电子装置及其制造方法

电子装置及其制造方法
【专利摘要】一种电子装置(1)，具备：基板；形成在基板上的第1导电层(13)；由有机材料构成，形成在第1导电层(13)上，且开有使第1导电层(13)的一部分露出的开口的有机绝缘层(21)；以覆盖有机绝缘层(21)的上表面、面对有机绝缘层(21)的开口的内周面(21a)、以及从有机绝缘层(21)露出的第1导电层(13)的方式形成的金属制的第2导电层(23)；和在面对有机绝缘层(21)的开口的内周面(21a)上，仅形成在有机绝缘层(21)和第2导电层(23)之间的含有氧化物的中间层(35)。在有机绝缘层(21)的开口的底面(21b)上，第1导电层(13)和第2导电层(23)接触。
【专利说明】电子装置及其制造方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及有机EL(Electro Luminescence)显示面板等的电子装置的结构及其制造方法。

【背景技术】
[0002]近年来在开发一种若正向供给电流就会发光的发光元件。其中，例如，作为利用有机荧光性物质的电致发光现象的发光元件的有机电致发光元件(以下记载为“有机EL元件”。)被广泛活用。
[0003]例如，在专利文献I中，作为具有有机EL元件的电子装置的一例，公开了图17所示的有机EL显示面板901。有机EL显示面板901具有:玻璃基板911、TFT (薄膜晶体管)912、第I导电层913、有机绝缘层921、第2导电层923、中间层935、隔壁941、发光层942、第3导电层943、保护层948、粘接层949、滤色器层950、和封止层951。第I导电层913作为配线发挥功能。有机绝缘层921形成于第I导电层913上，开有使第I导电层913的表面的一部分露出的开口。第2导电层923形成为覆盖从有机绝缘层921上到第I导电层913，作为阳极发挥功能。构成第I导电层923的材料为金属。中间层935，在有机绝缘层921的上表面、面对开口的内周面921a以及底面921b上在有机绝缘层921和第2导电层923之间扩展。构成中间层935的材料为作为金属氧化物的一种的IT0(Indium Tin Oxide)。发光层942形成于第2导电层923上，由有机发光材料形成。第3导电层943作为阴极发挥功能，并由透明材料形成。由此，能够实现在有机绝缘层921的开口的底面921b上，电流经由中间层935从第I导电层913向第2导电层923流动的结构。另一方面，已知金属氧化物无论是相对于有机材料还是相对于金属材料，密着性都高。因此，有机绝缘层921和中间层935的密着性高，且中间层935和第2导电层923的密着性也高。因此，在有机EL显示面板901中，能够抑制有机绝缘层921从第2导电层923被剥离。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2004-355918号公报
[0007]专利文献2:日本特开2005-011792号公报
[0008]专利文献3:日本特开平5-315459号公报
[0009]专利文献4:日本特开平5-315458号公报


【发明内容】

[0010]因此，在上述现有的有机EL显示面板那样的电子装置中，例如，将铝或铝合金作为第2导电层的材料使用的话，在成本方面有利。但是，该情况下，第2导电层的与中间层接触的部分可能会变质成为氧化铝。这是由于铝原子对氧原子的结合力大，例如，第2导电层中所含有的铝原子容易与构成中间层的ITO中所含有的氧原子反应的缘故。而且，在上述现有的有机EL显示面板中，遍及第I导电层和第2导电层之间的总体范围形成有中间层，所以即使在有机绝缘层的开口的底面上也存在中间层。而且，在有机绝缘层的开口的底面上，第2导电层的与中间层接触的部分变质成为氧化铝的话，有第I导电层和第2导电层之间的接触电阻上升之虞。这是由于氧化铝的导电性比铝以及铝合金小的缘故。这样的问题，不限于第2导电层采用铝或氧化铝、且中间层采用ITO的情况，在中间层含有氧原子或氮原子的情况下也可能发生。
[0011]因此，本发明的目的是提供一种有机绝缘层和第2导电层难以剥离、且能够抑制第I导电层和第2导电层之间的接触电阻的电子装置。
[0012]本发明的一个方式涉及的电子装置，其特征在于，具有:基板；形成于所述基板上的第I导电层；形成于所述第I导电层上，且开有使所述第I导电层的一部分露出的开口的有机绝缘层；形成为覆盖所述有机绝缘层的上表面、面对所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述开口露出的第I导电层的金属制的第2导电层；和仅形成于面对所述有机绝缘层的开口的内周面和所述第2导电层之间的含有氧化物或氮化物的中间层，在所述有机绝缘层的开口的底面上，所述第I导电层和所述第2导电层接触。
[0013]在本发明的电子装置中，仅在面对有机绝缘层的开口的内周面和第2导电层之间形成有含有氧化物或氮化物的中间层。在这里，已知氧化物以及氮化物无论相对于有机材料还是相对于金属材料，密着性都高。因此，有机绝缘层和中间层的密着性高，且中间层和第2导电层的密着性也高。因此，通过形成中间层，有机绝缘层和第I导电层变得难以剥离。
[0014]另一方面，在有机绝缘层的开口的底面上，没有形成中间层，第I导电层和第2导电层接触。因此，在有机绝缘层的开口的底面上，能够维持第I导电层和第2导电层的直接接触，所以能够使接触电阻小。
[0015]因此，在本发明的电子装置中，有机绝缘层和第2导电层难以剥离，且能够抑制第I导电层和第2导电层之间的接触电阻。

【专利附图】

【附图说明】
[0016]图1是表示实施方式I涉及的有机EL显示面板的构成的剖视图。
[0017]图2(a)是图1所示的有机EL显示面板的第I导电层和第2导电层的接触部周边的放大图，(b)是(a)中所示的有机EL显示面板的中间层和有机绝缘层的界面周边部β的放大图。
[0018]图3是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的剖视图。
[0019]图4是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的剖视图。
[0020]图5 (a)是图1所示的有机EL元件的接触部分的采用TEM得到的摄影图，(b)是(a)的摄影图的痕迹图。
[0021]图6是图1所示的面对有机EL元件的有机绝缘层的开口的内周面的采用XPS得至IJ的钨4f轨道的测定图。
[0022]图7(a)是比较例涉及的中间层形成工序的示意图，(b)是本实施方式涉及的中间层形成工序的示意图。
[0023]图8(a)是实施方式I涉及的有机EL显示面板的剖视图，(b)是(a)的放大图以及采用EDX得到的测定图。
[0024]图9是表示没有进行反溅射的样品和本实施方式的进行了反溅射的样品的接触电阻值的图。
[0025]图10是表示实施方式2涉及的有机EL显示面板的构成的剖视图。
[0026]图11是表示图10所示的有机EL显示面板的制造工序的剖视图。
[0027]图12是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。
[0028]图13是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。
[0029]图14是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。
[0030]图15是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。
[0031]图16是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。
[0032]图17是现有例涉及的有机EL显示面板的剖视图。

【具体实施方式】
[0033][本发明的一个方式的概要]
[0034]本发明的一个方式涉及的电子装置，其特征在于，具有:基板；形成于所述基板上的第I导电层；形成于所述第I导电层上，且开有使所述第I导电层的一部分露出的开口的有机绝缘层；形成为覆盖所述有机绝缘层的上表面、面对所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述开口露出的第I导电层的金属制的第2导电层；和仅形成于面对所述有机绝缘层的开口的内周面和所述第2导电层之间的含有氧化物或氮化物的中间层，在所述有机绝缘层的开口的底面上，所述第I导电层和所述第2导电层接触。
[0035]在该电子装置中，仅在面对有机绝缘层的开口的内周面和第2导电层之间形成有含有氧化物或氮化物的中间层。在这里，已知氧化物以及氮化物无论相对于有机材料还是相对于金属材料，密着性都高。因此，有机绝缘层和中间层的密着性高，且中间层和第2导电层的密着性也高。因此，通过形成有中间层，有机绝缘层和第I导电层变得难以剥离。另一方面，在有机绝缘层的开口的底面上，没有形成中间层，第I导电层和第2导电层接触。因此，在有机绝缘层的开口的底面上，能够抑制第2导电层变质为氧化物或氮化物。因此，在本发明的电子装置中，有机绝缘层和第2导电层难以剥离，且能够抑制第I导电层和第2导电层之间的接触电阻。
[0036]另外，所述第I导电层也可以由金属构成，所述中间层也可以由构成所述第I导电层的所述金属的氧化物构成。
[0037]另外，所述中间层也可以由导电性氧化物构成。
[0038]另外，也可以:进一步具有绝缘层，所述绝缘层由氧化物或氮化物构成，形成于所述第I导电层和所述有机绝缘层之间，且与所述有机绝缘层的开口对应地开有使所述第I导电层的一部分露出的开口，所述中间层由与所述绝缘层相同的材料构成。
[0039]另外，也可以:所述第I导电层由金属构成，在所述中间层和所述第2导电层之间进一步形成有由构成所述第I导电层的金属构成的金属层。
[0040]另外，也可以:所述第I导电层由金属构成，在所述第I导电层和所述有机绝缘层之间形成有由构成所述第I导电层的所述金属的氧化物构成的金属氧化物层，被所述有机绝缘层直接覆盖的第I导电层的区域的表面的粗糙度比从所述有机绝缘层露出的第I导电层的区域的表面的粗糙度大。
[0041]另外，也可以:所述第I导电层由金属构成，在被所述有机绝缘层覆盖的第I导电层的区域中，在所述第I导电层和所述有机绝缘层之间，形成有由构成所述第I导电层的所述金属的氧化物构成的氧化物层。
[0042]另外，所述第I导电层也可以由含有W、Mo、T1、Cr、Cu中的至少任一种的金属构成。
[0043]另外,所述第2导电层也可以由Al合金或Ag合金构成。
[0044]而且，本发明的一个方式涉及的电子装置的制造方法，其特征在于，包括:准备基板的第I工序；在所述基板上形成由金属构成的第I导电层的第2工序；在所述第I导电层上形成开有使所述第I导电层的一部分露出的开口、且由有机材料构成的有机绝缘层的第3工序；通过对至少从所述有机绝缘层露出的所述第I导电层的表面进行溅射，仅在所述有机绝缘层的内周面形成含有氧化物或氮化物的中间层的第4工序；和形成金属制的第2导电层，以覆盖所述有机绝缘层的上表面、所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述有机绝缘层露出的第I导电层的第5工序。
[0045]另外，所述中间层含有的氧化物或氮化物可以是构成所述第I导电层的所述金属的氧化物或氮化物。
[0046]另外，在从所述第2工序到所述第4工序之间，可以具有对所述第I导电层的至少表面进行氧化的工序。
[0047]另外，在所述第4工序和所述第5工序之间，可以具有对所述第I导电层的表面进行溅射，在所述中间层上形成由所述第I导电层中所含有的金属构成的金属层的工序。
[0048]进而，本发明的一个方式涉及的电子装置的制造方法，其特征在于，包括:准备基板的第6工序；在所述基板以及所述第I导电层上形成由氧化物或氮化物构成的绝缘层的第7工序；在所述基板上形成由金属构成的第I导电层的第8工序；在所述第I导电层上形成开有使所述第I导电层的一部分露出的开口、且由有机材料构成的有机绝缘层的第9工序；第10工序，该工序通过溅射来除去所述绝缘层的表面的一部分使得所述第I导电层的表面露出，通过对至少从所述有机绝缘层露出的所述绝缘层的表面进行溅射，仅在所述有机绝缘层的内周面上形成由与所述绝缘层相同的材料构成的中间层；和形成金属制的第2导电层，以覆盖所述有机绝缘层的上表面、所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述有机绝缘层露出的第I导电层的第11工序。
[0049][实施方式I]
[0050]1.有机EL显示面板I的总体构成
[0051]图1是表示本实施方式I涉及的有机EL显示面板的I像素的构成的剖视图。
[0052]有机EL显示面板1，具有:玻璃基板11、栅电极12、绝缘层14、第I导电层13、氧化钨层13a、半导体层15、钝化层16、有机绝缘层21、中间层35、第2导电层23、隔壁40、发光层41、第3导电层43、和封止层51。利用栅电极12、形成于栅电极12上的绝缘层14、作为SD (源漏:SOurce-drain)电极发挥功能的第I导电层13以及隔着绝缘层14而形成于栅电极12上的半导体层15构成TFT。第I导电层13形成于由玻璃基板11以及绝缘层14构成的基板上。构成第I导电层13的材料为钨。氧化钨层13a，在钝化层16的开口的、除了有机绝缘层21的开口之外的部分中，形成于第I导电层13和有机绝缘层21之间。钝化层16形成于第I导电层13上，且由覆盖第I导电层13的一部分以及半导体层15的SiN(氮化硅)构成。
[0053]有机绝缘层21介由钝化层16而形成于第I导电层13上。在有机绝缘层21上开有使第I导电层13的表面的一部分露出的开口。有机绝缘层21的开口，形成为随着从上表面向底面而缩径的倒锥状。有机绝缘层21的开口的最上面的内径为例如15μπι，有机绝缘层21的开口的底面21b内径为例如5 μ m，有机绝缘层21的膜厚为例如4 μ m。构成有机绝缘层21的材料例如为绝缘性的有机材料(例如丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂等)。中间层35如接触部周边α的放大图即图2(a)所示，存在于面对有机绝缘层21的开口的内周面21a上,但是不存在于有机绝缘层21的上表面,另外,也不存在于从有机绝缘层21的开口露出的第I导电层13上。即，中间层35仅形成于面对有机绝缘层21的开口的内周面21a和第2导电层23之间。中间层35的扩展的区域仅为面对有机绝缘层21的开口的内周面21a的第I导电层侧的一半。中间层35和有机绝缘层21的边界周边部β的详细的构成示于图2(b)中。被有机绝缘层21直接覆盖的氧化钨层13a的表面13b的粗糙度，比从有机绝缘层21的开口露出的第I导电层13的表面13c的粗糙度大。可以认为其形状是取决于制造方法的。回到图1，第2导电层23形成为覆盖有机绝缘层21的上表面、面对隔着中间层35的有机绝缘层21的开口的内周面21a、以及从有机绝缘层21的开口露出的第I导电层13，并作为阳极发挥功能。构成第2导电层23的材料为铝合金。在有机绝缘层21的开口的底面21b上，第2导电层23与第I导电层13直接接触，电流从第I导电层13向第2导电层23供给。即，第2导电层23和第I导电层13的接触部位成为接触部。
[0054]隔壁40埋在有机绝缘层21的开口，例如由绝缘性的有机材料(例如丙烯酸系树月旨、聚酰亚胺系树脂等)形成。发光层41形成于第2导电层23上的相邻的隔壁40之间，且由有机发光材料形成。第3导电层43形成为覆盖隔壁40以及发光层41，作为阴极而工作。构成第3导电层43的材料为例如透明材料(例如，ITO或IZOdndium Zinc Oxide)。电流从位于有机EL显示面板I的面板部的周围的驱动电路向第3导电层43供给。封止层51形成为覆盖第3导电层43，由SiN等的具有气体阻隔性的材料形成。
[0055]2.制造方法
[0056]以下利用附图对有机EL显示面板I的制造方法、特别是形成中间层35的工序进行说明。再者，对于形成有机EL显示面板的工序之中的、下述以外的工序，由于能够应用公知的技术，因此省略说明。
[0057]首先，如图3(a)所示，在含有绝缘层14的基板上，准备在表面设有钝化层16、且由钨构成的第I导电材料层13d。具体而言，在基板上形成第I导电材料层13d，进而，在第I导电材料层13d上沉积作为钝化层16的材料的SiN。其后，通过利用一般的光刻技术以及蚀刻技术，选择性地蚀刻钝化层16的材料，在钝化层16的所希望的位置形成开口，使第I导电材料层13d的表面的一部分露出。
[0058]接着，如图3(b)所示，层叠有机绝缘材料层21d，以覆盖第I导电材料层13d的露出的区域以及钝化层16。
[0059]如图3(c)所示，在第I导电材料层13d的露出的区域以及钝化层16上，形成开有开口的有机绝缘层21。具体而言，作为有机绝缘层21的材料采用感光性材料，通过利用一般的光刻技术以及蚀刻技术，选择性地蚀刻有机绝缘材料层21d的一部分，进而进行烧成，从而形成开有开口的有机绝缘层21。
[0060]接着，如图3(d)所示，使由钨构成的第I导电材料层13d的表面之中的从钝化层16露出的部分变质为由氧化钨构成的金属氧化膜13e。具体而言，通过进行退火，将第I导电材料层13d的表面的一部分氧化。再者，该第I导电材料层13d的一部分氧化工序,也可以兼为图3(c)中说明的烧成。
[0061]如图4(a)所示，采用使用惰性气体的反溅射法，使金属氧化膜13e的一部分附着于面对有机绝缘层21的开口的内周面21a上。在这里，所谓反溅射法是通过以基板的特定的层为靶，使惰性气体离子碰撞它，从而使靶原子从靶飞出的技术。在本实施方式中，使如箭头所示的、例如Ar (氩)之类的惰性气体离子碰撞由氧化钨构成的金属氧化膜13e，使氧化钨从金属氧化膜13e飞出。飞出的氧化钨的较多部分附着在面对有机绝缘层21的开口的内周面21a上。再者，该反溅射的条件是使用平行平板电极的DC溅射装置，并设为DC功率1.0kff以上1.5kff以下，氩气压力0.3Pa以上7Pa以下，氩气流量10sccm以上200sccm以下。
[0062]图4(a)的结果，如图4(b)所示，仅在面对有机绝缘层21的开口的内周面21a上形成有中间层35。
[0063]而且，如图4(c)所示，形成第2导电层23后，在有机绝缘层21的开口形成隔壁40。
[0064]3.考察
[0065]以下，示出中间层35的结构以及组成的确认结果，并且对中间层35的形成机理进行考察。
[0066](3-1)中间层35的结构
[0067]通过TEM(扫描透射型电子显微镜)观察采用上述制造方法形成的有机绝缘层21的构成。图5(a)为有机EL元件的本实施方式的接触部分的利用TEM得到的摄影图，图5(b)为图5(a)的摄影图的痕迹图。再者，可以认为氧化钨层13a存在于第I导电层13和有机绝缘层21之间，但在图中没有显现。这是由于氧化钨层13a和第I导电层13在TEM下作为相同的浓淡度的层而被摄影的缘故。
[0068]如图5所示，中间层35在有机绝缘层21和第2导电层23之间扩展。由此能够确认到:若实施上述制造方法，则在面对有机绝缘层21的开口的内周面21a上形成了中间层
35。另外，还能够确认到:被有机绝缘层21直接覆盖的氧化钨层13a的表面13b的粗糙度，比从有机绝缘层21的开口露出的第I导电层13的表面13c的粗糙度大。
[0069](3-2)中间层35的组成
[0070]而且，利用XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)观察了采用上述制造方法形成的面对有机绝缘层21的开口的内周面21a。图6是图1所示的面对有机EL元件的有机绝缘层21的开口的内周面21a的利用XPS得到的钨4f轨道的测定图。当测定钨4f轨道时，在存在作为金属单质的钨的情况下，可观测到两个峰，在存在作为金属氧化物的氧化钨的情况下，可观测到四个峰。图6中示出没有进行图3(d)的氧化工序的情况(比较例)、和进行了图3(d)的氧化工序的情况(本实施方式)的测定结果。单点划线对应于比较例，双点划线对应于本实施方式。如图6所示，在比较例中，在表面存在钨，在本实施方式中，存在氧化钨。这样就能够确认到:采用上述制造方法形成的有机EL显示面板I中的中间层35由氧化钨形成。
[0071](3-3)中间层35的形成机理
[0072]进而，利用附图对上述制造方法中的、采用反溅射法的中间层的形成进行详细考察。图7(a)是专利文献I涉及的中间层形成工序的示意图，图7(b)是本实施方式涉及的中间层形成工序的示意图。
[0073]在形成以往的中间层935的情况下，可以考虑如图7(a)所示那样，在有机绝缘层921的开口形成后，利用溅射法，从上方将成为中间层935的材料的金属氧化物IT0935b从有机绝缘层921的上表面向面对开口的内周面921a以及底面921b溅射。但是，特别是IT0935b向面对有机绝缘层921的开口的内周面921a的入射角较浅，所以存在IT0935b难以附着于内周面921a的倾向。因此，在面对有机绝缘层921的开口的内周面921a上，不能够使IT0935b充分地附着，有可能中间层935形成得较薄。在这里，所谓溅射法是通过在基板的上方设置靶，使惰性气体碰撞它，从而使靶原子从靶飞出，并使其附着于基板的技术。
[0074]另一方面，在本实施方式中，如图7(b)所示，首先，将形成于基板的第I导电层13上的金属氧化膜13e作为靶实施反溅射法。通过利用反溅射法使作为惰性气体离子的Ar60碰撞形成于第I导电层13上的金属氧化膜13e，使氧化钨13f从金属氧化膜13e飞出。此时，氧化钨13f以所有的角度飞出，所以也有氧化钨13f向面对有机绝缘层21的开口的内周面21a的入射角很深的情形。因此，即使面对有机绝缘层21的开口的内周面21a的倾斜很陡，也能够将氧化钨13f附着于内周面21a。因此，在面对有机绝缘层21的开口的内周面21a上，能够充分确保氧化钨的厚度。由此，能够抑制与面对有机绝缘层21的开口的内周面21a垂直的方向上的中间层35的厚度变小。
[0075]再者，由于利用了反溅射法，所以氧化钨13f难以附着于有机绝缘层21的上部。另夕卜，氧化钨13f，从面对有机绝缘层21的开口的内周面21a中的开口的上表面越是接近底面就越容易附着，所以与面对有机绝缘层21的开口的内周面21a垂直的方向上的中间层35的厚度，从开口的上表面越是接近底面就越大。而且，由于氧化钨13f从形成于第I导电层13上的金属氧化膜13e飞出，所以如图2(b)所示，关于与基板垂直的方向上的第I导电层13的厚度，有机绝缘层21的开口的底面21b处的厚度比其他处的厚度小。
[0076]4.效果
[0077]在本实施方式中，在面对有机绝缘层21的开口的内周面21a和第2导电层23之间形成有由氧化钨构成的中间层35。在这里，已知氧化钨无论是相对于有机材料还是相对于金属材料，密着性都高。因此，有机绝缘层21和中间层35的密着性高，且中间层35和第2导电层23的密着性也高。因此，通过形成有中间层35，有机绝缘层21和第2导电层23变得难以剥离。
[0078]而且，在本实施方式中，通过惰性气体的反溅射，使构成形成于第I导电层13上的金属氧化膜13e的氧化钨13f飞出。由此，使其附着于面对有机绝缘层21的开口的内周面21a，形成中间层35。因此，如上所述，与从有机绝缘层21的上方溅射中间层35的材料相t匕，在面对有机绝缘层921的开口的内周面921a上，能够充分地确保中间层35的厚度。
[0079]因此，在本实施方式中，还能够期待抑制第I导电层13和第2导电层23之间的接触电阻。为了对此进行说明，首先，对第I导电层13和第2导电层23之间的接触进行考察。图8是关于比较例的图，该比较例使用铝合金作为第2导电层23的材料，且由ITO构成的中间层35形成于包含有机绝缘层21的开口的底面21b在内的第I导电层13和第2导电层23之间的整个部分上，图8 (a)是利用TEM(Transmiss1n Electron Microscope)拍摄到的摄影图，图 8 (b)是图 8 (a)的放大图以及EDX (Energy Dispersive X-ray spectroscopy)测定图。在作为第2导电层23的Al合金和作为中间层35的ITO的接触部分，以膜厚7nm?1nm以上形成有氧化铝。这样，若接触地形成第2导电层23和中间层35，则第2导电层23的接触部分与中间层35中所含有的氧原子反应，会变质成为氧化铝。由此，有第2导电层23的与中间层35接触的部分的接触电阻变大之虞。但是，在本实施方式中，在有机绝缘层21的开口的底面21b，不存在中间层35，第I导电层13和第2导电层23相接触。由此，能够维持第I导电层13和第2导电层23的直接接触，接触电阻变小。
[0080]另外，图9是表示没有进行反溅射的样品(比较例)、和本实施方式的进行了反溅射的样品的接触电阻值的图。没有进行反溅射的样品(比较例)，接触电阻值约为109ω，极大，但本实施方式的进行了反溅射的样品，接触电阻值能够减小为约2Ω左右。
[0081]而且，在第I导电层13和有机绝缘层21之间，形成有由将第I导电层13中所含有的钨氧化而成的氧化钨构成的氧化钨层13a。氧化钨层13a是第I导电层13被变质而成的，所以氧化钨层13a难以从第I导电层13剥离。另外，有机绝缘层21和氧化钨层13a的密着性高。因此，第I导电层13和有机绝缘层21变得难以剥离。
[0082]而且，如图2(b)所说明的那样，被有机绝缘层21直接覆盖的氧化钨层13a的表面13b的粗糙度，比从有机绝缘层21的开口露出的第I导电层13的表面13c的粗糙度大。而且，若表面13b的粗糙度大，则根据机械性质，有机绝缘层21和氧化钨层13a容易密着。其结果，第I导电层13变得更难以从有机绝缘层21剥离。
[0083][实施方式2]
[0084]1.构成
[0085]图10是实施方式2涉及的有机EL显示面板201的剖视图。在实施方式2中，在由金属氧化物形成的中间层上形成有金属层。下述以外的构成与有机EL显示面板I相同，所以省略说明。
[0086]如图1O所示，有机EL显示面板201，在面对有机绝缘层21的开口的内周面21a上，在中间层35和第2导电层23之间具有作为金属层的伸出部213d。伸出部213d由作为与第I导电层213相同的金属的鹤构成。
[0087]2.制造方法
[0088]以下，利用附图对有机EL显示面板201的制造方法、特别是形成中间层35以及第I导电层213的伸出部213d的工序进行说明。
[0089]如图11(a)所示，在有机绝缘层21的开口的内周面21a上形成有中间层35。具体而言，采用与图3(a)?(d)同样的制造方法，在第I导电材料层213c上形成金属氧化膜后，采用使用与图4(a)、(b)同样的惰性气体的反溅射法，使金属氧化膜的一部分附着在有机绝缘层21的开口的内周面21a上。
[0090]进而，如图11 (b)所示，采用使用与图4(a)、(b)同样的惰性气体的反溅射法，使第I导电材料层213c的一部分附着于形成在有机绝缘层21的开口的内周面21a上的中间层35上。在本实施方式中，使箭头所示的例如Ar(氩)之类的惰性气体离子碰撞由钨构成的第I导电材料层213c，使钨从第I导电层213飞出。飞出的钨的大多数附着于形成在有机绝缘层21的开口的内周面21a上的中间层35上。再者，该反溅射的条件是使用平行平板电极的DC溅射装置，并设为DC功率1.0kff以上1.5kff以下，氩气压力0.3Pa以上7.0Pa以下，IS气流量10sccm以上200sccm以下。
[0091]图11(b)的结果，如图11(c)所示，在有机绝缘层21的开口的内周面21a，除了中间层35外还形成有由与第I导电层213相同的钨构成的伸出部213d。
[0092]接着，如图11(d)所示，形成第2导电层23，进而，在有机绝缘层21的开口形成隔壁40。
[0093]3.效果
[0094]在中间层35和第2导电层23之间进一步形成有由钨构成的伸出部213d。而且，在有机绝缘层21的开口中，钨层和铝合金层的界面成为伸出部213d和第2导电层23的接触面。该接触面的面积比有机绝缘层21的开口的底部的面积大。另一方面，在第I电极层213和伸出部213d之间不存在接触电阻。因此，该构成，与实施方式I相比更能够抑制接触电阻。再者，为了产生该效果，伸出部213d必须由与构成第I导电层213的金属相同的材料构成。在伸出部213d由与构成第2导电层32的金属相同的材料构成的情况下，接触电阻与实施方式I相比没有变化，不产生效果。另外，在伸出部213d由与第I导电层213以及第2导电层23的材料不同的材料构成的情况下，在第I导电层213和伸出部213d之间存在接触电阻，所以不产生效果。
[0095][变形例]
[0096]按照以上那样基于实施方式说明了本发明，但本发明不限于上述实施方式。以下说明上述实施方式的变形例。
[0097]1.第I导电层的氧化方法
[0098]在实施方式等中，通过退火或烧成对第I导电层进行氧化，但第I导电层的氧化方法不限于此。例如，如图12、图13所示，也可以通过O2灰化来对第I导电层13的表面的一部分进行氧化。
[0099]图12表示在形成第I导电材料层13d后进行O2灰化(ashing)的工序。具体而言，首先，如图12(a)所示，与图3(a)同样地，在含有绝缘层14的基板上准备形成了钝化层16的钨构成的第I导电材料层13d。接着，如图12(b)所示，例如，使用O2等离子体进行灰化，使由钨构成的第I导电材料层13d的表面上的没有形成钝化层16的部分变质成为由氧化钨构成的金属氧化膜13e。其后，如图12(c)、(d)所示，利用与图3(b)、(c)同样的光刻技术以及蚀刻技术，形成开有开口的有机绝缘层21。
[0100]另一方面，图13表示在形成了开有开口的有机绝缘层21后进行O2灰化的工序。具体而言，首先，如图13(a)所示，与图3(a)同样地，在含有绝缘层14的基板上准备形成了钝化层16的钨构成的第I导电材料层13d。接着，如图13(b)、(c)所示，利用与图3(b)、(c)同样的光刻技术以及蚀刻技术，形成开有开口的有机绝缘层21。进而，如图13(d)所示，例如，利用O2等离子体进行灰化，使由钨构成的第I导电材料层13d的表面中的没有形成钝化层16的部分变质成为由氧化钨构成的金属氧化膜13e。
[0101]2.中间层的材料
[0102]在实施方式等中，说明了由氧化钨、或氧化钨和钨构成中间层的情况。但是，不限于此，中间层的材料是包含氧化物或氮化物材料即可。这里所说的“氧化物或氮化物”包括氮氧化物。以下，具体进行说明。
[0103]2-1.导电性氧化物
[0104]也可以用ITO之类的导电性氧化物形成中间层。通过由导电性比氧化钨高的导电性氧化物形成中间层335，即使是有机绝缘层21的开口的底部的中间层335和第I导电层13之间的界面也有电流流动。其结果，能够进一步抑制有机绝缘层21的开口的底部的第I导电层13和第2导电层23的接触电阻。以下，作为由导电性氧化物构成的中间层的例子，在图14中示出了含有由ITO构成的中间层的有机EL元件的制造方法。
[0105]首先，如图14(a)所示，在含有绝缘层14的基板上准备形成了钝化层16以及由ITO构成的金属氧化膜313e的由钨构成的第I导电层13。
[0106]接着，如图14(b)、(C)所示，利用与图3(b)、(C)同样的光刻技术以及蚀刻技术，形成开有开口的有机绝缘层21。
[0107]进而，如图14(d)所示，采用图4(a)所示那样的、利用惰性气体的反溅射法，将由ITO构成的金属氧化膜313e的一部分附着于有机绝缘层21的开口的内周面21a。
[0108]图14(d)的结果，如图14(e)所示，在有机绝缘层21的开口的内周面21a形成由ITO构成的中间层335。
[0109]其后，如图14 (f)所示，与图4 (C)同样地，形成第2导电层23，进而，在有机绝缘层21的开口形成隔壁40。在这里，在图14(f)中，在绝缘层21的开口部分，第I导电层13成为被挖入的形状，但这是表示反溅射的结果，为第I导电层13的表面也被反溅射的情况的状态的一个例示。再者，第I导电层13的表面也可以不被挖入。
[0110]2-2.与钝化层相同的材料
[0111]也可以由构成钝化层的材料形成中间层。通过由同一材料形成钝化层和中间层，就不需要为了形成中间层而使用新材料。在采用同一材料形成钝化层和中间层的情况下，中间层的形成工序也能够通过采用如上所述的惰性气体的反溅射来进行。在这里，作为由与钝化层相同的材料构成的中间层的例子，在图15中示出了含有由SiN构成的中间层的有机EL元件的制造方法。
[0112]首先，如图15(a)所示，在含有绝缘层14的基板上，沉积作为第I导电层13的钨，进而沉积作为钝化层材料113d的SiN。
[0113]接着，如图15(b)、(C)所示，利用与图3(b)、(C)同样的光刻技术以及蚀刻技术，在钝化层材料113d上形成开有开口的有机绝缘层21。
[0114]进而，如图15 (d)所示，采用使用例如CF4的反应性蚀刻法，使钝化层材料113d的一部分的SiN与来源于CF4的自由基气体(radical gas)反应，进行气化并除去。再者，该反应性蚀刻的条件是:利用平行平板电极的DC溅射装置，并设为DC功率0.25kff以上1.0kff以下，氩气压力0.7Pa以上7.0Pa以下，CF4气体流量10sccm以上200sccm以下，以及O2气流量Osccm以上50sccm以下。在这里，已知反应性蚀刻与利用惰性气体的反派射相比，蚀刻速率高。因此，使用CF4的钝化层材料113d的反应性蚀刻，与使用Ar气的钝化层材料113d的采用反溅射进行的蚀刻相比较早地进行。再者，钝化层材料113d的除去，进行到钝化层材料113d的膜厚变为形成所希望的中间层135b所需要的膜厚即可。
[0115]采用使用0匕的反应性蚀刻法，某种程度地除去钝化层材料113d后，如图16(a)所示，与图4(a)同样地，采用使用Ar之类的惰性气体的反溅射法，将由SiN构成的钝化层材料113d的一部分附着于有机绝缘层21的开口的内周面。在本变形例中，使箭头所示的例如Ar之类的惰性气体离子碰撞由SiN构成的钝化层材料113d，使SiN从钝化层材料113d飞出。飞出的SiN的大多数附着在有机绝缘层21的开口的内周面。
[0116]图16(a)的结果，如图16(b)所示，在有机绝缘层21的开口的内周面21a形成有中间层135b。
[0117]进而，如图16(c)所示，与图4(c)同样地形成第2导电层23，进而在有机绝缘层21的开口形成隔壁40。
[0118]3.中间层的扩展的范围
[0119]在上述实施方式等中，中间层仅扩展至有机绝缘层的开口的内周面的第I导电层侧的一半。但是，中间层也可以扩展至有机绝缘层的开口的内周面的全部。
[0120]4.中间层的制造方法
[0121]在上述实施方式等中，通过反溅射形成了中间层，但即使利用使用氩气的干式蚀刻也能够形成中间层。
[0122]5.其他的构成
[0123]在上述实施方式等中，发光层由有机发光材料构成，但不限于此，只要由至少含有有机EL层，并根据需要包括空穴注入层、空穴输送层、电子注入层、电子输送层等各种的功能层的材料构成即可。另外，第I电极层只要由导电性高的材料构成即可，特别优选含有钨、Mo、T1、Cr、Cu中的任一种。第2导电层不限于铝或铝合金，只要由例如Ag合金之类的具有导电性以及光反射性的材料构成即可。
[0124]6.本发明在其他的电子装置中的应用
[0125]本发明，除了上述实施方式等所示的、作为SD电极的第I导电层与作为阳极的第2导电层之间的接触以外，也能够用于具有以下结构的电子装置:采用导电层、开有开口的有机绝缘层、金属膜的叠层结构，在有机绝缘层的开口中，导电层和金属膜接触。
[0126]例如，也能够用于图1所示的TFT基板的栅电极12和第I导电层13的接触。再者，即使是液晶的情况也能够用于经由有机物的绝缘层而存在接触孔的情况。
[0127]产业上的利用可能性
[0128]本发明能够广泛地用于有机EL元件之类的电子装置，特别是能够用于使用有机EL元件的显示面板。
[0129]附图标记说明
[0130]有机EL显示面板I
[0131]玻璃基板11
[0132]第I导电层13
[0133]有机绝缘层 21
[0134]有机绝缘层的开口的内周面21a
[0135]有机绝缘层的开口的底面 21b
[0136]第2导电层23
[0137]中间层 35
【权利要求】
1.一种电子装置，具备: 基板； 形成于所述基板上的第I导电层； 形成于所述第I导电层上，且开有使所述第I导电层的一部分露出的开口的有机绝缘层； 形成为覆盖所述有机绝缘层的上表面、面对所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述开口露出的第I导电层的金属制的第2导电层；和 仅形成于面对所述有机绝缘层的开口的内周面和所述第2导电层之间的含有氧化物或氮化物的中间层， 在所述有机绝缘层的开口的底面上，所述第I导电层和所述第2导电层接触。
2.根据权利要求1所述的电子装置， 所述第I导电层由金属构成， 所述中间层由构成所述第I导电层的所述金属的氧化物构成。
3.根据权利要求1所述的电子装置， 所述中间层由导电性氧化物构成。
4.根据权利要求1所述的电子装置，进一步具备: 绝缘层，所述绝缘层由氧化物或氮化物构成，形成于所述第I导电层和所述有机绝缘层之间，且与所述有机绝缘层的开口对应地开有使所述第I导电层的一部分露出的开口，所述中间层由与所述绝缘层相同的材料构成。
5.根据权利要求1所述的电子装置， 所述第I导电层由金属构成， 在所述中间层和所述第2导电层之间进一步形成有由构成所述第I导电层的金属构成的金属层。
6.根据权利要求1所述的电子装置， 所述第I导电层由金属构成， 在所述第I导电层和所述有机绝缘层之间形成有由构成所述第I导电层的所述金属的氧化物构成的金属氧化物层， 被所述有机绝缘层直接覆盖的第I导电层的区域的表面的粗糙度，比从所述有机绝缘层露出的第I导电层的区域的表面的粗糙度大。
7.根据权利要求1所述的电子装置， 所述第I导电层由金属构成， 在被所述有机绝缘层覆盖的第I导电层的区域中，在所述第I导电层和所述有机绝缘层之间形成有氧化物层，所述氧化物层由构成所述第I导电层的所述金属的氧化物构成。
8.根据权利要求1所述的电子装置， 所述第I导电层由含有W、Mo、T1、Cr、Cu中的至少任一种的金属构成。
9.根据权利要求1所述的电子装置， 所述第2导电层由Al合金或Ag合金构成。
10.一种电子装置的制造方法，包括: 第I工序，该工序准备基板；第2工序，该工序在所述基板上形成由金属构成的第I导电层； 第3工序，该工序在所述第I导电层上形成开有使所述第I导电层的一部分露出的开口、且由有机材料构成的有机绝缘层； 第4工序，该工序通过对至少从所述有机绝缘层露出的所述第I导电层的表面进行溅射，仅在所述有机绝缘层的内周面形成含有氧化物或氮化物的中间层；和 第5工序，形成金属制的第2导电层，以覆盖所述有机绝缘层的上表面、所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述有机绝缘层露出的第I导电层。
11.根据权利要求10所述的电子装置的制造方法， 所述中间层含有的氧化物或氮化物为构成所述第I导电层的所述金属的氧化物或氮化物。
12.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法， 在从所述第2工序到所述第4工序之间，具有对所述第I导电层的至少表面进行氧化的工序。
13.根据权利要求11或12所述的电子装置的制造方法， 在所述第4工序和所述第5工序之间，具有对所述第I导电层的表面进行溅射，从而在所述中间层上形成由所述第I导电层中所含有的金属构成的金属层的工序。
14.一种电子装置的制造方法，包括: 第6工序，该工序准备基板； 第7工序，该工序在所述基板以及所述第I导电层上形成由氧化物或氮化物构成的绝缘层； 第8工序，该工序在所述基板上形成由金属构成的第I导电层； 第9工序，该工序在所述第I导电层上形成开有使所述第I导电层的一部分露出的开口、且由有机材料构成的有机绝缘层； 第10工序，该工序通过溅射来除去所述绝缘层的表面的一部分使得所述第I导电层的表面露出，通过对至少从所述有机绝缘层露出的所述绝缘层的表面进行溅射，仅在所述有机绝缘层的内周面上形成由与所述绝缘层相同的材料构成的中间层；和 第11工序，形成金属制的第2导电层，以覆盖所述有机绝缘层的上表面、所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述有机绝缘层露出的第I导电层。
【文档编号】H05B33/12GK104081879SQ201380005257
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2013年1月10日 优先权日:2012年1月18日
【发明者】阿部裕树, 年代健一, 矢田修平, 菅野恒 申请人:松下电器产业株式会社