一种密封机箱的制作方法

文档序号:8205096阅读:460来源:国知局
专利名称:一种密封机箱的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种柜箱,特别是可降低电磁干扰的密封机箱。
背景技术
随着电子系统和设备数量的逐渐增多及其性能的不断提高,电磁干扰(EMI)问题将越来越严重,这些干扰应该被消除或抑制到最低限度,否则设备或系统就无法和谐有效地完成其功能。 机箱是电子芯片、电子元器件高度的密集区,其重要性相当于武器系统的"心脏"和"大脑"。而它的使用条件却非常恶劣,为了保证武器系统的高度可靠性,设计者给机箱人为地构造了一个较为"舒适"的工作环境,这个"舒适"的工作环境是由武器系统完善的"减震防震措施"和"环境控制系统"来保证。 参照图3。现有的机箱包括箱体1、箱盖2、箱体与箱盖合拢后用螺钉3固定。[0005] 当电磁波入射到机箱上时,在其上将感应出电流,若箱盖与箱体间不存在接缝,则感应电流在整个机箱上是连续的,几乎所有的能量均被吸收和反射,显然,这样的机箱将提供很好的屏效,但实际上由于应力的存在,箱体会产生机械变形,当外界电磁场照射到箱体表面时,就会在上面产生感应电流产生了电不连续性,导致电磁耦合,降低了屏蔽性能,对电路的正常工作形成了干扰。 以下是现有的机箱进行电磁兼容性检测时,三项检测项目的实测值。[0007] (1)电源线传导发射检测值29. 8dB/0. 25kHz ;[000S] (2)磁场辐射发射检测值19. 6dB/17kHz ;[0009] (3)电场辐射发射检测值31dB/75. 3MHz。

发明内容为了克服现有技术屏蔽性能差的不足,本实用新型提供一种密封机箱,在箱体上
沿与箱盖结合的地方设计一圈连续的密封槽,在密封槽内放置连续导电密封条,箱体与箱盖合拢后用螺钉固定,由于密封槽和密封条的作用,可以提高机箱的屏蔽性能。 本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案一种密封机箱,包括箱体和箱盖,其特点是所述箱体上沿与箱盖结合面处设计一圈连续密封槽,在密封槽内放置连续导电密封条,密封条稍高于密封槽。
所述密封条由两层橡胶构成,内层是普通硅橡胶,外层是导电橡胶。[0013] 所述密封条用硅脂导电胶镶嵌在密封槽内。 本实用新型的有益效果是由于密封槽和密封条的作用,提高了机箱的屏蔽性能。机箱的电磁兼容性三项检测值,(1)电源线传导发射检测值由现有技术的29.8dB/0.25kHz降低到8. 7dB/0. 25Hz ; (2)磁场辐射发射检测值由现有技术的19. 6dB/17kHz降低到12. 5dB/17KHz ; (3)电场辐射发射检测值由现有技术的31dB/75. 3MHz降低到6. 3dB/75. 3MHz。[0015]
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作详细说明。
图1是本实用新型密封机箱的结构示意图。 图2是图1中箱体与箱盖合拢后的局部放大图。 图3是现有技术机箱的结构示意图。 图中,1-箱体,2-箱盖,3-螺钉,4-密封条,5-密封槽。
具体实施方式参照图1、图2。本实用新型密封机箱,包括箱体1和箱盖2,在箱体1的上沿与箱盖2的结合面处,设计一个尺寸为5X4(宽X深)连续的密封槽5,箱体1内的电子元气件装好之后,把导电密封条4用硅脂导电胶镶嵌在密封槽5内,最后再用螺钉3将箱体1与箱盖2固定在一起。 导电密封条4是由两层橡胶构成,内层是普通硅橡胶,外层是导电橡胶,这种结构克服了传统导电橡胶弹性差的缺点,使橡胶的弹性得以充分体现,既满足了机箱装配后的屏蔽效能要求,又满足了环境密封要求。 以下是本实用新型密封机箱进行电磁兼容性检测时,三项检测项目的实测值。[0023] (1)电源线传导发射检测值8. 7dB/0. 25Hz ;[0024] (2)磁场辐射发射检测值12. 5dB/17KHz ;[0025] (3)电场辐射发射检测值6. 3dB/75. 3MHz。
权利要求一种密封机箱,包括箱体和箱盖,其特征在于所述箱体上沿与箱盖结合面处设计一圈连续密封槽,在密封槽内放置连续导电密封条,密封条稍高于密封槽。
2. 根据权利要求1所述的密封机箱,其特征在于所述密封条由两层橡胶构成,内层是普通硅橡胶,外层是导电橡胶。
3. 根据权利要求1或2所述的密封机箱,其特征在于所述密封条用硅脂导电胶镶嵌在密封槽内。
专利摘要本实用新型公开了一种密封机箱,包括箱体和箱盖,其特点是所述箱体上沿与箱盖结合面处设计一圈连续密封槽,在密封槽内放置连续导电密封条,密封条稍高于密封槽。所述密封条用硅脂导电胶镶嵌在密封槽内。所述密封条由两层橡胶构成,内层是普通硅橡胶,外层是导电橡胶。由于密封槽和密封条的作用,提高了机箱的屏蔽性能。机箱的电磁兼容性三项检测值,(1)电源线传导发射检测值由现有技术的29.8dB/0.25kHz降低到8.7dB/0.25Hz;(2)磁场辐射发射检测值由现有技术的19.6dB/17kHz降低到12.5dB/17kHz;(3)电场辐射发射检测值由现有技术的31dB/75.3MHz降低到6.3dB/75.3MHz。
文档编号H05K5/06GK201541412SQ200920034680
公开日2010年8月4日 申请日期2009年9月22日 优先权日2009年9月22日
发明者成玲, 杨锁祥 申请人:西安昆仑工业(集团)有限责任公司
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