专利名称：商用电磁炉机芯结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种商用电磁炉机芯结构，特别是一种商用电磁炉机芯的谐振电容的固定方式及高频滤波电容的分布方式。
背景技术：
商用电磁炉的工作环境恶劣，油烟及盐雾等等对电路板的腐蚀严重，传统的开放式机芯结构，寿命严重不足，无法满足实际的寿命需求。三防机芯可以解决机芯寿命不足的问题，但又面临机芯内部腔体温度过高，内部核心器件的温度过高的问题。
发明内容本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足而提供一种商用电磁炉机芯结构， 其可以有效的解决核心器件谐振电容及闻频滤波电容的温度过闻，有效的消除瞬间的闻频电流不均衡所造成的高频滤波电容温升过高的问题。本实用新型的技术方案是一种商用电磁炉机芯结构，包括谐振电容、机壳、第一高频滤波电容、整流桥、第二高频滤波电容、IGBT模块、吸收电容及PCB板，其特征在于所述谐振电容固定在机壳的外侧壁上；所述第一高频滤波电容、整流桥、第二高频滤波电容、IGBT模块及吸收电容依次安装在PCB板上并电连接，IGBT模块的端子通过导线与固定在机壳侧壁上的穿墙端子电连接，线圈盘的端子分别与谐振电容的端子和穿墙端子电连接。所述第一高频滤波电容及第二高频滤波电容对称分布在整流桥的两边。所述IGBT模块包括第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、电感L、第三电容及第四电容；所述第一高频滤波电容包括第一电容，所述第二高频滤波电容包括第二电容；所述谐振电容包括第五电容及第六电容；所述第一电容的一端分别电连接第一双极型晶体管的C极、第三电容的一端、第五电容的一端、第二电容的一端及整流桥的一输出端,第一电容的另一端分别电连接第二双极型晶体管的E极、第四电容的一端、第六电容的一端、及第二电容的另一端及整流桥的另一输出端；所述第三电容的另一端分别与第一双极型晶体管的E极、第二双极型晶体管的C极、第四电容的另一端及电感的一端电连接；所述电感的另一端分别电连接第五电容的另一端及第六电容的另一端。本实用新型与现有技术相比的优点为由于谐振电容处于机壳的侧壁上，谐振电容的温度大幅下降，有效的解决商用电磁炉三防机芯内部腔体温度较高所造成的可靠性及寿命下降等问题，可以为IGBT模块和谐振电容提供均衡的瞬间电流，降低了高频滤波电容的器件温升，大大降低了 PCB板电流密度、成本及电流辐射强度。
图I为本实用新型的器件分布结构示意图；图2为本实用新型的电路原理示意图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本实用新型进一步说明。如图I所示，一种商用电磁炉机芯结构，包括谐振电容I、机壳2、第一高频滤波电容3、整流桥4、第二高频滤波电容5、IGBT模块6、吸收电容7及PCB板9，本实用新型的特点是所述谐振电容I固定在机壳2的外侧壁上,这样谐振电容I裸露在机壳2的外部,有利于谐振电容I的降温，减少谐振电容I对第一高频滤波电容3、整流桥4、第二高频滤波电容5、IGBT模块6、吸收电容7及PCB板9的影响；所述第一高频滤波电容3、整流桥4、第二高频滤波电容5、IGBT模块6及吸收电容7依次安装在PCB板9上并电连接，IGBT模块6的端子61通过导线10与固定在机壳2侧壁上的穿墙端子11电连接，线圈盘12的端子分别与谐振电容I的端子和穿墙端子11电连接。在本实施例中，所述第一高频滤波电容3及第二高频滤波电容5对称分布在整流 桥4的两边，这样可以实现高频滤波电容的均流效果，可以有效的降低高频滤波电容的温升。如图2所示，在本实施例中，所述IGBT模块6包括第一双极型晶体管IGBTl、第二双极型晶体管IGBT2、电感L、第三电容C3及第四电容C4 ;所述第一高频滤波电容3包括第一电容Cl，所述第二高频滤波电容5包括第二电容C2 ;所述谐振电容I包括第五电容C5及第六电容C6，第五电容C5及第六电容C6安装在机壳2的外侧壁上，可以有效的降低三防机芯内部的第一、二高频滤波电容的温升；所述第一电容Cl的一端分别电连接第一双极型晶体管IGBTl的C极、第三电容C3的一端、第五电容C5的一端、第二电容C2的一端及整流桥4的一输出端,第一电容Cl的另一端分别电连接第二双极型晶体管IGBT2的E极、第四电容C4的一端、第六电容C6的一端、第二电容C2的另一端及整流桥4的另一输出端；所述第三电容3的另一端分别与第一双极型晶体管IGBTl的E极、第二双极型晶体管IGBT2的C极、第四电容C4的另一端及电感L的一端电连接；所述电感L的另一端分别电连接第五电容C5的另一端及第六电容C6的另一端。工作时，当第一双极型晶体管IGBTl导通瞬间，第一电容Cl提供瞬间能量；当第二双极型晶体管IGBT2导通的瞬间第二电容C2提供瞬间能量，这样可以实现高频滤波电容的均流效果，可以有效的降低高频滤波电容的温升。此外，从整流桥输出的电流一分为二，分别流向IGBT模块6与第一高频滤波电容3、整流桥4、第二高频滤波电容5，大大减少了 PCB板9的电流密度、成本及电流辐射强度。
权利要求1.一种商用电磁炉机芯结构,包括谐振电容(I )、机壳(2)、第一高频滤波电容(3)、整流桥(4)、第二高频滤波电容(5)、IGBT模块(6)、吸收电容(7)及PCB板(9)，其特征在于所述谐振电容(I)固定在机壳(2)的外侧壁上；所述第一高频滤波电容(3)、整流桥(4)、第二高频滤波电容(5)、IGBT模块(6)及吸收电容(7)依次安装在PCB板(9)上并电连接，IGBT模块(6)的端子(61)通过导线(10)与固定在机壳(2)侧壁上的穿墙端子(11)电连接，线圈盘(12)的端子分别与谐振电容(I)的端子和穿墙端子(11)电连接。
2.根据权利要求I所述的商用电磁炉机芯结构，其特征在于所述第一高频滤波电容(3)及第二高频滤波电容(5)对称分布在整流桥(4)的两边。
3.根据权利要求I所述的商用电磁炉机芯结构，其特征在于所述IGBT模块(6)包括第一双极型晶体管(IGBT1)、第二双极型晶体管(IGBT2)、电感L、第三电容(C3)及第四电容(C4);所述第一高频滤波电容(3)包括第一电容(Cl )，所述第二高频滤波电容(5)包括第二电容(C2);所述谐振电容(I)包括第五电容(C5)及第六电容(C6);所述第一电容(Cl)的一端分别电连接第一双极型晶体管(IGBTl)的C极、第三电容(C3)的一端、第五电容(C5)的一端、第二电容(C2)的一端及整流桥(4)的一输出端,第一电容(Cl)的另一端分别电连接第二双极型晶体管(IGBT2)的E极、第四电容(C4)的一端、第六电容(C6)的一端、第二电容(C2)的另一端及整流桥(4)的另一输出端；所述第三电容(3)的另一端分别与第一双极型晶体管(IGBTI)的E极、第二双极型晶体管(IGBT2)的C极、第四电容(C4)的另一端及电感(L)的一端电连接；所述电感(L)的另一端分别电连接第五电容(C5)的另一端及第六电容(C6)的另一端。
专利摘要本实用新型涉及一种商用电磁炉机芯结构，包括谐振电容、机壳、第一高频滤波电容、整流桥、第二高频滤波电容、IGBT模块、吸收电容及PCB板，其特征在于所述谐振电容固定在机壳的外侧壁上；所述第一高频滤波电容、整流桥、第二高频滤波电容、IGBT模块及吸收电容依次安装在PCB板上并电连接，IGBT模块的端子通过导线与固定在机壳侧壁上的穿墙端子电连接，线圈盘的端子分别与谐振电容的端子和穿墙端子电连接。其优点为谐振电容的温度大幅下降，有效的解决商用电磁炉三防机芯内部腔体温度较高所造成的可靠性及寿命下降等问题，可以为IGBT模块和谐振电容提供均衡的瞬间电流，降低了高频滤波电容的器件温升，大大降低了PCB板电流密度、成本及电流辐射强度。
文档编号H05B6/08GK202617397SQ20122020909
公开日2012年12月19日 申请日期2012年5月11日 优先权日2012年5月11日
发明者金红旗, 黎捷勇, 黄鹏, 李志明, 李彦栋 申请人:美的集团有限公司