全部用中频交流电源溅射的陶瓷靶。前后2层既作介质层又作阻挡层，不仅节约了靶位，还提高了玻璃的可见光透过率。采用上述膜系设计的可钢化双银LOW-E玻璃可以比现有的阻挡层用NiCr中间层用ZnSnOx节约至少4个靶位，大大的降低了生产可钢化双银LOW-E的平台；中间的AZO不仅提高玻璃的可见光透过率，由于陶瓷靶比较干净，还大大的延长了每一轮的使用时间。
【权利要求】
1.一种节能双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(I)，其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有七个膜层，其中第一膜层即最内层为Si3N4层(21)，第二层为AZO层(22)，第三层为Ag层(23)，第四层为AZO层(24)，第五层为Ag层(25)，第六层为AZO层(26)，最外层为Si3N4层(27) ο2.根据权利要求1所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜层的Si3N4层(21)的厚度为40?45nm。3.根据权利要求1所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第二层AZO层(22)的厚度为12?17nm。4.根据权利要求1所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第三层Ag层(23)的厚度为5?10nm。5.根据权利要求1所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层AZO层(24)的厚度为80?lOOnm。6.根据权利要求1所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第五层Ag层(25)的厚度为12?17nm。7.根据权利要求1所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第六层AZO层(26)的厚度为12?17nm。8.根据权利要求1所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述最外层Si3N4层(27)的厚度为40?45nm。9.根据权利要求5所述的节能双银LOW-E玻璃，其特征在于所述第四层AZO层(24)的厚度为90nmo
【文档编号】B32B15-04GK204296147SQ201420660290
【发明者】范亚军, 梁健威 [申请人]中山市格兰特实业有限公司