专利名称：太阳能级单晶硅片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及太阳能硅片加工行业，尤其涉及一种太阳能级单晶硅片。
背景技术：
目前在太阳能硅片加工行业，整个切割过程是钢线带着砂浆高速运动完成对硅料的切割，硅片经过切割后边缘表面有稜角毛刺崩边甚至有裂缝或其它缺陷，边缘表面比较粗糙。另外，由于硅片四角为直角，在运输、加工过程中更容易造成缺角、崩碎等现象，严重影响硅片生产的良品率。
实用新型内容发明目的本实用新型的目的是为了解决现有技术的不足，提供一种不易造成缺角、不易崩碎的太阳能级单晶硅片。技术方案为了实现以上目的，本实用新型所述的一种太阳能级单晶硅片，其本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，该方形薄片的四个角为圆弧。为了不易崩碎，且利于加工，所述圆弧的圆弧角优选为90°。为了增加可用面积，提高发电效率，所述圆弧的半径为15 16mm。所述本体的厚度优选为160 士 4 μ m，进一步优选为160 μ m。有益效果本实用新型提供的太阳能级单晶硅片切割后不会造成缺角、不易崩边， 且在加工硅片端面时，不容易产生破坏性的崩口，提高了硅片生产的良品率和后期加工的使用率；相对于倒角而言，磨圆角后增大了硅片可用面积，提高了发电效率，同时也提高了边缘表面质量；将硅片的厚度由原来的200士20μπι降低到160士4μπι，提高了硅片的出片率。
图1为本实用新型的俯视图；图2为本实用新型的左视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型。如图1、2所示的太阳能级单晶硅片，其本体1为上、下两平行平面组成的方形薄片，该方形薄片的边长(Li)为125mm，其四个角为圆弧2，该圆弧2的圆弧角为90，即角度 (a)为90°，圆弧2的半径(R)为15. 5mm(在15 16mm范围内均可)，该方形薄片囊括圆弧2在内的整体长度(L2)为156mm。该本体1的厚度(d)为160 μ m(在160士4范围内均
可)。本体表面光滑、平整、无瑕疵。本实用新型加工方法是先将硅片切割成厚度为160士4 μ m的超薄太阳能级单晶硅片，再采用磨圆机，将切割成硅片的4个直角边缘经过砂轮磨削处理形成圆弧形。
3[0014]本实用新型的厚度比现有普通太阳能级单晶硅片薄，将太阳能级单晶硅片的厚度由原来的200降低到160μπι，出片率增加至58片/千克，提高了 13%的出片率，减少了硅料损耗13%左右，与原始出片率50片/千克，每千克多产8片，每吨多产8000片，若每片为18元，可增加收入14. 4万元。由于切割成圆弧状，切割后的硅锭余料成块状，可回炉再次利用，节省生产成本，每吨可节约材料40公斤，若每吨的价格为3000元，每吨可节约人民币12万元。上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的是让熟悉该技术领域的技术人员能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此来限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作出的等同变换或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种太阳能级单晶硅片，其本体(1)为上、下两平行平面组成的方形薄片，其特征在于所述的方形薄片的四个角为圆弧(2)。
2.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述圆弧( 的圆弧角(a) 为 90°。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述圆弧O)的半径 (R)为 15 16mm。
4.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述本体(1)的厚度为 160 士 4μπι。
5.根据权利要求1所述的太阳能级单晶硅片，其特征在于所述本体(1)的厚度为 160 μ m0
专利摘要本实用新型公开了一种太阳能级单晶硅片，其本体为上、下两平行平面组成的方形薄片，该方形薄片的四个角为圆弧。本实用新型提供的太阳能级单晶硅片切割后不会造成缺角、不易崩边，且在加工硅片端面时，不容易产生破坏性的崩口，提高了硅片生产的良品率和后期加工的使用率；相对于倒角而言，磨圆角后增大了硅片可用面积，提高了发电效率，同时也提高了边缘表面质量；将硅片的厚度由原来的200±20μm降低到160±4μm，提高了硅片的出片率。
文档编号C30B29/64GK202247006SQ20112033310
公开日2012年5月30日 申请日期2011年9月6日 优先权日2011年9月6日
发明者刘坤, 张顺怡, 朱海亮, 甘大源 申请人:太仓协鑫光伏科技有限公司