Led高频抗干扰驱动电路的制作方法
【专利摘要】LED高频抗干扰驱动电路，包括与控制器连接的限流控制电路和与限流控制电路连接的MOS管负压驱动电路；所述的限流控制电路包括三极管Q2、三极管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R3。本实用新型的技术方案实现了在LED供电电压变化时，使流经LED的电流保持不变，保证LED亮度的恒定；同时，本实用新型能在驱动电压结束时产生负压快速关断MOS管，在高频率LED灯开合、关闭的环境下，提高电路整体的使用寿命。
【专利说明】LED高频抗干扰驱动电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种LED控制电路，具体为LED闻频抗干扰驱动电路。
【背景技术】
[0002]LED灯在现代消费电子产品中是不可缺少的一种器件，LED产品的突出作用在于其显示功能。例如，设备工作状态的显示(颜色不同代表的工作状态不同)，设备上电状态显示等等。LED的使用非常简单，但是如何保证在电源不稳定的情况下，保持LED的亮度恒定是亟待解决的问题。随着电力半导体器件的发展，功率场效应管已经成为了 LED开关电源中最常用的器件，由于其开关速度快、驱动功率小、易并联等优点，广泛应用于高频、中小功率的场合。目前，电压源驱动的开关频率已经超过1MHz，但是开关频率过高会导致一系列问题，其中阻碍电压源驱动开关频率提高的主要瓶颈就是开关器件导通和关断过程的损耗、门极驱动的损耗和开关器件输出电容的损耗，相比于传统的驱动电路，高频负压驱动能够在开关断开的过程中以小于零的负压快速关断MOS管，降低高频的电路损耗，提高驱动电路的抗干扰性，解决开关频率过高带来的问题。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种LED高频抗干扰驱动电路，解决LED控制电路恒流和MOS管开关频率过高带来的诸多电路问题。
[0004]为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案:
[0005]LED高频抗干扰驱动电路，包括与控制器连接的限流控制电路和与限流控制电路连接的MOS管负压驱动电路；所述的限流控制电路包括三极管Q2、三极管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R3 ;控制器的控制接口通过电阻Rl和三极管Q2的基极相连，三极管Q2的发射极和三极管Ql基极连接，三级管Ql的基极和电阻R3的一端连接，三极管Ql的集电极和三极管Q2的基极相连，三极管Ql的集电极和电阻R2的一端相连，电阻R3的另一端和三极管Q2的基极相连形成回路，电阻R2的另一端和三极管Ql的发射极相连并接地；所述的MOS管负压驱动电路包括:稳压电路、负压电路、保护电路和MOS管VT，所述的稳压电路由稳压二极管VDl和限流电阻R4组成，所述稳压二极管VDl的负极与驱动电压VDD相连，所述限流电阻R4接在VDl正极与所述MOS管VT源极的两端；所述的负压电路由二极管VD3、稳压管VD5、三极管Q3、电容Cl以及栅极输入电阻R5组成，所述二极管VD3的正极与限流控制电路中三极管Q2的集电极连接，二极管VD3的负极同时与所述电容Cl的正极和所述稳压管VD5的负极相连，所述稳压管VD5的正极与电容Cl的负极相连，所述PNP型三极管Q3的基极与二极管VD3的正极相连，三极管Q3的集电极与电容Cl的正极相连，三极管Q3的发射极与所述MOS管VT的源极相连；所述的栅极输入电阻R5接在电容Cl负极与MOS管VT栅极的两端；所述的保护电路由二极管VD4、保护电阻R5和滤波电容C3组成，所述的二极管VD4的正极与MOS管VT的栅极相连，二极管VD4的负极与电容Cl的正极相连，所述保护电阻R5接在MOS管VT的栅极与门极之间，所述的滤波电容C3与电阻R6并联。
[0006]进一步的，所述的控制器为PLC控制芯片。
[0007]与现有技术相比，本实用新型的技术方案实现了在LED供电电压变化时，使流经LED的电流保持不变，保证LED亮度的恒定；同时，本实用新型能在驱动电压结束时产生负压快速关断MOS管，在闻频率LED灯开合、关闭的环境下，提闻电路整体的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
[0010]如图1所示的LED高频抗干扰驱动电路，包括与控制器连接的限流控制电路和与限流控制电路连接的MOS管负压驱动电路；所述的限流控制电路包括三极管Q2、三极管Ql、电阻R1、电阻R2和电阻R3 ;控制器的控制接口通过电阻Rl和三极管Q2的基极相连，三极管Q2的发射极和三极管Ql基极连接，三级管Ql的基极和电阻R3的一端连接，三极管Ql的集电极和三极管Q2的基极相连，三极管Ql的集电极和电阻R2的一端相连，电阻R3的另一端和三极管Q2的基极相连形成回路，电阻R2的另一端和三极管Ql的发射极相连并接地；所述的MOS管负压驱动电路包括:稳压电路、负压电路、保护电路和MOS管VT，所述的稳压电路由稳压二极管VDl和限流电阻R4组成，所述稳压二极管VDl的负极与驱动电压VDD相连，所述限流电阻R4接在VDl正极与所述MOS管VT源极的两端；所述的负压电路由二极管VD3、稳压管VD5、三极管Q3、电容Cl以及栅极输入电阻R5组成，所述二极管VD3的正极与限流控制电路中三极管Q2的集电极连接，二极管VD3的负极同时与所述电容Cl的正极和所述稳压管VD5的负极相连，所述稳压管VD5的正极与电容Cl的负极相连，所述PNP型三极管Q3的基极与二极管VD3的正极相连，三极管Q3的集电极与电容Cl的正极相连，三极管Q3的发射极与所述MOS管VT的源极相连；所述的栅极输入电阻R5接在电容Cl负极与MOS管VT栅极的两端；所述的保护电路由二极管VD4、保护电阻R5和滤波电容C3组成，所述的二极管VD4的正极与MOS管VT的栅极相连，二极管VD4的负极与电容Cl的正极相连，所述保护电阻R5接在MOS管VT的栅极与门极之间，所述的滤波电容C3与电阻R6并联；所述的控制器为PLC控制芯片。
[0011]本实用新型工作时，通过控制器通拉高控制接口的电平，控制MOS管VT点亮与MOS管VT连接的LED灯组，当控制器输出高电平时，三极管Ql和Q2都工作在放大区，Ql导通，此时有电流流过LED灯组，所以LED灯组被点亮。当电源电压变化时，Ql发射极电压会变化，Ql发射极的电压变化必然引起Q2工作状态的变化。Q2工作状态的变化，又会引起R2上电压的变化，R2上电压的变化又导致Ql工作状态的变化。如此就构成了一个闭环反馈回路，这个反馈回路的结果使LED灯组上的电流趋向于稳定。
[0012]MOS管负压驱动电路的工作过程为:当驱动电压为零时，负压产生电路在MOS管VT的门极与栅极之间产生负电压，二极管VD3可以防止电流反向流动，电容Cl利用电荷泵原理在正极电压突变为零时产生负压，并联稳压二极管VD5保证电容两端电压稳定，PNP型三极管Q3用来为产生负压提供通道，电阻R5保证电荷泵的放电时间；保护电路中的电阻R6连接在MOS管VT的栅极和源极之间，防止静电击穿，小电容C3起滤波作用，减少驱动脉冲前后沿的畸变现象，二极管VD4的作用是给MOS管VT栅极寄生输入电容提供低阻抗放电通道，加速输入电容放电，从而加速MOS管VT的关断。
[0013]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.LED高频抗干扰驱动电路，其特征在于，包括与控制器连接的限流控制电路和与限流控制电路连接的MOS管负压驱动电路；所述的限流控制电路包括三极管Q2、三极管Ql、电阻R1、电阻R2和电阻R3 ;控制器的控制接口通过电阻Rl和三极管Q2的基极相连，三极管Q2的发射极和三极管Ql基极连接，三级管Ql的基极和电阻R3的一端连接，三极管Ql的集电极和三极管Q2的基极相连，三极管Ql的集电极和电阻R2的一端相连，电阻R3的另一端和三极管Q2的基极相连形成回路，电阻R2的另一端和三极管Ql的发射极相连并接地；所述的MOS管负压驱动电路包括:稳压电路、负压电路、保护电路和MOS管VT，所述的稳压电路由稳压二极管VDl和限流电阻R4组成，所述稳压二极管VDl的负极与驱动电压VDD相连，所述限流电阻R4接在VDl正极与所述MOS管VT源极的两端；所述的负压电路由二极管VD3、稳压管VD5、三极管Q3、电容Cl以及栅极输入电阻R5组成，所述二极管VD3的正极与限流控制电路中三极管Q2的集电极连接，二极管VD3的负极同时与所述电容Cl的正极和所述稳压管VD5的负极相连，所述稳压管VD5的正极与电容Cl的负极相连，所述PNP型三极管Q3的基极与二极管VD3的正极相连，三极管Q3的集电极与电容Cl的正极相连，三极管Q3的发射极与所述MOS管VT的源极相连；所述的栅极输入电阻R5接在电容Cl负极与MOS管VT栅极的两端；所述的保护电路由二极管VD4、保护电阻R5和滤波电容C3组成，所述的二极管VD4的正极与MOS管VT的栅极相连，二极管VD4的负极与电容Cl的正极相连，所述保护电阻R5接在MOS管VT的栅极与门极之间，所述的滤波电容C3与电阻R6并联。
2.根据权利要求1所述的LED高频抗干扰驱动电路，其特征在于:所述的控制器为PLC控制芯片。
【文档编号】H05B37/02GK204090245SQ201420524666
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年9月12日 优先权日:2014年9月12日
【发明者】陈杏芬 申请人:陈杏芬