专利名称：一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及单晶硅制造领域，特别涉及一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方 法及热场系统。
背景技术：
硅(Si)是一种半导体元素，太阳能硅电池片利用硅的特性，在硅表面形成光伏特 效应，产生电能。为制备太阳能电池片，需要将单晶硅原料重熔后定向凝固，然后切片做成 电池片组件。为实现单晶硅的定向长晶凝固过程，需要一个能稳定长晶的热场系统，该热场 系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室，所述上下炉室主要起保温隔热的作用，所 述加热器主要是提供热场系统升温所需要的热能。在上述的传统热场系统中，其缺点是所述系统内部的供热效果还不能令人满意， 以及所述上下炉室的保温隔热性能较差，这就导致了热场系统能耗很高，造成了浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统，可 很好的实现供热和保温，降低了系统的能耗。一方面，本发明提供一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统，包括上炉室、位于中 部的加热器以及下炉室，所述下炉室的保温筒的内底层设置有反射板，所述反射板的正面 朝向所述加热器的中心。所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱，所述石墨支柱位于所述石墨压板 上并支撑所述反射板。所述反射板的厚度为10mm，所述石墨支柱数量为4个，高度均为110mm，在所述石 墨压板上均勻分布并支撑所述反射板。所述下炉室的保温筒的内底层还设置有碳毡，所述碳毡位于所述石墨压板下方并 在所述保温筒的内底层均勻分布。所述下炉室的保温筒的外底层也设置有均勻分布的碳毡。所述下炉室的保温筒的内外底层的碳毡均为3层，每层厚度为10mm。另一方面，本发明还提供一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法，所述热场 系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室，包括以下步骤7. 1、在所述下炉室的保温筒的内底层设置一反射板，并使所述反射板的正面朝向 所述加热器的中心；7. 2、在所述下炉室的保温筒的内底层铺垫碳毡，并使其均勻分布；7. 3、在所述下炉室的保温筒的外底层铺垫碳毡，并使其均勻分布。所述步骤7. 1进一步包括以下步骤在所述反射板的下方设置一石墨压板和石墨 支柱，使所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。所述反射板的厚度为10mm，所述石墨支柱数量为4个，高度均为110mm，在所述石
3墨压板上均勻分布并支撑所述反射板。所述步骤7. 2和步骤7. 3中设置在保温筒的内外底层的碳毡均为3层，每层厚度 为 IOmm0采用本发明所述的一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统，所述 热场系统的下炉室的保温筒内底层设置有正面朝向加热器中心的反射板，这样可以促进热 能的集中使用；另外，下炉室的保温筒的内底层和外地层均铺垫有均勻分布的碳毡，可促进 炉室的保温，降低了热场系统的能耗。
图1为本发明所述的热场系统的结构图；图2为本发明所述方法的流程图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。参见图1，图1显示了一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统100，包括上炉室 110、位于中部的加热器120以及下炉室130，所述下炉室130的保温筒的内底层设置有厚度 为IOmm的反射板131，所述反射板131的正面朝向所述加热器120的中心，反射板131的作 用是增加底部热量的反射，使加热器120底部的热量尽可能的向加热器120中部集中。所 述反射板131的下方设置一石墨压板133和4个石墨支柱132，所述4个石墨支柱132高度 均为110mm，在所述石墨压板133上均勻分布并支撑所述反射板131。另外，所述下炉室130的保温筒的内底层和外底层还设置有碳毡(图中未显示)， 用来增强整个系统的热保温，减少热量的散失。在保温筒的内底层上，所述碳毡位于所述石 墨压板133下方并在所述保温筒的内底层均勻分布。所述下炉室130的保温筒的内外底层 的碳毡均为3层，每层厚度为10mm。参见图2，图2显示了一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法200，所述热场 系统包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉室，包括以下步骤201、在所述下炉室的保温筒的内底层设置一反射板，并使所述反射板的正面朝向 所述加热器的中心。作为一实施例，所述步骤201进一步包括以下步骤在所述反射板的下方设置一 石墨压板和石墨支柱，使所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。所述反射 板的厚度为10mm，所述石墨支柱数量为4个，高度均为110mm，在所述石墨压板上均勻分布 并支撑所述反射板。202、在所述下炉室的保温筒的内底层铺垫碳毡，并使其均勻分布。该步骤中铺垫的碳毡为3层，每层厚度为10mm。203、在所述下炉室的保温筒的外底层铺垫碳毡，并使其均勻分布。该步骤中铺垫的碳毡为3层，每层厚度为10mm。下面介绍一下使用本发明取得的预期效果(本发明是对热场系统的改进，故通过 改进前和改进后的对比进行说明)改进前与改进后的生产成品率对比改进后成品率明显上升并稳定，提高了10. 727%，说明热场改进后对正常生产提高产量起到了很大的改善。具体参见表1和表2 表1 改进前成品率
权利要求
1.一种用于太阳能单晶硅制造的热场系统，包括上炉室、位于中部的加热器以及下炉 室，其特征在于，所述下炉室的保温筒的内底层设置有反射板，所述反射板的正面朝向所述 加热器的中心。
2.如权利要求1所述的热场系统，其特征在于，所述反射板的下方设置一石墨压板和 石墨支柱，所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所述反射板。
3.如权利要求2所述的热场系统，其特征在于，所述反射板的厚度为10mm，所述石墨支 柱数量为4个，高度均为110mm，在所述石墨压板上均勻分布并支撑所述反射板。
4.如权利要求1至3任一项所述的热场系统，其特征在于，所述下炉室的保温筒的内底 层还设置有碳毡，所述碳毡位于所述石墨压板下方并在所述保温筒的内底层均勻分布。
5.如权利要求4所述的热场系统，其特征在于，所述下炉室的保温筒的外底层也设置 有均勻分布的碳毡。
6.如权利要求5所述的热场系统，其特征在于，所述下炉室的保温筒的内外底层的碳 毡均为3层，每层厚度为10mm。
7.一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法，所述热场系统包括上炉室、位于中部 的加热器以及下炉室，其特征在于，包括以下步骤7. 1、在所述下炉室的保温筒的内底层设置一反射板，并使所述反射板的正面朝向所述 加热器的中心；7. 2、在所述下炉室的保温筒的内底层铺垫碳毡，并使其均勻分布；7.3、在所述下炉室的保温筒的外底层铺垫碳毡，并使其均勻分布。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤7.1进一步包括以下步骤在所述 反射板的下方设置一石墨压板和石墨支柱，使所述石墨支柱位于所述石墨压板上并支撑所 述反射板。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述反射板的厚度为10mm，所述石墨支柱数 量为4个，高度均为110mm，在所述石墨压板上均勻分布并支撑所述反射板。
10.如权利要求7至9任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤7.2和步骤7. 3中设 置在保温筒的内外底层的碳毡均为3层，每层厚度为10mm。
全文摘要
本发明揭示了一种减少太阳能单晶硅热场系统能耗的方法及热场系统，所述热场系统的下炉室的保温筒内底层设置有正面朝向加热器中心的反射板，这样可以促进热能的集中使用；另外，下炉室的保温筒的内底层和外地层均铺垫有均匀分布的碳毡，可促进炉室的保温，降低了热场系统的能耗。
文档编号C30B15/14GK102108546SQ20091026483
公开日2011年6月29日 申请日期2009年12月24日 优先权日2009年12月24日
发明者唐旭辉 申请人:江苏聚能硅业有限公司