专利名称：半导体启辉器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种属于半导体器件技术领域的半导体启辉器。
背景技术：
目前，现有的电感式镇流器日光灯所用的启辉器(跳泡)普通存在启辉速度慢、灯管闪烁、灯丝过热等缺点，这些缺点致使灯管寿命大大降低。此外由于启辉器内部结构决定了启辉器使用寿命也较低。
发明内容
本实用新型的目的就是为解决背景技术的不足而提供一种快速启辉的半导体启辉器。
本实用新型的目的是这样实现的它设有一个四层PnPn二极管和一个两层Pn二极管，四层PnPn二极管通过焊接层与两层Pn二极管连接。
本实用新型相比背景技术具有如下优点①启辉速度提高2-3倍；②灯管无闪烁、灯丝无过热现象，极大地提高了灯管的使用寿命；③半导体启辉器是无触点开关，使用寿命很长。
图1为本实用新型半导体结构原理图。
图2为本实用新型机械结构原理图。
图3为本实用新型使用电原理图。
具体实施方式
下面结构附图通过具体实施例对本实用新型做进一步详述如图1所示，四层二极管3通过焊接层1与二层二极管2连接，J1-J4为半导体Pn结，该结构二端设有两个引线端，阳极a和阴极c。具体工作原理如下半导体启辉器加正向电压时，即阳极a+，阴极c-时，J1结正向，J2结正向，J4结正向。当正向电压低于J3结反向击穿电压时，四层二极管3处于截止状态，半导体启辉器也处于截止状态，当正向电压高于J4结反向击穿电压时，J3结发生“雪崩”击穿，击穿电流流过J2结和J4结，而J2结和J4结是四层二极管3中的PnP三极管和nPn三极管的发射结，这样J3结的反向击穿电流经过两个三极管的放大并形成正反馈，使四层二极管3由截止状态进入导通状态，半导体启辉器也进入导通状态。当半导体启辉器加反向电压时，即阳极a-，阴极c+时，两层二极管2的J1结处于反向，由于J1结的反击穿电压高于外加电源电压，所以两层二极管2处于截止状态，半导体启辉器反向时也处于截止状态。这样半导体启辉器具有高压单向导通、低电压双向截止的开关特性。将半导体启辉器应用于电感式日光灯电路中，如图3所示，打开电源开关，日光灯D未启辉，电感镇流器L没有电流流过，电感镇流器L两端电压降为零，电源电压全部加在半导体启辉器T的两端。在交流电正半波时，当正半波电压高于J3结的反向击穿电压时，半导体启辉器T导通，灯丝有电流流过，灯丝预热，在交流电负半波时，半导体启辉器T截止关断，日光灯D启辉。如果灯丝温度未达到启辉温度，再重复下一个预热启辉周期。日光灯D启辉后，灯管两端压降降低，低于半导体启辉器T J2结的反向击穿电压，此时半导体启辉器T始终处于低压双向截止状态。因此日光灯灯丝预热电流是脉冲直流，而不是交流，对于电感式镇流器L而言，脉冲直流大于交流电流，所以灯丝预热电流大，预热时间缩短，对于50H的交流电而言，每0.02秒就有一次启辉机会，这样不但日光灯D启辉速度快，灯丝过热现象也避免了。半导体启辉器的机械结构如图2所示，在两层二极管2和四层二极管3外端焊有铜引线4，二极管外环面设有硅橡胶5，整个结构由塑料材料6封装。
权利要求1.一种半导体启辉器，其特征在于它设有一个四层PnPn二极管和一个两层Pn二极管，四层PnPn二极管通过焊接层与两层Pn二极管连接。
专利摘要本实用新型涉及一种属于半导体器件技术领域的半导体启辉器。它设有一个四层PnPn二极管和一个两层Pn二极管，四层PnPn二极管通过焊接层与两层Pn二极管连接。本实用新型具有高压单向导通、低压双向截止的开关特性，因此本实用新型启辉电流大(脉冲直流)，灯丝预热时间短，启辉快(交流50Hz每0.02秒启辉一次)，启辉速度提高2－3倍，本实用新型彻底解决了现有的电感式镇流器日光灯所用的启辉器普通存在启辉速度慢、灯管闪烁、灯丝过热、灯管寿命短等缺点，它是现有启辉器理想的换代产品。
文档编号H05B41/00GK2777897SQ200520089629
公开日2006年5月3日 申请日期2005年3月9日 优先权日2005年3月9日
发明者毛延友 申请人:毛延友