专利名称：一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置的制作方法
技术领域：
本发明属于多晶硅提纯或铸锭领域，特别涉及一种多晶硅提纯或铸锭炉 的硅液泄漏防护装置。
背景技术：
在真空熔炼提纯太阳能多晶硅或进行多晶硅铸锭时，由于各种原因，承 载硅料的蚶埚难免会发生破裂，而导致硅液泄漏，硅液一旦泄漏，会损坏支 撑坩埚的机构(通常是石墨)和炉体，严重的，会导致炉底被熔穿，而使炉 壁的冷却水与高温硅液发生接触，而导致爆炸，甚至人身伤亡。
硅液泄漏由多种原因引起，如坩埚本身有隐形缺陷，硅液与坩埚或其表 面涂层发生化学反应导致坩埚侵蚀，硅液凝固时膨胀导致坩埚涨裂，等等。 尽管采取种种措施，在多晶硅铸锭和提纯的时候，硅液泄漏依然难以避免。
发明内容
本发明主要目的是为了解决上述问题，提供一种多晶硅提纯或铸锭 炉的硅液泄漏防护装置，在硅液万一发生泄漏的时候，该装置能保护炉 体和炉内的设备，防止设备损坏和爆炸的发生，保护炉前操作工人的人 身安全。
为了达到上述目的，本发明提供的技术方案是 一种多晶硅提纯或 铸锭炉的硅液泄漏防护装置，包括坩埚、平台、石墨支架和不锈钢平台； 石墨支架设于不锈钢平台上面；平台设于石墨支架上面；坩埚设于平台 上面；还包括倒角和凝固槽；平台上表面开有多个径向导流槽和多个绊 向导流槽；倒角设在平台底部的周边；凝固槽设于平台的下面并环绕平台一周；凝固槽的内周设于倒角的里面，外周延伸到平台的外面。 平台的厚度至少为50mm.
径向导流槽从平台的中心延径向向外发散；炜向导流槽围绕平台的 中心，与平台的周边形状相似；径向导流槽和所述的炜向导流槽相交成 网状。
径向导流槽的数量为至少1个；绵向导流槽的数量为至少1个。 径向导流槽和绊向导流槽的深度和宽度为5mtn~ 40mm;径向导流槽从
中心向外越来越深；绵向导流槽的深度跟与其相交的径向导流槽的深度相同。
在最外圈的绵向导流槽开至少 一 个导流口 。
导流口的下部装有硅液传感器，该硅液传感器为线形传感器。
凝固槽的厚度以能承载坩埚内全部硅液的重量为限；凝固槽的容量 以能装下坩埚内全部的硅液为限。
凝固槽由高温耐火材料组成，该高温耐火材料为高铝、碳纤或上述 材料的组合。
平台由高温耐火材料组成，该耐火材料为石墨、石英、鴒钼合金或 上述材料的组合。
本发明的积极效果如下由于平台上设有导流槽，平台下面设有倒角和 凝固槽，无论坩埚/人4壬何方位泄漏，泄漏的硅液全部可以通过平台上的导流 槽而流入凝固槽内，所以彻底避免了各种危险情况的发生。
图1:本发明的结构示意图； 图2:本发明的平台俯视图。
具体实施例方式
如图1所示， 一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，包括 坩埚l、平台2、石墨支架8和不锈钢平台9，石墨支架8设于不锈钢平 台9上面；平台2设于石墨支架8上面；坩埚1设于平台2上面，平台 的厚度至少为50mm,还包括倒角6和凝周槽7，在平台2上表面开有至 少1个径向导流槽3和至少1个炜向导流槽4，径向导流槽3从平台2的 中心延径向向外发散；绰向导流槽4围绕平台2的中心，与平台2的周 边形状相似；径向导流槽3和炜向导流槽4相交成网状；径向导流槽3 和炜向导流槽4的深度和宽度为5mm 40mm,径向导流槽3从中心向外越 来越深，绊向导流槽4的深度跟与其相交的径向导流槽3的深度相同； 在最外圈的绵向导流槽4开至少一个导流口 5，从坩埚1流到平台2上的 硅液由导流口 5流走，在导流口 5的下部安装,圭液传感器10，该硅液传 感器10为线形传感器，在硅液流下遇到该硅液传感器10时，即给出一 个开关信号，在硅液不泄漏时，该硅液传感器IO给出一个反向的开关信 号。
在平台2底部的周边设有倒角6，以防止硅液流向平台2底面，在平 台2的下面安装有一凝固槽7，凝固槽7环绕平台2—周，且内周设于倒 角6的里面，外周延伸到平台2的外面，无论硅液从任何方位流出，均 能直接流入凝固槽7内，从倒角6滴下的硅液也能够落入凝固槽7内； 凝固槽7的厚度以能承载坩埚1内全部硅液的重量为限，凝固槽7的容 量以能装下坩埚1内全部的硅液为限；凝固槽7由高温耐火材料组成，该 高温耐火材料为高铝、碳纤或上述材料的组合，该材料与硅的反应速度 较慢，可以进行钝化，使平台2表面越来越不易与硅发生反应；平台2 由耐火材料组成，该耐火材料为石墨、石英、鴒钼合金或上述材料的组 合，该等材料应能够耐高温，而且不含高温易挥发的添加剂。
权利要求
1、一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，包括坩埚、平台、石墨支架和不锈钢平台；石墨支架设于不锈钢平台上面；平台设于石墨支架上面；坩埚设于平台上面，其特征在于还包括倒角和凝固槽；所述的平台上表面开有多个径向导流槽和多个纬向导流槽；所述的倒角设在平台底部的周边；所述的凝固槽设于平台的下面并环绕平台一周；所述的凝固槽的内周设于倒角的里面，外周延伸到平台的外面。
2、 根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置， 其特征在于所述的平台的厚度至少为50mm。
3、 根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置， 其特征在于所述的径向导流槽从平台的中心延径向向外发散；所述的纬向导流槽围绕平台的中心，与平台的周边形状相似；所述的径向导流 槽和所述的绵向导流槽相交成网状。
4、 根据权利要求1或3所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护 装置，其特征在于所述的径向导流槽的数量为至少1个；所述的绵向 导流槽的数量为至少l个。
5、 根据权利要求1或3所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护 装置，其特征在于所述的径向导流槽和绰向导流槽的深度和宽度为 5mm 40mm;所述径向导流槽从中心向外越来越深，所述的绵向导流槽的 深度跟与其相交的径向导流槽的深度相同。
6、 根据权利要求1或3所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护 装置，其特征在于在最外圈的绰向导流槽开至少一个导流口。
7、 根据权利要求6所述的多晶硅提纯和铸锭炉的硅液泄漏防护装置， 其特征在于所述的导流口的下部装有硅液传感器；该硅液传感器为线形 传感器。
8、 根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，其特征在于所述的凝固槽的厚度以能承载坩埚内全部硅液的重量为限， 所述的凝固槽的容量以能装下坩埚内全部的硅液为限。
9、 根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置， 其特征在于所述的凝固槽由高温耐火材料组成，该高温耐火材料为高 铝、碳纤或上述材料的组合。
10、 根据权利要求1所述的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装 置，其特征在于所述的平台由耐火材料组成，该耐火材料为石墨、石 英、鴒钼合金或上述材料的组合。
全文摘要
本发明提供了一种多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，包括坩埚和平台，坩埚设于平台上面，其特征在于还包括倒角和凝固槽，所述的平台上表面开有多个径向导流槽和多个纬向导流槽，所述的倒角设在平台底部的周边，所述的凝固槽设于平台的下面并环绕平台一周，所述的凝固槽的内周设于倒角的里面，外周延伸到平台的外面，采用本发明的多晶硅提纯或铸锭炉的硅液泄漏防护装置，无论坩埚从任何方位泄漏，泄漏的硅液全部可以通过平台上的导流槽而流入凝固槽内，从而防止设备损坏和爆炸的发生，保护炉前操作工人的人身安全。
文档编号C30B28/00GK101423219SQ200810202819
公开日2009年5月6日 申请日期2008年11月17日 优先权日2008年11月17日
发明者珺 史, 宗卫峰 申请人:上海普罗新能源有限公司